• 한국전자파학회논문지
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• 제19권2호
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• pp.257-262
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• 2008

본 논문에서는 열전도도가 우수한 AIN 기판에 $CO_2$ Laser 장비 를 이용하여 Thru-hole과 scribing line을 형성하기 위해 $CO_2$ laser의 파라미터(촛점 거리, 공기량, 레이저 빔 시간, 펄스 개수)를 실험하고, 자체 정렬 마스킹 기법을 이용한 5 um 두께의 Cu 도금으로 AIN 기판에 전송 선로와 나선형 평면 인덕터를 제작하였다. AIN 기판에서의 마이크로스트립 라인의 전송 손실은 10 GHz에서 0.1 dB/mm, 6 nH 나선형 평면 인덕터는 1 GHz에서 56의 품질 계수를 얻었고, 이를 통해 열전도도가 우수한 AIN 기판의 고전력 RF 응용이 가능할 것으로 기대한다.

• 전자공학회논문지A
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• 제28A권10호
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• pp.821-829
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• 1991

In this paper, a BICMOS technology that has CMOS devices for digital application and bipolar devices for high voltage (80V) analog applications is presented. Basic concept to design BICMOS device is simple process technology without making too many performance trade-offs. The base line process is poly gate p-well CMOS process and three additional masking steps are added to improve bipolar characteristics. The key ingredients of bipolar integration are n+ buried layer process, up/down isolation process and p-well base process. The bipolar base region is formed simultaneously with the region of CMOS p-well area to reduce mask and heat cycle steps. As a result, hFE value of NPN bipolar transistor is 100-150(Ic=1mA). Collector resistance value is 138 ohm in case of bent type collector structure. Breakdown voltage of BVebo, BVcbo and BVceo are 21V, 115V and78V respectively. Threshold voltage is ${\pm}$1.0V for NMOS and PMOS transistor. Breakdown voltage of NMOS and PMOS transistor is obtained 22V and 19V respectively. 41 stage CMOS ring oscillator has 0.8ns delay time.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권8호
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• pp.94-106
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• 1995

A three-dimensional(3D) Monte Carlo simulator for boron ion implantation into <100>single-crystal silicon considering the mask structure has been developed to predict the mask-dependent impurity doping profiles of the implanted boron at low energies into the reduced area according to the trend of a reduction in the size of semiconductor devices. All relevant important parameters during ion implantation have been taken into account in this simulator. These are incident energy, tilt and rotation of wafer, orientation of silicon wafer, presence of native silicon dioxide layer, dose, wafer temperature, ion beam divergence, masking thickness, and size and structure of open window in the mask. The one-dimensional(1D) results obtained by using the 3D simulator have been compared with the SIMS experiments to demonstrate its capabilities and confirem its reliability, and we obtained relatively accurate 1D doping profiles. Through these 3D simulations considering the hole structure and its size, we found the mask effects during boron ion implantation process.

• 한국조경학회지
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• 제17권3호
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• pp.1-8
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• 1990

The digital terrain model (DTM) or digital elevation model (DEM) is commonly used in representing the continuous variation of relief over space. One of the most frequent applications is to display the three dimensional view of the landform concerned. In this paper, the altitude matrices-regular grid cell format of the elevation in Mt. Kyeryong National Park were used in developing the three dimensional view software for the first time in Korea. It required the removal of hidden lines or surfaces. To do this, it was necessary to identify those surfaces and line segments that are visible and those that are invisible. Then, only the visible portions of the landform were displayed. The assumption that line segments are used to approximate contour surfaces by polygons was used in developing the three dimensional orthographic view. In order to remove hidden lines, the visibility test and masking algorithms were used. The software was developed in the engineering workstation, SUN 3/280 at the Institute of Space Science and Astronomy using 'C' in UNIX operating system. The software developed in this paper can be used in various fields. Some of them are as follows : (1) Landscape design and planning for identifying viewshed area(line of sight maps) (2) For planning the route selection and the facility location (3) Flight simulation for pilot training (4) Other landscape planning or civil engineering purposes

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권10호
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• pp.25-34
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• 2002

본 논문에서는 코발트 실리사이드가 형성된 얕은 p+-n과 n+-p 접합의 전류-전압 특성을 분석하여 silicidation에 의해 형성된 Schottky contact 면적을 구하였다. 역방향 바이어스 영역에서는 Poole-Frenkel barrier lowering 효과가 지배적으로 나타나서 Schottky contact 효과를 파악하기가 어려웠다. 그러나 Schottky contact의 형성은 순방향 바이어스 영역에서 n+-p 접합의 전류-전압 (I-V) 동작에 영향을 미치는 것으로 확인되었다. 실리사이드가 형성된 n+-p 다이오드의 누설전류 증가는 실리사이드가 형성될 때 p-substrate또는 depletion area로 코발트가 침투퇴어 Schottky contact을 형성하거나 trap들을 발생시켰기 때문이다. 분석결과 perimeter intensive diode인 경우에는 silicide가 junction area까지 침투하였으며, area intensive junction인 경우에는 silicide가 비록 공핍층이나 p-substrate까지 침투하지는 않았더라도 공핍층 근처까지 침투하여 trap들을 발생시켜 누설전류를 증가시킴을 확인하였다. 반면 p+-n 다이오드의 경우 Schottky contact이발생하지 않았고 따라서 누설전류도 증가하지 않았다. n+-p 다이오드에서 실리사이드에 의해 형성된 Schottky contact 면적은 순방향 바이어스와 역방향 바이어스의 전류 전압특성을 동시에 제시하여 유도할 수 있었고 전체 접합면적의 0.01%보다 작게 분석되었다.

• 응용통계연구
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• 제28권6호
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• pp.1275-1288
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• 2015

미기상해석모듈(microscale weather analysis module)은 복사에너지, 열, 습도 등의 순환을 시-공간적으로 세밀하게 설명하고 모의실험 할 수 있도록 개발한 초고분해능($1km{\times}1km$ 이내)의 기상모델이다. 본 논문은 미기상해석모듈의 정확성을 시공간적으로 검증할 수 있도록 고안한 객체기반 검증법을 제안한다. 이 검증법은 통계그래픽을 사용하는 시각적인 방법이며, 미기상해석모듈의 평가통계출력장 구축단계, 객체식별 및 병합단계, 모듈의 정확성 검증단계로 이루진다. 이를 위해 두 가지 통계를 사용하여 삼차원의 평가통계출력장을 구축하였고, 구축된 출력장에서 정의되는 시계열통계들에 대해 합성(convolution), 가면화(masking) 및 병합작업(merging)을 시행하여 출력장에서 모듈검증대상 지역인 객체를 식별하는 알고리즘을 개발하였다. 또한, 사례연구를 통해 제안된 객체기반 검증법의 유용성을 보였다.

• 한국전산구조공학회논문집
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• 제27권2호
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• pp.63-70
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• 2014

본 논문에서는 압전 수정진동자의 설계민감도 해석 및 위상 최적설계 기법을 개발하였다. 압전 수정진동자는 가해지는 전하에 의해 두께방향 전단 변형하게 되거나, 혹은 그 반대방향으로 기계 변형에 의해 전기적 신호를 검출하게 된다. 엄밀한 두께방향 전단해석을 위해 두께방향으로 고차 보간을 하는 고차 민들린(Mindlin) 판 이론을 도입하였다. 압전 수정진동자에서 수정판은 부도체이기 때문에 전기적 신호를 검출하거나 전기적 신호에 의해 수정판을 기계적으로 진동시키기 위해 수정판의 상/하 표면에 얇은 전극경을 도포한다. 비록 전극경이 매우 얇기는 하지만 그 무게와 형상에 따라 진동자의 거동이 달라지기 때문에, 설계민감도 해석 및 위상 최적설계를 위한 설계변수는 전극경의 질량 밀도와 관계된다. 따라서 위상 최적설계 문제는 두께방향 전단 변형에너지를 최대화하는 최적의 전극경 분포를 구하도록 구성한다. 또한 보다 의미있는 설계안을 얻기 위해 전극경의 재료량과 면적에 제약조건을 부여한다. 두께방향 전단 주파수(고유치)와 상응하는 모드형상(고유벡터)에 대한 설계구배는 고유벡터 확장법을 이용한 해석적 설계민감도 해석법을 통해 매우 효율적이고 정확하게 계산될 수 있다. 수치예제를 통해 제안된 해석적 설계민감도가 유한차분 설계민감도와 비교하여 매우 효율적이고 정확하게 계산됨을 확인하였다. 또한 위상 최적설계를 통해 도출된 최적 전극경 설계가 모드형상과 두께방향 전단 변형에너지를 개선시킴을 확인하였다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제41권1호
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• pp.22-28
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• 2016

Objectives: The goal of this study was to compare the density of gutta-percha root fillings obturated with the following techniques: cold lateral (CL) compaction, ultrasonic lateral (UL) compaction, and warm vertical (WV) compaction. Materials and Methods: Thirty-three extracted mandibular first molars, with two separate mesial canals in each, were selected. After instrumentation, the canals were stratified into three groups based on canal length and curvature, and underwent obturation with one of the techniques. No sealer was used in order to avoid masking any voids. The teeth were imaged pre- and post-obturation using micro-computed tomography. The reconstructed three-dimensional images were analyzed volumetrically to determine the amount of gutta-percha present in every 2 mm segment of the canal. P values < 0.05 were considered to indicate statistical significance. Results: The overall mean volume fraction of gutta-percha was $68.51{\pm}6.75%$ for CL, $86.56{\pm}5.00%$ for UL, and $88.91{\pm}5.16%$ for WV. Significant differences were found between CL and UL and between CL and WV (p < 0.05), but not between UL and WV (p = 0.526). The gutta-percha density of the roots treated with WV and UL increased towards the coronal aspect, but this trend was not noted in the CL group. Conclusions: WV compaction and UL compaction produced a significantly denser gutta-percha root filling than CL compaction. The density of gutta-percha was observed to increase towards the coronal aspect when the former two techniques were used.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제16권3호
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• pp.27-34
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• 2011

본 논문에서는 영상의 명암대비(contrast)를 개선시키는 언샾 마스킹 방법을 제안한다. 언샾 마스킹은 이미지가 가지고 있는 에지와 디테일 정보를 개선시키는데 일반적인 샤프닝 마스크 보다 효과적이기에 이에 관한 많은 연구가 있었다. 제안하는 방법은 방향성 정보를 이용한 블록 단위의 언샾 마스킹 방법으로 영상을 블록 단위로 분할하고 DCT(Discrete Cosine Transform)를 이용하여 각 블록에서 패턴의 방향성 정보를 얻어낸다. DCT 결과로부터 해당 블록들의 방향성 타입을 결정하고 이에 따라 언샾 마스크를 적응적으로 적용한다. 블록의 분류는 평탄영역, 텍스처, 에지 그리고 나머지 형태로 구분되어 진다. 평탄 영역에 속하는 블록은 잡음에 의한 영향을 줄이기 위해 언샾 마스킹을 적용하지 않으며 텍스처와 에지영역에 대해서는 고주파 성분을 강조하기 위해 블록타입에 맞는 적응적 언샾 마스킹을 적용한다. 실험을 통하여 영상에서 평탄 영역은 잡음에 의한 훼손을 줄이며 에지들이 포함된 텍스처 영역은 적응적으로 강조하여 시각적으로 우수한 명암대비 개선 결과를 얻을 수 있었다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2005년도 춘계학술대회
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• pp.643-646
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• 2005

The gas hydrate exploration using seismic reflection data, the detection of BSR(Bottom Simulating Reflector) on the seismic section is the most important work flow because the BSR have been interpreted as being formed at the base of a gas hydrate zone. Usually, BSR has some dominant qualitative characteristics on seismic section i.e. Wavelet phase reversal compare to sea bottom signal, Parallel layer with sea bottom, Strong amplitude, Masking phenomenon above the BSR, Cross bedding with other geological layer. Even though a BSR can be selected on seismic section with these guidance, it is not enough to conform as being true BSR. Some other available methods for verifying the BSR with reliable analysis quantitatively i.e. Interval velocity analysis, AVO(Amplitude Variation with Offset)analysis etc. Usually, AVO analysis can be divided by three main parts. The first part is AVO analysis, the second is AVO modeling and the last is AVO inversion. AVO analysis is unique method for detecting the free gas zone on seismic section directly. Therefore it can be a kind of useful analysis method for discriminating true BSR, which might arise from an Possion ratio contrast between high velocity layer, partially hydrated sediment and low velocity layer, water saturated gas sediment. During the AVO interpretation, as the AVO response can be changed depend upon the water saturation ratio, it is confused to discriminate the AVO response of gas layer from dry layer. In that case, the AVO modeling is necessary to generate synthetic seismogram comparing with real data. It can be available to make conclusions from correspondence or lack of correspondence between the two seismograms. AVO inversion process is the method for driving a geological model by iterative operation that the result ing synthetic seismogram matches to real data seismogram wi thin some tolerance level. AVO inversion is a topic of current research and for now there is no general consensus on how the process should be done or even whether is valid for standard seismic data. Unfortunately, there are no well log data acquired from gas hydrate exploration area in Korea. Instead of that data, well log data and seismic data acquired from gas sand area located nearby the gas hydrate exploration area is used to AVO analysis, As the results of AVO modeling, type III AVO anomaly confirmed on the gas sand layer. The Castagna's equation constant value for estimating the S-wave velocity are evaluated as A=0.86190, B=-3845.14431 respectively and water saturation ratio is $50\%$. To calculate the reflection coefficient of synthetic seismogram, the Zoeppritz equation is used. For AVO inversion process, the dataset provided by Hampson-Rushell CO. is used.