ZnS substrates with excellent transmittance in the mid-infrared region ($3-5{\mu}m$) were prepared using hot pressing instead of conventional chemical vapor deposition (CVD). Diamond-like carbon(DLC) was coated on either one or both sides of the ZnS substrates to improve their mechanical properties and transmittance. More specifically DLC was coated using CVD with an Ar and $C_2H_2$ mixed gas, and Ge was used as the bonding layer. During CVD, the bias voltage was fixed to 500 V and analyzed by Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR), nanoindenter, scanning electron microscope and energy dispersive spectrometry. Results of hardness analysis using the nanoindenter, showed that DLC coating increased from 5.9 to 17.7 GPa after deposition. The FT-IR spectroscopy results showed that, in the mid-infrared region ($3-5{\mu}m$), the average transmittance of the samples with DLC coating on one and both sides increased by approximately 6% and approximately 11.2% respectively. In conclusion, the DLC coating improved the durability and transmittance of the ZnS substrates.
This study was conducted to fabrication pig iron containing copper and to reduce sulfur content pig iron. Roasting test was conducted for 1 ~ 9 hours at each temperature of $500^{\circ}C$, $700^{\circ}C$, and $900^{\circ}C$. In addition, the effect of oxygen partial pressure with 0.5, 0.8, and 1 atm was carried out for 30 minutes at $900^{\circ}C$. It was found that there is no effect to reduce sulfure in pig iron through roasting and oxygen partial pressures. The addition of CaO with 15 wt.% was found to reduce sulfur content up to 0.001 wt.%. The suitable temperature and reactive time for carbothermic reduction were $1600^{\circ}C$ and 30 minutes which shows the highest recovery rate of iron from the copper slag.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.51-51
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2008
Carbon nanotubes (CNTs) have long been reported as an ideal material due to their excellent electrical conductivity and chemical and mechanical stability as well as their high aspect ratios for field emission devices. CNT emitters made by screen printing the organic binder-based CNT paste may act as a source to release gases inside a vacuum panel. These residual gases may cause a catastrophic damage by electrical arcing or ion bombardment to the vacuum microelectronic devices and may change their physical or electrical properties by adsorbing on the CNT emitter surface. In this study, we analyzed the composition of residual gases inside the vacuum-sealed panel by residual gas analyzer (RGA), investigating the effects of individual gases of different kinds at several pressures on the field emission characteristics of CNT emitters. The residual gases included $H_2$, CO, $CO_2$, $N_2$, $CH_4$, $H_2O$, $C_2H_6$, and Ar. Effect of residual gases on the field emission was studied by observing the variation of the pulse voltages with the duty ratio of3.3% to keep the constant emission current of $28{\mu}A$. Each gas species was introduced to a vacuum chamber up to three different pressures ($5\times10^{-7}$, $5\times10^{-6}$, and $5\times10^{-5}$ torr) each for 1 h while electron emission was continued. The three different pressure regions were separated by keeping a high vacuum of $\sim10^{-8}$ torr for a 1 h. The emission was terminated 6 h after the third gas exposure was completed. Field emission characteristics under residual gases will be discussed in terms of their adsorption and desorption on the surface of CNTs and the resultant change of work function.
In this research, magnetic properties and annealing effects of the spin valve structures were investigated, which have Ta underlayer deposited with Ar and $N_2$ gas mixture. Also, TaN underlayer as a diffusion barrier and the substrate were investigated. The structure of the spin valve was Si($SiO_2$)/Ta(TaN)/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/FeMn/Ta. Deposition rate was decreased and resistivity and roughness of the TaN films were increased as the $N_2$ gas flow was increased. The XRD results after high temperature annealing showed that Silicides were created in Si/Ta layer, but not in Si/TaN layer. Magnetoresistance ratio (MR) and exchange coupling field ($H_{ex}$) were decreased when the $N_2$ gas flow was increased over 4.0 sccm. The MR of the spin valves with Ta and TaN films deposited with up to 4.0 sccm of $N_2$ gas flow was increased about $0.5\%$ until the annealing temperature of up to $200^{\circ}C$ and then, decreased. TaN film deposited with 8.0 sccm of $N_2$ gas flow showed twice the adhesion of the Ta film. The above results indicate that with 3.0 sccm of $N_2$ gas flow during the Ta underlayer deposition, the magnetic properties of the spin valves are maintained, while the underlayer may be used as a diffusion barrier and the adhesion between the Si substrate and the underlayer is increased.
So, Chil-Sup;Yun, Seong-Taek;Kim, Se-Hyun;Youm, Seung-Jun;Heo, Chul-Ho;Choi, Seon-Gyu
Economic and Environmental Geology
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v.26
no.4
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pp.433-444
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1993
Electrum (32~73 atom. % Ag)-sulfide mineralization of the Bodeok mine in the Boseong area was deposited in two stages of mineralogically simple, massive quartz veins that fill the fractures along fault shear zones in Precambrian gneiss. Radiometric dating indicates that mineralization is Late Jurassic age ($155.9{\pm}2.3$ Ma). Fluid inclusion data show that ore mineralization was formed from $H_2O-CO_2$ fluids with variable $CO_2$ contents ($X_{CO_2}=0.0$ to 0.7) and low salinities (0.0 to 7.4 wt. % eq. NaCl) at temperatures between $200^{\circ}$ and $370^{\circ}C$. Evidence of fluid unmixing ($CO_2$ effervescence) indicates pressures up to 1 kbar. Gold-silver deposition occurred later than base-metal sulfide deposition, at temperatures near $250^{\circ}C$ and was probably a result of cooling and decreasing sulfur activity caused by sulfide precipitation and/or $H_2S$ loss (through fluid unmixing). Calculated sulfur isotope compositions of ore fluids (${\delta}^{34}S_{{\Sigma}S}=1.7$ to 3.3‰) indicate an igneous source of sulfur in hydrothermal fluids. Measured and calculated O and H isotope compositions of ore fluids (${\delta}^{18}O_{water}=4.8$ to 7.2‰, ${\delta}D_{water}=-73$ to -76‰) indicate that mesothermal auriferous fluids at Bodeok were likely mixtures of $H_2O-rich$, isotopically evolved meteoric waters and magmatic $H_2O-CO_2$ fluids.
Effects of rapid thermal annealing of bismuth telluride thin films on their thermoelectric properties were investigated. Films with four different compositions were elaborated by co-sputtering of Bi and Te targets. Rapid thermal treatments in range of $300{\sim}400^{\circ}C$ were carried out during 10 minutes under the reducing atmosphere (Ar with 10% $H_2$). As the temperature of thermal treatment increased, carrier concentrations of films decreased while their mobilities increased. These changes were clearly observed for the films close to the stoichiometric composition. Rapid thermal treatment was found to be effective in improving the thermoelectric properties of $Bi_2Te_3$ films. Recrystallization of $Bi_2Te_3$ phase has caused the enhancement of thermoelectric properties, along with the decrease of the carrier concentration. Maximum values of Seebeck coefficient and power factor were obtained for the films treated at $400^{\circ}C$ (about $-128{\mu}V/K$ and $9{\times}10^{-4}\;W/K^2m$, respectively). With further higher temperature ($500^{\circ}C$), thermoelectric properties deteriorated due to the evaporation of Te element and subsequent disruption of film's structure.
ZnO:Cu thin films are deposited by using an RF magnetron co-sputtering system with Cu chips attached on ZnO target. Structural and electrical properties are analyzed as a function of deposition conditions, such as Cu chip areas, $O_2/(Ar+O_2)$ ratios, and working pressures, The results show that a higher electrical resistivity above $10^{10}$${\Omega}cm$ along with an excellent c-axial growth can be easily achieved by Cu-doping. SAW filters based on the ZnO:Cu films are also fabricated to estimate the electric-mechanical coupling coefficient($K^{2}_{eff}$). Higher $K^{2}_{eff}$ and lower insertion losses are observed for ZnO:Cu films, compared with those for ZnO films.
Wear restance titanium carbonitride (TiCN) films were deposited on the SKH9 tool steels and WC-Co cutting tools by plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) using a gaseous mixture of TiCl4, CH4, N2, H2 and Ar. The effects of the deposition temperature and RF(Radio Frequency) power on the deposition rate, chlorine content and crystallinity of the deposited layer were studied. The experimental results showed that the stable and adherent films could be obtained above the deposition temperature of 47$0^{\circ}C$ and maximum deposition rate was obtained at 485$^{\circ}C$. The deposition rate was much affected by RF power and maximum at 40W. The crystallinity of the deposited layer was improved with increasing the deposition temperature and RF power. The TiCN films deposited by PACVD contained much chlorine. The chlorine content in the TiCN films was affected by deposition conditions and decreased with improving the crystallinity of the deposited layer. The deposited TiCN films deposited at the deposition temperature of 52$0^{\circ}C$ and RF power of 40W had an uniform surface with very fine grains of about 500$\AA$ size. The microhardness of the deposited layer was 2,300Kg/$\textrm{mm}^2$.
Scandia ($Sc2O_3$)-stabilized zirconia (ScSZ) electrolyte-supported symmetrical solid oxide electrolyzer cells (SOECs), in which lanthanum strontium cobalt ferrite (LSCF)-gadolinia ($Gd_2O_3$)-doped ceria (GDC) composite materials are used as both the cathode and anode, were fabricated and their high temperature steam electrolysis (HTSE) performance was investigated. Current density-voltage curves were obtained for cells operated in 10% $H_2O$/90% Ar at 750, 800, and $850^{\circ}C$. It was possible to determine the ohmic, cathodic, and anodic contributions to the total overpotential using the three-electrode technique. The HTSE performance was significantly improved in the symmetrical cell with LSCF-GDC electrodes compared to the cell consisting of an Ni-YSZ cathode and LSCF-GDC anode. It was found that the overpotential due to the LSCF-GDC cathode largely decreased and, at a given current density, the total cell voltage decreased, which resulted in the enhanced hydrogen production rate in the symmetrical cell.
Echinacoside (ECH) is a naturally occurring phenylethanoid glycoside, isolated from Echinacea angustifolia, and this study aimed to analyze its effect on thermogenesis and its interaction with dopaminergic receptors 1 and 5 (DRD1 and DRD5) in 3T3-L1 white adipocytes and mice models. We employed RT-PCR, immunoblot, immunofluorescence, a staining method, and an assay kit to determine its impact. ECH showed a substantial increase in browning signals in vitro and a decrease in adipogenic signals in vivo. Additionally, analysis of the iWAT showed that the key genes involved in beiging, mitochondrial biogenesis, and ATP-dependent thermogenesis were upregulated while adipogenesis and lipogenesis genes were downregulated. OXPHOS complexes, Ca2+ signaling proteins as well as intracellular Ca2+ levelswere also upregulated in 3T3-L1 adipocytes following ECH treatment. This was collectively explained by mechanistic studies which showed that ECH mediated the beiging process via the DRD1/5-cAMP-PKA and subsequent downstream molecules, whereas it co-mediated the α1-AR-signaling thermogenesis via the DRD1/5/SERCA2b/RyR2/CKmt pathway in 3T3-L1 adipocytes. Animal experiments revealed that there was a 12.28% reduction in body weight gain after the ECH treatment for six weeks. The effects of ECH treatment on adipose tissue can offer more insights into the treatment of obesity and metabolic syndrome.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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