The accurate analysis of ultrasonic wave propagation and scattering plays an important role in many aspects of nondestructive evaluation. A numerical analysis makes it possible to perform parametric studies, and in this way the probability of detection and reliability of test results can be improved. In this paper, a finite element method was employed for the analysis of ultrasonic wave propagation in anisotropic materials, and the accuracy of results was checked by comparing with analytical predictions. The element size and the integral time step, which are the critical components for the convergence of finite element solutions, were determined using a commercial finite element code. Some differences for wave propagation in anisotropic media were illustrated when plane waves are propagating in a unidirectionally reinforced composite materials. When plane waves are propagating in nonsymmetric directions in a symmetric plane, deviation angles between the wave vector and the energy vector were found from finite element analyses and the results agreed well with analytical calculations.
Pollock, Gerry D.;Zak, Adam R.;Hilton, Harry H.;Ahmad, M. Fouad
Structural Engineering and Mechanics
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제3권1호
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pp.91-103
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1995
An analysis to determine shear centers for anisotropic elastic thin-walled composite beams, cantilevered and loaded transversely at the free end is presented. The shear center is formulated based on familiar strength of material procedures analogous to those for isotropic beams. These procedures call for a balancing of torsional moments on the cross sectional surface and lead to a condition of zero resultant torsional couple. As a consequence, due the presence of anisotropic coupling, certain non-classical effects are manifested and are illustrated in two example problems. The most distinguishing result is that twisting may occur for composite beams even if shear forces are applied at the shear center. The derived shear center locations do not depend on any specific anisotropic bending theories per se, but only on the values of bending and shear stresses which such theories produce.
Kim, Munsung;Moon, Seongin;Kang, To;Kim, Kyongmo;Song, Sung-Jin;Suh, Myungwon;Suhr, Jonghwan
Nuclear Engineering and Technology
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제53권6호
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pp.1846-1857
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2021
Ultrasonic nondestructive testing is important for monitoring the structural integrity of dissimilar metal welds (DMWs) in pressure vessels and piping in nuclear power plants. However, there is a low probability of crack detection via inspection of DMWs using ultrasonic waves because the grain structures (grain orientations) of the weld area cause distortion and splitting of ultrasonic beams propagating in anisotropic media. To overcome this issue, the grain orientation should be known, and a precise ultrasonic wave simulation technique in anisotropic media is required to model the distortion and splitting of the waves accurately. In this study, a method for nondestructive prediction of the DMW grain orientations is presented for accurate simulation of ultrasonic wave propagation behavior in the weld area. The ultrasonic wave propagation behavior in anisotropic media is simulated via finite-element analysis when ultrasonic waves propagate in a transversely isotropic material. In addition, a methodology to predict the DMW grain orientation is proposed that employs a simulation technique for ultrasonic wave propagation behavior calculation and an optimization technique. The simulated ultrasonic wave behaviors with the grain orientations predicted via the proposed method demonstrate its usefulness. Moreover, the method can be used to determine the focal law in DMWs.
석유와 가스 등 지하자원 탐사를 위한 탄성파 탐사자료의 처리 및 해석에 있어서 이방성에 대한 연구는 매우 중요하다. 중합 및 구조보정 등 자료처리과정에 필요한 탄성파 속도를 등방성이라고 가정하였으나 실제 지하지질의 속도구조는 이방성을 가지는 경우를 흔히 볼 수 있는데, 특히 셰일층 또는 파쇄 및 절리 등 균열이 발달된 탄산염 저류층에서 이방성 특성을 찾아볼 수 있다. 본 연구에서는 합성수지인 베이클라이트로 만든 VTI매질을 대상으로 탄성파 축소모형실험을 이용하여 탄성파 이방성에 대한 연구를 수행하였다. 탄성파 모형실험에서 등방성 재료는 입사각의 변화에도 불구하고 속도가 항상 일정하지만, 이방성 매질의 경우 측정 방향 및 입사각에 따라 탄성파 P파 및 S파의 속도가 변화하였다. 측정된 탄성파 속도는 군속도로 추정되며 군속도로부터 구한 탄성계수를 이용하여 이방성계수인 ${\varepsilon}$, ${\delta}$, ${\gamma}$를 성공적으로 파악할 수 있었다. 이방성매질에서는 이론적으로 계산된 위상속도와 측정된 탄성파속도는 비교적 잘 일치하였으며, 또한 qP, qS, SH파의 위상속도를 slowness surface에서 나타내면 측정 매질에 대한 이방성 특성이 잘 표현되었다. S파의 경우 매질과 송수신기의 측정 방향에 따라 서로 다른 두 개의 횡파가 분극특성을 나타내며 전파됨을 확인할 수 있었다.
본 연구에서는 특성근이 같은 같은 경우의 기본해 유도에서 사용하였던 상사 방법을 이용하여, 균열끝 부근의 응력장과 변위장을 나타내고자 한다. 위의 해석을 바탕으로 개발한 프로그램의 정도에 대하여 검증하고, 이 프로그램을 복합재료 내의 균열 문제에 응용하여 응력확대계수에 관한 자료를 계산하고, 그 유용성을 검토하고자 한다.
Recently, electric vehicles and hybrid cars are being promoted as alternatives to reduce automobile emissions. Generally, thin sheet materials such as aluminum alloy AA300X and cold-rolled steel sheet such as JIS-G-3141 are used for the container for the lithium-ion secondary batteries. In this study, a multi-stage deep drawing process is used to produce a rectangular cup from thin stainless steel sheet material, SUS409L, with an initial blank thickness of 0.4mm for the battery container application. Numerical simulations of the first through the fifth stages for the multi-stage deep drawing with thin SUS409L sheet were conducted using LS-Dyna3D Implicit/Explicit. Special consideration was given to the deformation characteristics due to the normal anisotropy of the sheet material. The numerical simulations were conducted with both isotropic properties and the anisotropic properties of the initial blank material. An unexpected forming failure, barreling in the bottom region of the deep drawn rectangular cup, was observed. This failure mode can be avoided by additional ironing thickness control during the process.
Reactive Ion Etching(RIE) of Si$_{3}$N$_{4}$ in a CF$_{4}$/O$_{2}$ gas plasma exhibits such good anisotropic etching properties that it is widely employed in current VLSI technology. However, the RIE process can cause serious damage to the silicon surface under the Si$_{3}$N$_{4}$ layer. When an atmospheric pressure chemical vapor deposited(APCVD) SiO$_{2}$ layer is used as a etch-stop material for Si$_{3}$N$_{4}$, it seems inevitable to get a good etch selectivity of Si$_{3}$N$_{4}$ with respect to SiO$_{2}$. Therefore, we have undertaken thorough study of the dependence of the etch rate of Si$_{3}$N$_{4}$ plasmas on $O_{2}$ dilution, RF power, and chamber pressure. The etch selectivity of Si$_{3}$N$_{4}$ with respect to SiO$_{2}$ has been obtained its value of 2.13 at the RF power of 150 W and the pressure of 110 mTorr in CF$_{4}$ gas plasma diluted with 25% $O_{2}$ by flow rate.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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