• Title/Summary/Keyword: Analog CMOS

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WCDMA 베이스밴드단 전류모드 아날로그 필터 설계 (Design of a Current-Mode Analog Filter for WCDMA Baseband Block)

  • 김병욱;방준호;조성익;최석우;김동용
    • 전기학회논문지P
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    • 제57권3호
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    • pp.255-259
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    • 2008
  • In this paper, a current-mode integrator for low-voltage, low-power analog integrated circuits is presented. Using the proposed current-mode integrator, the baseband analog filter is designed for WCDMA wireless communication. To verify the proposed current-mode integrator circuit, Hspice simulation using 1.8V TSMC $0.18{\mu}m$ CMOS parameter is performed and achieved 44.9dB gain, 15.7MHz unity gain frequency. The described 3rd-order current-mode baseband analog filter is composed of the proposed current-mode integrator, and SFG(Signal Flow Graph) method is used to realize the baseband filter. The simulated results show 2.12MHz cutoff frequency which is suitable for WCDMA baseband block.

저잡음 CMOS 이미지 센서를 위한 10㎛ 컬럼 폭을 가지는 단일 비트 2차 델타 시그마 모듈레이터 (A Single-Bit 2nd-Order Delta-Sigma Modulator with 10-㎛ Column-Pitch for a Low Noise CMOS Image Sensor)

  • 권민우;천지민
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제13권1호
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    • pp.8-16
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    • 2020
  • 본 논문에서는 polymerase chain reaction (PCR) 응용에 적합한 저잡음 CMOS 이미지 센서에 사용되는 컬럼-패러럴 analog-to-digital converter (ADC) 어레이를 위한 cascaded-of-integrator feedforward (CIFF) 구조의 단일 비트 2차 델타-시그마 모듈레이터를 제안하였다. 제안된 모듈레이터는 CMOS 이미지 센서에 입사된 빛의 신호에 해당하는 픽셀 출력 전압을 디지털 신호로 변환시키는 컬럼-패러럴 ADC 어레이를 위해 하나의 픽셀 폭과 동일한 10㎛ 컬럼 폭 내에 2개의 스위치드 커패시터 적분기와 단일 비트 비교기로 구현하였다. 또한, 모든 컬럼의 모듈레이터를 동시에 구동하기 위한 주변 회로인 비중첩 클록 발생기 및 바이어스 회로를 구성하였다. 제안된 델타-시그마 모듈레이터는 110nm CMOS 공정으로 구현하였으며 12kHz 대역폭에 대해 418의 oversampling ratio (OSR)로 88.1dB의 signal-to-noise-and-distortion ratio (SNDR), 88.6dB의 spurious-free dynamic range (SFDR) 및 14.3비트의 effective-number-of-bits (ENOB)을 달성하였다. 델타 시그마 모듈레이터의 면적 및 전력 소비는 각각 970×10 ㎛2 및 248㎼이다.

아날로그/디지탈 회로 구성에 쓰이는 BCDMOS소자의 제작에 관한 연구 (A Study on the Analog/Digital BCDMOS Technology)

  • 박치선
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제26권1호
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    • pp.62-68
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    • 1989
  • 본 논문에서는 아날로그/디지탈 회로 구성시 입출력부는 바이폴라 소자로 내부의 논리회로 부분은 CMOS 소자로 높은 내압을 요구하는 부분에는 DMOS 소자를 이용할 수 있는, BCDMOS 공정 기술개발을 하고자 하였다. BCDMOS 제작 공정은 폴리게이트 p-well CMOS 공정을 기본으로 하였고, 소자설계의 기본개념은 공정흐름을 복잡하지 않게 하면서 바이폴라, CMOS, DMOS 소자 각각의 특성을 좋게하는데 두었다. 실험결과로서 바이폴라 npn 트랜지스터의 $h_{FE}$ 특성은 320(Ib-$10{\mu}A$)정도이며, CMOS 소자에서는 n-채자에서는 항복전압이 115V이상의 특성을 얻을 수 있었다.

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CCD 영상센서를 위한 CMOS 아날로그 프론트 엔드 (CMOS Analog-Front End for CCD Image Sensors)

  • 김대정;남정권
    • 전기전자학회논문지
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    • 제13권1호
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    • pp.41-48
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    • 2009
  • 본 논문은 고성능 이미지 센서인 CCD 시스템에서 전체 시스템의 성능을 좌우하는 아날로그 프론트 엔드(analog-front end, AFE)를 영상신호처리 유닛과 함께 SoC로써 구현한 설계에 관한 것이다. 데이터의 전송속도가 빨라짐에 따라 데이터 샘플링의 불확실성을 낮추었으며, $0{\sim}36\;dB$의 높은 이득을 가지는 지수함수적인 가변 이득단의 대역폭을 구현하기 위한 구조 및 증폭기의 정밀도를 높이기 위한 기생 커패시턴스에 둔감한 커패시터 배열을 개발하였다. 또한, 블랙-레벨 상쇄를 위한 아날로그 및 디지털 영역에서의 이중 블랙 레벨 상쇄를 효과적으로 구현하였다. 제안된 구조를 $0.35-{\mu}m$ CMOS 공정으로 구현하였으며, 10-bit 해상도의 전체 CCD 카메라 시스템에 적용하여 그 동작을 검증하였다. 제안한 AFE는 3.3 V 공급전압 및 15 MHz의 데이터 전송속도에서 80 mA를 소모하였다.

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고속 . 저전력 CMOS 아날로그-디지탈 변환기 설계 (A Design of CMOS Analog-Digital Converter for High-Speed . Low-power Applications)

  • 이성대;홍국태;정강민
    • 한국정보처리학회논문지
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    • 제2권1호
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    • pp.66-74
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    • 1995
  • 이 논문에서는 고속 저전력 분야에 적용하기 위한 8비트, 15MHz A/D 변환기 설계 에 관해 기술한다. 2단 플래시 방식인 서브레인징 구조 A/D 변환기에서 칩 면적을 줄 이기 위해 저항의 수를 감소시킨 전압분할 회로를 설계하였다. 비교기는 80 dB의 이득, 50 MHz의 대역폭, 오프셋 전압이 0.5mV이고, 전압분할 회로의 최대오차는 1mV이다. 설계된 A/D변환기는 +5/-5V 공급 전압에 대해 전력소비가 150mW, 지연시간이 65ns 이다. A/D 변환기는 N-well공정을 이용하여 설계하고, 제작하였다. 제안된 변환기는 고속, 저전력, 소형 단일 칩 아날로그-디지탈 혼합 시스템 응용에 적합하다. 시뮬레이 션은 PSPICE를 이용하여 수행하였고, 1차 가공된 칩을 데스트 하였다.

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Twin-well Non-epitaxial CMOS Substrate에서의 노이즈 분석을 위한 Substrate Resistance 및 Guard-ring 모델링 (A Substrate Resistance and Guard-ring Modeling for Noise Analysis of Twin-well Non-epitaxial CMOS Substrate)

  • 김봉진;정해강;이경호;박홍준
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제44권4호
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    • pp.32-42
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    • 2007
  • [ $0.35{\mu}m$ ]twin-well non-epitaxial CMOS 공정에서의 substrate noise에 의한 아날로그 회로의 성능 저하를 예측하기 위하여 substrate 저항을 모델링하였다. Substrate 저항 모델 방정식은 P+ guard-ring isolation에 적용되어 측정값과 일치함을 확인하였다. Substrate 저항을 네 가지 형태로 구분하고 각각에 대하여 semi-empirical 모델 방정식을 확립하여, 측정값과 비교하여 rms 오차가 10% 미만이 되었다. 이 substrate 저항 모델을 guard-ring에 의한 isolation 구조에 적용하기 위하여 모델 방정식과 ADS(Advanced Design System) 회로 시뮬레이션에 의한 결과와 Network Analyzer의 측정 결과를 비교하였고, 비교적 잘 일치함을 확인하였다.

Expandable Flash-Type CMOS Analog-to-Digital Converter for Sensor Signal Processing

  • Oh, Chang-Woo;Choi, Byoung-Soo;Kim, JinTae;Seo, Sang-Ho;Shin, Jang-Kyoo;Choi, Pyung
    • 센서학회지
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    • 제26권3호
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    • pp.155-159
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    • 2017
  • The analog-to-digital converter (ADC) is an important component in various fields of sensor signal processing. This paper presents an expandable flash analog-to-digital converter (E-flash ADC) for sensor signal processing using a comparator, a subtractor, and a multiplexer (MUX). The E-flash ADC was simulated and designed in $0.35-{\mu}m$ standard complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology. For operating the E-flash ADC, input voltage is supplied to the inputs of the comparator and subtractor. When the input voltage is lower than the reference voltage, it is outputted through the MUX in its original form. When it is higher than the reference voltage, the reference voltage is subtracted from the input value and the resulting voltage is outputted through the MUX. Operation of the MUX is determined by the output of the comparator. Further, the output of the comparator is a digital code. The E-flash ADC can be expanded easily.

12 비트 100 MHz CMOS 디지털/아날로그 변환기의 설계 (Design of A 12-Bit 100-MHz CMOS Digital-to-Analog Converter)

  • 이주상;최일훈;김규현;유상대
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2002년도 합동 추계학술대회 논문집 정보 및 제어부문
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    • pp.609-612
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    • 2002
  • In this paper, a 12-bit 100-MHz CMOS current steering digital-to-analog converter is designed. In the D/A converter, a driver circuit using a dynamic latch is implemented to obtain low glitch and thermometer decoder is used for low DNL errors, guaranteed monotonicity, reduced stitching noise. And a threshold voltage-compensated current source. The D/A converter is designed with 0.35-$\mu m$ CMOS technology at 3.3 V power supply and simulated with HSPICE. The maximum power dissipation of the designed DAC is 143 mW.

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높은 선형성을 가진 3 V 10b 영상 신호 처리용 CMOS D/A 변환기 설계 (A Design of a Highly Linear 3 V 10b Video-Speed CMOS D/A Converter)

  • 이성훈;전병렬;윤상원;이승훈
    • 전자공학회논문지C
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    • 제34C권6호
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    • pp.28-36
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    • 1997
  • In this work, a highly linear video-speed CMOS current-mode digital-to-analog converter (DAC) is proposed. A newswitching scheme for the current cell matrix of the DAC simultaneously reduces graded and symmetrical errors to improve integral nonlinearities (INL). The proposed DAC is designed to operate at any supply voltage between 3V and 5V, and minimizes the glitch energy of analog outputs with degliching circuits developed in this work. The prototype dAC was implemented in a LG 0.8um n-well single-poly double-metal CMOS technology. Experimental results show that the differential and integral nonlinearities are less than .+-. LSB and .+-.0.8LSB respectively. The DAC dissipates 75mW at a 3V single power supply and occupies a chip area of 2.4 mm * 2.9mm.

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저전압용 CMOS 연산 증폭기를 위한 전력 최소화 기법 및 그 응용 (A power-reduction technique and its application for a low-voltage CMOS operational amplifier)

  • 장동영;이용미;이승훈
    • 전자공학회논문지C
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    • 제34C권6호
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    • pp.37-43
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    • 1997
  • In this paper, an analog-domain powr-reduction technique for a low-voltage CMOS operational amplifier and its application to clock-based VLSI systems are proposed. The proposed technique cuts off the bias current of the op amp during a half cycle of the clock in the sleeping mode and resumes the curent supply sequentially during the remaining cycle of the clock in the normal operating mode. The proposed sequential sbiasing technique reduces about 50% of the op amp power and improves the circuit performance through high phase margin and stable settling behavior of the output voltage. The power-reduction technique is applied to a sample-and-hold amplifier which is one of the critical circuit blocks used in the front-end stage of analog and/or digital integrated systems. The SHA was simulated and analyzed in a 0.8.mu.m n-well double-poly double-metal CMOS technology.

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