• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.675-678
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• 2003

본 논문에서는 N-type 기판에서 Nickel-Silicide를 적용하였을 경우에 나타나는 문제점과 PAI (Pre-amorphization Implant)의 효과에 대하여 알아보았다. N-type 기판에 RTP (Rapid Thermal Process)를 통하여 Nickel-Silicide 를 형성하게 되는데, 여기까지는 안정한 Nickel mono-Silicide (NiSi)가 형성됨을 확인하였다. 하지만 후속 열처리 공정 후 심한 응집 현상 (Agglomeration)과 이상 산화 현상 (Abnormal Oxidation Phenomenon), Silicide Island 등 열안정성 (Thermal Stability) 측면에서 여러 가지 많은 문제점들이 나타났다. 이 후속 열처리의 열안정성 취약점들을 극복하는 방안으로 Ge 및 N₂ PAI를 적용하였다. PAI를 적용하였을 경우에는 그렇지 않은 경우에 비하여 고온 열처리 후에도 면저항이 비교적 잘 유지되었으며, 두께가 얇고 안정한 Nickel-Silicide 특성을 확보할 수 있었다. 특히 Ge PAI 에 비하여 N₂ PAI 의 경우가 보다 특성 개선 효과가 크게 나타났다.

• 한국재료학회지
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• 제6권8호
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• pp.796-800
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• 1996

질소가스 분위기 중에서 Cu30V70 및 Fe30Cr70 혼합분말을 기계적 합금화 (MA)처리한 결과, 두 합금계에서 비정질화가 관찰되었다. 결정질에서 비정질상으로의 구조변화 과정을 Xtjs 회절 및 중성자 회절법에 의해 관찰되었다. 결정질에서 비정질상으로의 구조변화 과정을 X선 회절 및 중성자 회절법에 의해 관찰하였다. 그 결과, 이 합금계에서의 비정질화는 각 결정구조에서 전형적으로 존재하는 8면체 unit가 선택적으로 붕괴되어 4면체 unit로 변화되어 가는 과정임을 알 수 있었다. 또한, 중성자회절 결과로부터 질소원자는 금속원자로 이루어진 4면체의 중심에 위치하고 있음을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제24권11호
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• pp.632-638
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• 2014

We investigated the effects of DMAB (Borane dimethylamine complex, C2H10BN) in electroless Ni-B film with addition of DMAB as reducing agent for electroless Ni plating. The electroless Ni-B films were formed by electroless plating of near neutral pH (pH 6.5 and pH 7) at $50^{\circ}C$. The electroless plated Ni-B films were coated on screen printed Ag pattern/PET (polyethylene terephthalate). According to the increase of DMAB (from 0 to 1 mole), the deposition rate and the grain size of electroless Ni-B film increased and the boron (B) content also increased. In crystallinity of electroless Ni-B films, an amorphization reaction was enhanced in the formation of Ni-B film with an increasing content of DMAB; the Ni-B film with < 1 B at.% had a weak fcc structure with a nano crystalline size, and the Ni-B films with > 5 B at.% had an amorphous structure. In addition, the Ni-B film was selectively grown on the printed Ag paste layer without damage to the PET surface. From this result, we concluded that formation of electroless Ni-B film is possible by a neutral process (~green process) at a low temperature of $50^{\circ}C$.

• 한국지구과학회지
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• 제35권6호
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• pp.401-411
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• 2014

Au 정광으로부터 Au Ag의 용출율을 향상시키기 위하여 기계적-화학적 활성화와 티오요소-티오시안산염 혼합용액을 적용하였다. 기계적-화학적 활성화를 이루기 위하여 정광 시료를 건식으로 그리고 습식으로 미분쇄하였다. 입도분포 분석과 XRD 분석 결과, 평균 입도 크기와 결정크기는 정광 시료보다 건식-시료에서 그리고 건식-시료보다 습식-시료에서 더 작게 나타났다. SEM과 XRD 분석 결과 기계적-화학적 활성화에 의해서 습식-시료에서 비정질화 현상이 관찰되었다. Au Ag에 대한 용출실험을 티오요소 용액, 티오시안산염 용액 그리고 티오요소-티오시안산염 혼합 용액으로 각각 수행하였다. Au Ag 용출율은 정광 시료보다 건식-시료에서 그리고 건식-시료보다 습식-시료에서 더 높게 나타났다. Au Ag는 티오요소 용액에서 보다 티오시안산염 용액에서 그리고 티오시안산염 용액에서보다 티오요소-티오시안산염 혼합 용액에서 더 높게 용출되었다. 습식-시료와 티오요소-티오시안산염 혼합 용액을 적용할 때 Au Ag가 99% 이상으로 용출되었다.

• 한국재료학회지
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• 제10권1호
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• pp.29-33
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• 2000

비정질 WNx 박막이 반응성 스퍼터링법으로 제조되었다. 비정질 형성을 위한 질소의 농도범위는 10~40at%이었다. 비정질 W(sub)67N(sub)33 박막은 1273K에서 1분 동안 급속 열처리되어 저항이 낮은 등축정의 $\alpha$-텅스텐 상과 과잉의 질소로 변태되었다. 이러한 박막의 저항은 순수한 텅스텐 박막과 유사하였다. $\alpha$-텅스텐 상으로부터 방출된 과잉의 질소는 $\alpha$-텅스텐/다결정 실리콘의 계면에 편석되었다. 편석된 질소는 Si$_3$N$_4$나노 결정으로 균일한 확산 장벽층을 형성시켰고, 저항이 높은 텅스텐 실리사이드의 반응을 억제하였다.

• 한국재료학회지
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• 제9권8호
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• pp.787-791
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• 1999

기계적합금법으로 Ti와 B의 혼합분말로부터 $TiB_2$분말을 제조하였고, Zr과 Ta의 Ti 치환 효과를 조사하였다. (Ti+B)의 혼합분말을 280시간 분쇄하여 $TiB_2$단일상을 얻었고 기계적합금화 도중 비정질상은 관찰되지 않았다. Ti의 일부를 원자반경이 Ti보다 큰 Zr으로 치환한 결과 기계적합금화에 걸리는 시간이 크게 감소한 반면에, 붕화물 생성열이 절대값이 $TiB_2$상보다 작은 Ta로 치환하면 280시간 분쇄하여도 단일상을 형성하지 못하였다.

• Carbon letters
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• 제27권
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• pp.18-25
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• 2018

In this study, graphene oxide(GO) was used as drug carriers to amorphize poorly watersoluble drugs via a co-spray drying process. Two poorly water-soluble drugs, fenofibrate and ibuprofen, were investigated. It was found that the drug molecules could be in the graphene nanosheets in amorphous or nano crystalline forms and thus have a significantly enhanced dissolution rate compared with the counterpart crystalline form. In addition, the dissolution of the amorphous drug enwrapped with the graphene oxide was higher than that of the amorphous drug in activated carbon (AC) even though the AC possessed a larger specific surface area than that of the graphene oxide. The amorphous formulations also remained stable under accelerated storage conditions ($40^{\circ}C$ and 75% relative humidity) for a study period of 14 months. Therefore, graphene oxide could be a potential drug carrier and amorphization agent for poorly water-soluble drugs to enhance their bioavailability.

• 한국재료학회지
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• 제10권9호
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• pp.624-628
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• 2000

표면 탄성과 디바이스의 전극재료로 사용되는 Al-%Cu(4000$\AA$)/tungsten nitride 박막을 magnetron sputtering 법으로 제조하고 전기저항을 평가한 비정질상의 tungsten nitride 박막을 제조할 수 있었고, 비정질 형성을 위해 질소비(R =$N_2$/(Ar+$N_2$)가 10~40% 정도 필요하다. Tungsten nitride 박막의 잔류응력은 비정질이 형성되면서 급격히 감소되었다. 이러한 비정질 박막위에 Al-1%Cu 합금막이 형성되었다. 다층막은 453K에서 4시간 동안 열처리함으로써 $3.6{\mu}{\Omega}-cm$의 저항을 나타냈는데, 이는 박막내 결정립 성장과 결함의 감소에 기인하였다.

• 한국분말재료학회지
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• 제16권5호
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• pp.363-369
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• 2009

The amorphization process and the thermal properties of amorphous Ti$_{40}$Cu$_{40}$Ni$_{10}$Al$_{10}$ powder during milling by mechanical alloying were examined by X-ray diffractometry (XRD), differential scanning calorimetry (DSC), and transmission electron microscopy (TEM). The chemical composition of the samples was examined by an energy dispersive X-ray spectrometry (EDX) facility attached to the scanning electron microscope (SEM). The as-milled powders showed a broad peak (2$\theta$ = 42.4$^{\circ}$) with crystalline size of about 5.0 nm in the XRD patterns. The entire milling process could be divided into three different stages: agglomeration (0 < t$_m$ $\leq$ 3 h), disintegration (3 h < t$_m$ $\leq$ 20 h), and homogenization (20 h < t$_m$ $\leq$ 40 h) (t$_m$: milling time). In the DSC experiment, the peak temperature T$_p$ and crystallization temperature T$_x$ were 466.9$^{\circ}C$ and 444.3$^{\circ}C$, respectively, and the values of T$_p$, and T$_x$ increased with a heating rate (HR). The activation energies of crystallization for the as-milled powder was 291.5 kJ/mol for T$_p$.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.163-163
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• 1999

MOSFET, MESFET 그리고 MODFET는 Logic ULSIs, high speed ICs, RF MMICs 등에서 중요한 역할을 하고 있으며, 그것의 gate electrode, contact, interconnect 등의 물질로는 refractory metal을 이용한 CoSi2, MoSi2, TaSi2, PtSi2, TiSi2 등의 효과를 얻어내고 있다. 그중 TiSi2는 비저항이 가장 낮고, 열적 안정도가 좋으며 SAG process가 가능하므로 simpler alignment process, higher transconductance, lower source resistance 등의 장점을 동시에 만족시키고 있다. 최근 소자차원이 scale down 됨에 따라 TiSi2의 silicidation 과정에서 C49 TiSi2 phase(high resistivity, thermally unstable phase, larger grain size, base centered orthorhombic structure)의 출현과 그것을 제거하기 위한 노력이 큰 issue로 떠오르고 있다. 여러 연구 결과에 따르면 PAI(Pre-amorphization zimplantation), HTS(High Temperature Sputtering) process, Mo(Molybedenum) implasntation 등이 C49를 bypass시키고 C54 TiSi2 phase(lowest resistivity, thermally stable phase, smaller grain size, face centered orthorhombic structure)로의 transformation temperature를 줄일 수 있는 가장 효과적인 방법으로 제안되고 있지만, 아직 그 문제가 완전히 해결되지 않은 상태이며 C54 nucleation에 대한 physical mechanism을 밝히진 못하고 있다. 본 연구에서는 증착 시 기판온도의 변화(400~75$0^{\circ}C$)에 따라 silicon 위에 DC/RF magnetron sputtering 방식으로 Ti/Si film을 각각 제작하였다. 제작된 시료는 N2 분위기에서 30~120초 동안 500~85$0^{\circ}C$의 온도변화에 따라 RTA법으로 각각 one step annealing 하였다. 또한 Al을 cosputtering함으로써 Al impurity의 존재에 따른 영향을 동시에 고려해 보았다. 제작된 시료의 분석을 위해 phase transformation을 XRD로, microstructure를 TEM으로, surface topography는 SEM으로, surface microroughness는 AFM으로 측정하였으며 sheet resistance는 4-point probe로 측정하였다. 분석된 결과를 보면, 고온에서 제작된 박막에서의 C54 phase transformation temperature가 감소하는 것이 관측되었으며, Al impuritydmlwhswork 낮은온도에서의 C54 TiSi2 형성을 돕는다는 것을 알 수 있었다. 본 연구에서는 결론적으로, 고온에서 증착된 박막으로부터 열적으로 안정된 phase의 낮은 resistivity를 갖는 C54 TiSi2 형성을 보다 낮은 온도에서 one-step RTA를 통해 얻을 수 있다는 결과와 Al impurity가 존재함으로써 얻어지는 thermal budget의 효과, 그리고 그로부터 기대할 수 있는 여러 장점들을 보고하고자 한다.