• Journal of Magnetics
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• 제12권1호
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• pp.21-26
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• 2007

Si-based electromagnetic noise suppressors on coplanar waveguide transmission lines incorporated with a $SiO_2$ dielectric layer and a nanogranular Co-Fe-Al-O magnetic thin film are reported. Unlike glass-based devices, large signal attenuation is observed even in the bare structure without coating the magnetic thin film. Much larger signal attenuation is achieved in fully integrated devices. The transmission scattering parameter ($S_{21}$) is as small as -90 dB at 20 GHz at the following device dimensions; the thicknesses of the $SiO_2$ and Co-Fe-Al-O thin films are 0.1 $\mu$m and 1 $\mu$m, respectively, the length of the transmission line is 15 mm, and the width of the magnetic thin film is 2000 $\mu$m. In all cases, the reflection scattering parameter ($S_{11}$) is below -10 dB over the whole frequency band. Additional distributed capacitance formed by the Cu transmission line/$SiO_2$/Si substrate is responsible for these characteristics. It is considered that the present noise suppressors based on the Si substrate are a first important step to the realization of MMIC noise suppressors.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2001년도 The IMAPS-Korea Workshop 2001 Emerging Technology on packaging
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• pp.95-99
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• 2001

Cu is considered as a promising alternative interconnection material to Al-based interconnection materials in Si-based integrated circuits due to its low resistivity and superior resistance to the electromigration. New humping and UBM material systems for solder flip chip interconnection of Cu pads were investigated using electroless-plated copper (E-Cu) and electroless-plated nickel (E-Ni) plating methods as low cost alternatives. Optimally designed E-Ni/E-Cu UBM bilayer material system can be used not only as UBMs for solder bumps but also as bump itself. Electroless-plated E-Ni/E-Cu bumps assembled using anisotropic conductive adhesives on an organic substrate is successfully demonstrated and characterized in this study

• 에너지공학
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• 제8권2호
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• pp.256-264
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• 1999

본 연구에서는 메탄의 부분산화반응에 미치는 base metal 의 영향을 살펴보기 위하여 6~l2wt%의 Mn, Cu, V, Co, Cr 그리고 Ba 등이 2 wt% Pt, 70 wt% Alumina, 28 wt% Ceria and Zirconia 와 함께 cordierite (2MgO.2Al$_2$O$_3$.5SiO$_2$)에 담지된 Pt-B/cordierite 촉매(B: base metal)를 사용하여 메탄의 부분산화반응 실험을 수행하였다. 메탄의 부분산화반응에 대한 활성은 Ba, Co그리고 Cr 담지 촉매는 Ni담지 촉매와 유사하게 Mn, Cu, V을 담지 했을 때 보다 우수한 것으로 나타났으나, 코크 생성에 대한 활성도 큰 것으로 나타났다. 또한 5wt% Ni/Al$_2$O$_3$촉매를 이용한 메탄의 부분산화반응 실험 후의 촉매에 대한 XRD 분석결과 Ni은 3가지 형태의 상으로 존재하는 것을 확인할 수 있었으며, 촉매층 전단에서는 주로 NiAl$_2$O$_4$와 NiO 형태로 존재하여 메탄의 산화반응이 일어나며, 그리고 촉매층 후단에서는 환원상태의 Ni로 존재는 것으로 보아 개질반응이 일어나는 것을 알 수 있었다.

• 열처리공학회지
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• 제9권2호
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• pp.103-111
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• 1996

In this paper, we studied on both electrochemical polarization behaviors and pitting characteristics of ultra high strength Al-Cu-Li-Mg-Ag-Zr alloys(named C1 and C2) and 2090 alloy according to their treatments in the deaerated 3.5% NaCl, using by the potentiodynamic and the potentiostatic method, SEM micrograph and surface roughness including depth of pitting attack. With the cyclic polarization curves, the hysteresis of the C1 and C2 alloys appeared more remarkably than that of the 2090 alloy, because of precipitation microstructural difference between C1, C2 alloys and 2090 alloy. In the pitting experiments, the correlations between pitting growth and aging conditions were analyzed with the SEM micrograph and measurement of the pit depth.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제10권4호
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• pp.39-46
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• 2003

플립칩용으로 Sn-Cu 공정 솔더 범프를 전해도금을 이용하여 제조하고 특성을 연구하였다. Si 웨이퍼 위에 UBM(Under Bump Metallization)으로 Al(400 nm)/Cu(300 nm)/Ni(400 nm)/Au(20 nm)를 전자빔 증착기로 증착하였다. 전류밀도가 1 A/d$\m^2$에서 8 A/d$\m^2$으로 증가함에 따라 Sn-Cu 솔더의 도금속도는 0.25 $\mu\textrm{m}$/min에서 2.7 $\mu\textrm{m}$/min으로 증가하였다. 이 전류밀도의 범위에서 전해도금된 Sn-Cu 도금 합금의 조성은 Sn-0.9∼1.4 wt%Cu의 거의 일정한 상태를 유지하였다. 도금 전류밀도 5 A/d$\m^2$, 도금시간 2hrs, 온도 $20^{\circ}C$의 조건에서 도금하였을 때, 기둥 직경 약 120 $\mu\textrm{m}$인 양호한 버섯 형태의 Sn-Cu 범프를 형성할 수 있었다. 버섯형 도금 범프를 $260^{\circ}C$에서 리플로우 했을 때 직경 약 140 $\mu\textrm{m}$의 구형 범프가 형성되었다. 화학성분의 균일성을 분석한 결과 버섯형 범프에서 존재하던 범프내 Sn 등 성분 원소의 불균일성은 구형 범프에서는 상당 부분 해소 되었다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2003년도 somma/kms meeting
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• pp.334-334
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• 2003

• 한국신뢰성학회:학술대회논문집
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• 한국신뢰성학회 2002년도 정기학술대회
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• pp.117-120
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• 2002

The addition of minor alloying elements such as Al, Si, Mg, Cr, Zr, and Sn changed the microstructure and the oxidation characteristics of the Cu-40%Zn alloys. Detailed microstructure, scale morphology and the oxidation mechanism were described.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2002년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.39.2-39
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• 2002

• 한국세라믹학회지
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• 제28권3호
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• pp.243-251
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• 1991

High-Tc YBa2Cu3O7-x superconducting thin films have been prepared by single-target off-axis RF magnetron sputtering. Optimal ratio of Y : Ba : Cu of the single-target was determined as 1 : 1.65 : 3.35 in order to obtain the stoichiometric films. Tc, crystalline phase, and microstructures of the surface and cross-section of the ex-situ YBa2Cu3O7-x thin films on MgO(100) had a Tc, zero of 80K, and the films on LaAlO3/Si had a Tc, on-set of 90 K and a Tc, zero of 70 K.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2015년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.155-156
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• 2015

최근 자동차 및 항공기의 경량화 관련하여 알루미늄 합금의 필요성이 높아지고 있으나, 자동차재료에 쓰이는 알리미늄 합금의 경우 높은 이온화 경향 때문에 Fe, Cu, Pb 등과 접촉하면 쉽게 부식되는 단점이 있다. 본 연구에서는 기존의 Magsimal-59 샘플과 본 연구에서 개발한 고용질, 저용질 Duplex 알루미늄 합금과의 내식성을 분극 및 갈바닉을 통해 확인하고, 균질화처리를 통해 내식성을 개선한다.