• 한국안전학회지
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• 제14권3호
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• pp.93-100
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• 1999

Decomposition efficiency, power consumption, and applied voltage of CFC(Chlorofluorocatbon) were investigated by SPCP(surface induced discharge plasma chemical processing) reactor to obtain optimum process variables and maximum decomposition efficiencies. Decomposition efficiency of CFC-12 with various electric frequencies(5~50kHz). flow rates (100~1,000mL/min), initial concentrations(100~1,000ppm), electrode materials(W, Cu, Al). electrode thickness(1, 2, 3mm) and reference gases($N_2$, $O_2$, air) were measured and the products were analyzed with FT-IR. Experimental results showed that at the frequency of 10kHz, the highest decomposition efficiency of 92.7% for CFC-12 were observed at the power consumptions of 29.6W. respectively, and that decomposition efficiency decreased with increasing frequency above 20kHz and decomposition efficiency per unit power were 3.13%/W for CFC-12. Decomposition efficiency was increased with increasing residence times and with decreasing initial concentration of pollutants. Decomposition efficiency was increased with increasing thickness of discharge electrode and the highest decomposition efficiency was obtained for the electrode diameter of 3m. As the electrode material, decomposition efficiency was in order that tungsten(W), copper(Cu), aluminum (Al). Decomposition of CFC-12 in the reference gas of $N_2$ showed the highest efficiency among three reference gases, and then the effect of reference gas on the decomposition efficiency decreased in order of air and $O_2$. The optimum power for the maximum decomposition efficiency was 25.3W for CFC.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권3호
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• pp.1-9
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• 2003

본 연구에서는 1-단자 표면탄성파 공진기를 적용한 사다리형 구조 필터에 대한 전극 두께, 공진기의 반사기 하중 및 정적 정전용량비에 따른 주파수 응답특성의 고찰이 이루어졌으며, 최적화된 매개변수를 이용하여 송신 및 수신단용 RF 필터를 제작하였다. 제작된 필터는 800㎒ 대역 이동통신 시스템에 적용 가능하며, 외부회로에 의한 임피던스 정합이 필요하지 않다. 36°LiTaO₃ 압전기판 위에 Al-Cu(W 3%) 전극을 형성하여 제작하였으며, 3.8㎜×3.8㎜×1.5㎜세라믹 패키지에 실장되었다. 통과대역(25 ㎒)에서의 최소 삽입손실은 2.3 dB, 3-dB 대역폭은 약 33 ㎒, 통과대역 리플은 0.5 dB 미만이며, 약 30 dB 이상의 저지대역 감쇄를 확보할 수 있었다. 또한, 제작된 RF 필터의 내전력성 및 온도 변화에 따른 주파수 응답특성 실험을 통해 약 3.5 W의 내전력성과 -20℃∼80℃에서 최대 0.09 dB/℃의 3-dB 삽입손실 변화를 측정할 수 있었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권1호
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• pp.24-27
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• 2014

In this study, the effects of Mn-doping and the electrode materials on the memory characteristics of $ZnO_xS_{1-x}$ resistive random access memory (ReRAM) devices on plastic are investigated. Compared with the undoped Al/$ZnO_xS_{1-x}$/Au and Al/$ZnO_xS_{1-x}$/Cu devices, the Mn-doped ones show a relatively higher ratio of the high resistance state (HRS) to low resistance state (LRS), and narrower resistance distributions in both states. For the $ZnO_xS_{1-x}$ devices with bottom electrodes of Cu, more stable conducting filament paths are formed near these electrodes, due to the relatively higher affinity of copper to sulfur, compared with the devices with bottom electrodes of Au, so that the distributions of the set and reset voltages get narrower. For the Al/$ZnO_xS_{1-x}$/Cu device, the ratio of the HRS to LRS is above $10^6$, and the memory characteristics are maintained for $10^4$ sec, which values are comparable to those of ReRAM devices on Si or glass substrates.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2006년도 춘계종합학술대회
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• pp.878-881
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• 2006

본 논문에서는 다양한 전극재료로부터 빛의 밝기와 저항을 측정하였고 분석하였다. 외부전극의 새로운 재료와 공정기술은 램프제작에서 개선된 특성을 위해서 매우 중요하다. 본 실험에서는 외부전극을 형성하기 위한 다른 세가지 타입은 구리와 알루미늄 테이핑, 은 접착, 니켈과 구리의 무전해 도금 방법들이다. 밝기측정에서 램프유리위에 외부전극을 위한 니켈과 금플레이팅 방법에 의한 휘도의 결과를 나타내었고 또한 다른 전극재료를 사용한 방법에 의한 결과들과 비교하였다. 니켈과 금플레이팅 공정의 측정된 저항값은 휘도의 개선된 결과에도 불구하고 다소 더 높은 저항값을 나타내었다. 그러나 니켈과 니켈/금 도금방법은 가장 좋은 결과를 나타내었고 사전 표면 식각에 따른 약간의 다른 휘도를 나타내었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권3호
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• pp.549-554
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• 2007

본 논문에서는 다양한 전극재료로부터 빛의 밝기와 저항을 측정분석 하였다. 외부전극의 새로운 재료와 공정기술은 램프제작에서 개선된 특성을 위해서 매우 중요하다. 본 실험에서는 외부 전극을 형성하기 위한 다른 세가지 타입은 구리와 알루미늄 테이핑, 은 접착, 니켈과 구리의 무전해 도금 방법들이다. 밝기측정에서 램프유리위에 외부 전극을 위한 니켈과 금 플레이팅 방법에 의한 휘도의 결과를 나타내었고, 또한 다른 전극재료를 사용한 방법에 의한 결과를 비교 하였다. 니켈과 금플레이팅 공정의 측정된 저항값은 휘도의 개선된 결과에도 불구하고 다소 높은 저항값을 나타내었다. 니켈과 니켈/금 도금방법은 가장 좋은 결과를 나타내었고, 사전 표면 식각에 따라 약간의 다른 휘도를 나타내었다.

• Journal of Electrochemical Science and Technology
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• 제10권1호
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• pp.82-88
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• 2019

Here, we report on nanocrystalline Si-Al-M (M = Fe, Cu, Ni, Zr) alloys for use as an anode for lithium-ion batteries, which were fabricated via a melt-spinning method. Based on the XRD and TEM analyses, it was found that the Si-Al-M alloys consist of nanocrystalline Si grains surrounded by an amorphous matrix phase. Among the Si-Al-M alloys with different metal composition, Ni-incorporated Si-Al-M alloy electrode retained the high discharge capacity of 2492 mAh/g and exhibited improved cyclability. The superior $Li^+$ storage performance of Si-Al-M alloy with Ni component is mainly responsible for the incorporated Ni, which induces the formation of ductile and conductive inactive matrix with crystalline Al phase, in addition to the grain size reduction of active Si phase.

• 한국기계가공학회지
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• 제2권2호
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• pp.98-105
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• 2003

In the experimental study, wire EDM was conducted for cold die steel by changing the Wire electrode, peak discharge current and number of finish cut. From the micro structure analysis of SEM photographs, the size of irregular welded and added component on the EDMed surface is decreasing and size of EDMed plane surface is increasing as the decreasing peak current and increasing number of finish cut. From the analysis of coating effect, Zn component is highly contained in Br and Zn Wire EDMed surface and copper component is highly contained in Br and Al wire EDMed surface. Hardness values are Increasing as the increasing peak current and decreasing the number of finish cut The value of hardness is decreasing as Cu, Al, Zn and Br wire electrode because of the residual austenite effect of solid solution copper on solidification, and finally EDMed surface has the highest hardness values for every wire electrode. Yield strength values becomes larger and bending strength values become smaller due to the increasing the hardness. These results are increased as increasing brittleness with hardness.

• 한국재료학회지
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• 제25권4호
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• pp.202-208
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• 2015

Alumina dispersion strengthening copper(ADSC) alloy has great potential for use in many industrial applications such as contact supports, frictional break parts, electrode materials for lead wires, and spot welding with relatively high strength and good conductivity. In this study, we investigated the oxidation behavior of ADSC alloys. These alloys were fabricated in forms of plate and round type samples by surface oxidation reaction using Cu-0.8Al, Cu-0.4Al-0.4Ti, and Cu-0.6Al-0.4Ti(wt%) alloys. The alloys were oxidized at $980^{\circ}C$ for 1 h, 2 h, and 4 h in ambient atmosphere. The microstructure was observed with an optical microscope(OM) and a scanning electron microscope(SEM) equipped with energy-dispersive X-ray spectroscopy(EDS). Characterization of alumina was carried out using a 200 kV field-emission transmission electron microscope(TEM). As a result, various oxides including Ti were formed in the oxidation layer, in addition to ${\gamma}$-alumina. The thickness of the oxidation layer increased with Ti addition to the Cu-Al alloy and with the oxidation time. The corrected diffusion equation for the plate and round type samples showed different oxidation layer thickness under the same conditions. Diffusion length of the round type specimen had a value higher than that of its plate counterpart because the oxygen concentration per unit area of the round type specimen was higher than that of the plate type specimen at the same diffusion depth.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제9권4호
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• pp.161-167
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• 1998

Ni/MH 2차전지의 음극용 금속간화합물전극의 부식특성에 미치는 합금원소와 결합제의 영향을 조사하였다. 전극의 재료는 $(LM)Ni_{4.49}Co_{0.1}Mn_{0.205}Al_{0.205}$와 $(LM)Ni_{3.6}Co_{0.7}Mn_{0.3}Al_{0.4}$의 $AB_5$ type합금을 모재로 하였다. 여기에 Si sealant 또는 PTFE를 결합제로 첨가한 것과 원재료 분말에 구리를 20% 무전해도금한 것을 냉간 압착하여 전극을 제조하였다. 부식특성을 조사하기위해 탈공기된 6M의 KOH 용액에서 동전위법과 순환전위법을 이용하여 부식전류와 전류밀도를 측정하였다. 모재에 Co가 많이 함유되면 전극의 내식성을 향상시키고 Ni이 많이 함유되면 충전과 방전을 반복하는 동안에 전극의 안정성을 저하시켰다. 부식전류밀도는 Si sealant를 결합제로 사용한 전극의 경우가 PTFE를 사용한 전극의 경우보다 낮았고 Cu가 도금된 전극은 내식성에서 가장 우수하게 나타났다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제14권1호
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• pp.61-68
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• 2007

임베디드 PCB 기판내 유전체 재료인 Atomic Layer Deposition(ALD) $Al_2O_3$ 박막과 전극재료인 스퍼터 증착된 Cu박막 사이의 계면접착력을 $90^{\circ}$ 필 테스트방법으로 측정하여 순수 빔 굽힘을 가정한 에너지 평형 해석을 통하여 계면파괴에너지를 구하였다. $Cu/Al_2O_3$의 계면파괴에너지(${\Gamma}$)는 매우 약하여 측정할 수 없었으나, 접착력 향상층 Cr 박막을 삽입하여 $Cr/Al_2O_3$의 계면파괴에너지는 $10.8{\pm}5.5g/mm$를 얻었다. $Al_2O_3$ 표면에 $0.123W/cm^2$ 의 power density로 2분간 $Ar^+$ RF 플라즈마 전처리를 하고 Cr박막을 삽입한 $Cr/Al_2O_3$ 계면파괴에너지는 $39.8{\pm}3.2g/mm$으로 매우 크게 증가하였는데, 이는 $Ar^+$ RF 플라즈마 전처리에 따른 mechanical interlocking효과와 Cr-O 화학결합 효과가 동시에 기여한 것으로 생각된다.