상온에서 PET 기판 위에 Mn-SnO2/Ag/Mn-SnO2 3중 다층막을 RF/DC 마그네트론 스파터링 방식으로 제조하였다. EMP 시뮬레이션 결과에 따라 Mn-SnO2의 막 두께는 40 nm, Ag 막 두께는 13 nm로 고정하였다. 550 nm 파장대역에서 측정한 3중막의 투과율은 82.9에서 88.1 % 범위였으며 면저항은 5.9에서 6.9 Ω/☐로 변화하였다. 가장 높은 성능지수(ϕTC)는 48.1 × 10-3 Ω-1로 나타났다. 곡률반경 4, 5 mm 조건에서 inner 밴딩과 out 밴딩의 굽힘시험을 10,000회 실시한 결과 Mn-SnO2/Ag/Mn-SnO2 3중막의 저항변화율은 약 1.5 %로 탁월한 기계적 유연성을 보였다.
The electrical contact characteristics including temperature rise, contact resistance and arc erosion rate of the $Ag-SnO_2$ materials with increased $SnO_2$ content were investigated during the repeated make-and-break operations. The thickness of arcing melting layer reduces by half and the arc erosion rate decreases more than 70% under 10000 times operations at AC 10 A with the $SnO_2$ content increasing from 15 wt.% to 45 wt.%, on one hand, temperature rise and contact resistance increase obviously but could be reduced to the same order of conventional $Ag-SnO_2$ materials by increasing the contact force. The microstructure evolution and the effect of $SnO_2$ on the arc erosion, contact resistance were analyzed.
한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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pp.163-164
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2011
본 연구에서는 Ag paste의 전도성 필러로 사용되는 Ag 파우더를 대체하고자 Ag-coated SnO 파우더가 합성되었다. Ag-coated SnO 파우더의 합성을 위해서는 (1) 균일한 SnO 파우더 합성, (2) SnO 파우더 위에 Ag 무전해도금 과정이 수행 되어야 한다. 본 발표에서는 무전해 도금과정 중 Ag입자의 초기 핵생성 및 성장 관점에서, SnO 파우더의 전처리 조건, 반응 온도 및 pH, 첨가되는 환원제 양의 효과가 조사되었다.
The properties of sintered Ag-SnO$_2$contacts which contain the second oxide were investigated with hardeness, workability, electrical conductivity and are erosion. Ag-SnO$_2$contacts containing ZnO or Bi$_2$O$_3$have most excellent workability and arc erosion endurance.
In this study, we investigated microstructure and the CO gas sensing properties of Ag-CuO-$SnO_2$ thin films prepared by co-evaporation and subsequently thermal oxidation at air atmosphere. The sensitivity of a Cu-Sn films, thermally oxidized at $600^{\circ}C$, is strongly affected by the amount of Cu. At Cu:7 wt%-Sn:93 wt%, the film exhibited a maximum sensitivity of ${\sim}2.3$ to CO gas of 1000 ppm at $300^{\circ}C$. In contrast, the sensitivity of a Sn-Ag film did not change significantly with the amount of Ag. An enhanced sensitivity of ${\sim}3.7$ was observed in the film with a composition of Ag:3 wt%-Cu:4 wt%-Sn:93 wt%, when thermally oxidized at $600^{\circ}C$. In addition, this thin film shows a response time of ${\sim}80$ sec and a recovery time of ${\sim}450$ sec to 1000 ppm CO gas. The results demonstrate that the CO sensitivity of the Ag-CuO-$SnO_2$ thin films may be closely associated with coexistence of $SnO_2$ and SnO phase, decrease in average particle size, and a porous microstructure. We also suggest that co-evaporation and followed by thermal oxidation is a very simple and effective method to prepare oxide gas sensor thin films.
전자접촉기의 연구에 있어서 접촉부의 소재 및 재질에 따른 아크소호를 중심으로 연구가 되고 있으나, 최근 직류기기의 활용과 고속처리가 요구됨에 따라 접촉기의 동작속도가 중요시되고 있다. 일반적으로 AgSnO2소재가 AgCdO보다 응답특성이 우수하다고 알려져 있으나, 소재 특성 차원에서 알려져 있다. 이에 본 논문에서는 전자접촉기의 완성품을 구성하여 AgSnO2소재와 AgCdO소재에 대하여 동작속도를 비교하도록 하였으며, 실험을 통해 검증하도록 하였다.
본 실험은 목적은 CRT(Cathode Ray Tube)용 청색 형광체인 ZnS:Ag 분말 표면에 액상법으로 SnO$_2$를 균일하게 코팅하는 공정조건을 연구하는 것이다. 용매로서 물을 사용하고, Sn의 공급물질로서 SnCl$_4$.4$H_2O$, 침전 촉매로서 CO(NH$_2$)$_2$를 각각 사용하여, 균일 침전 방법으로 ZnS:Ag 분말표면에 SnO$_2$를 코팅할 수 있었다. 초기에 첨가되는 SnCl$_4$.4$H_2O$의 량이 Sn/Zn의 몰비기준으로 0.017인 경우에 ZnS:Ag 분말표면에 Sn(OH)$_4$가 균일하게 코팅되지만, 그 이상 첨가되면 과량의 Sn(OH)$_4$가 입자들 사이에 응집되었다. 코팅된 Sn(OH)$_4$는 비정질 구조로 규명되었으며, 이를 SnO$_2$결정상으로 전이시키기 위하여 300~$700^{\circ}C$ 범위 내에서 열처리를 행하였다. 비정질 Sn(OH)$_4$는 20$0^{\circ}C$이하에서 탈수되었고 45$0^{\circ}C$부터 SnO$_2$로 결정화되기 시작하였다. 순수한 ZnS의 경우, 50$0^{\circ}C$이하에서는 상변화가 없으나, $600^{\circ}C$에서 일부 산화되었으며 $700^{\circ}C$에서는 완전히 ZnO로 산화되므로, ZnS의 산화방지 및 SnO$_2$의 결정화를 동시에 만족하는 최고 열처리온도는 50$0^{\circ}C$로 규명되었다. 그러나 ZnS에 SnO$_2$가 코팅된 시편의 경우에는 $600^{\circ}C$가 되어도 ZnS 상이 거의 산화되지 않았고, $700^{\circ}C$에서도 ZnS와 ZnO 상이 공존한 것으로 보아 SnO$_2$코팅이 ZnS의 산화를 억제하는 것으로 나타났다.
Contact materials are used in many electrical devices. Ag-Cd alloy has been widely used in electrical part, because Ag-Cd alloy has a good wear resistance and stable contact resistance. But nowadays Ag-Cd alloy isn't being used because of environmental challenges. Currently new research is being done on ($Ag-SnO_2$ and $Ag-SnO_2-In_2O_3$) as an alternative solution to fix any remainly environmental challenges. However $In_2O_3$ is more expensive and Ag-Sn alloy has low wear resistance. According to our research data Zn has a similar physical and chemical property. In this work, so we changed and optimized the Zn oxide to over 4 and added Sn oxide ratio 0.5, 1.0, 1.5wt%. Conclusions from the data recorded from the experiment of $Ag-ZnO-SnO_2$ are as follows.
There have been many efforts to modify and improve the properties of functional thin films by hybridization with nano-sized materials. For the fabrication of electronic circuits, micro-patterning is a commonly used process. For photochemical metal-organic deposition, photoresist and dry etching are not necessary for microscale patterning. We obtained direct-patternable $SnO_2$ thin films using a photosensitive solution containing Ag nanoparticles and/or multi-wall carbon nanotubes (MWNTs). The optical transmittance of direct-patternable $SnO_2$ thin films decreased with introduction of nanomaterials due to optical absorption and optical scattering by Ag nanoparticles and MWNTs, respectively. The crystallinity of the $SnO_2$ thin films was not much affected by an incorporation of Ag nanoparticles and MWNTs. In the case of mixed incorporation with Ag nanoparticles and MWNTs, the sheet resistance of $SnO_2$ thin films decreased relative to incorporation of either single component. Valence band spectral analyses of the nano-hybridized $SnO_2$ thin films showed a relation between band structural change and electrical resistance. Direct-patterning of $SnO_2$ hybrid films with a line-width of 30 ${\mu}m$ was successfully performed without photoresist or dry etching. These results suggest that a micro-patterned system can be simply fabricated, and the electrical properties of $SnO_2$ films can be improved by incorporating Ag nanoparticles and MWNTs.
Ag- and Pd-loaded $SnO_2$ nanowire network sensors were prepared by the growth of $SnO_2$ nanowires via thermal evaporation, the coating of slurry containing $SnO_2$ nanowires, and dropping of a droplet containing Ag or Pd nanoparticles, and subsequent heat treatment. All the pristine, Pd-loaded and Ag-loaded $SnO_2$ nanowire networks showed the selective detection of $C_2H_5OH$ with low cross-responses to CO, $H_2$, $C_3H_8$, and $NH_3$. However, the relative gas responses and gas selectivity depended closely on the catalyst loading. The loading of Pd enhanced the responses($R_a/R_g$: $R_a$: resistance in air, $R_g$: resistance in gas) to CO and $H_2$ significantly, while it slightly deteriorated the response to $C_2H_5OH$. In contrast, a 3.1-fold enhancement was observed in the response to 100 ppm $C_2H_5OH$ by loading of Ag onto $SnO_2$ nanowire networks. The role of Ag catalysts in the highly sensitive and selective detection of $C_2H_5OH$ is discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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