이완발진 현상을 이용하는 단공진기 색소레이저(QDL:quenched dye laser)는 극단펄스 광원으로서 많은 장점을 갖고 있다. 본 연구에서는 파장 590nm에서 발진 스펙트럼의 최대값을 갖는 Rhodamine 6G를 레이저 매질로 하고, 파장 308nm의 XeCl 레이저를 펌핑원으로 하여, 이득의 길이가 5mm인 QDL의 이완발진에 의한 극단펄스 발생특성을 컴퓨터 시뮬레이션에 의해 분석하였다. 분석결과, 펌핑광의 펄스폭에 대하여 QDL 출력빔은 1/100 이하로 그 펄스폭이 짧아짐을 밝혀 QDL 이 극단펄스 발생용으로 매우 유용한 레이저임을 밝혔으며, 펌핑광의 공간적 크기를 조절함에 의하여 출력 펄스폭의 연속적인 가변동작이 가능함을 제시하였다.
현상론적인 비선형 이득 포화 효과가 연속 파장 가변시 다전극 DBR 레이저의 잡음 특성에 미치는 영향을 이론적으로 연구하였다. 광전송선 모델에 종 방향으로의 자발적 방출 분포에 의한 향상계수 K와 비선형 이득 포화 효과를 고려하여 연속 파장 가변시 출력의 감소에 따른 상대적 세기 잡음과 주파수 잡음 특성을 분석하였다. 수동부분의 주입전류의 증가에 따라 자발적 방출률은 증가하며, 이에 비례하여 상대적 세기 잡음, 주파수 잡음 및 선폭은 증가한다. 현상론적인 비선형 이득 포화 효과는 상대적 세기 잡음 및 주파수 잡음 특성에 큰 영향을 주지만 선폭은 오히려 감소한다.
광섬유 망을 통해 수 kHz의 좁은 선폭을 가지는 $1.5{\mu}m$ 레이저광원을 높은 전송 안정도로 전송하였다. 525 m 길이의 단일모드 광섬유를 통과하면서 발생하는 광 위상 잡음을 능동적으로 제거하는 실험 장치를 구성하였고, 이렇게 하여 전송된 광 주파수의 전송 안정도는 1 초의 평균시간에서 $2{\times}10^{-17}$로 측정되었다. 전송된 광 주파수의 품질을 주파수 영역과 시간 영역에서 정량적으로 분석하였다.
다층 비율 방정식을 이용한 1550 nm InGaAsP 레이저 다이오드의 PSPICE 등가회로 모델을 제안하고 구현하였다. 비율 방정식에 필요한 레이저 다이오드 파라미터들은 자기충족적 양자우물 해석법을 이용하여 도출하였다. 이 모델을 이용하여 실제 레이저 다이오드와 드라이버 IC를 포함하는 광송신기 회로 전체를 PSPICE로 구현하여 그 출력 값과 측정치를 비교하였다. 이 비교를 통하여 실제 레이저 다이오드의 패키징 시 발생하는 기생 커패시터 값을 산출하였다. 이를 바탕으로 한 PSPICE 출력 값은 여러 동작 주파수에서 실제 회로의 측정값과 일치함을 보였다.
We demonstrate that the local resonance of metamaterials can be tuned by the effects of organic thin films under photoexcitation. Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum ($Alq_3$) layers are deposited on metamaterial/silicon hybrid structures. By varying the thickness of the $Alq_3$ layer on the subwavelength scale, the resonant peak of the metamaterial becomes very adjustable, due to the effect of a thin dielectric substrate. In addition, under photoexcitation all the spectral peaks of the resonance shift to higher frequencies. This originates from the reduction of the capacitive response generated inside the gaps of split-ring resonators. The adjustability of the electromagnetic spectrum may be useful for developing optical systems requiring refractive-index engineering and active optical devices.
초고속 광통신을 위한 고속변조용 단일모드 반도체 레이저로서 변조 도핑된 SMQW-PBH-DFB-LD를 제작하고 변조특성을 축정 하였다. 제작된 소자의 최소 임계전류는 16.0mA, 최대 slope efficiency는 0.275mW/mA였다. 고속변조를 위한 활성층의 변조도핑으로 소자의 내부손실은 $37cm^{-1}$로 크게 주어졌으나. 이득계수의 증가에 따라 선폭확대계수는 1.8로 감소되었다. 소신호 변조 특성 측정 결과, $46mA(I_{th}+30mA)$ 에서의 공진주파수 8GHz, -3dB 차단주파수 10GHz 이상으로서 고속변조 특성이 우수한 변조도핑된 SMQW-PBH-DFB-LD를 시험 제작하였다.
We numerically demonstrate the performance of a plasmonic lens composed of an array of nanoslits perforated on thin metallic film with slanted cuts on the output surface. Embedding Kerr nonlinear material in nanoslits is employed to modulate the output beam. A two dimensional nonlinear-dispersive finite-difference time-domain (2D N-D-FDTD) method is utilized. The performance parameters of the proposed lens such as focal length, full-width half-maximum, depth of focus and the efficiency of focusing are investigated. The structure is illuminated by a TM-polarized plane wave and a Gaussian beam. The effect of the beam waist of the Gaussian beam and the incident light intensity on the focusing effect is explored. An exact formula is proposed to derive electric field E from electric flux density D in a Kerr-Dispersive medium. Surface plasmon (SPs) modes and Fabry-Perot (F-P) resonances are used to explain the physical origin of the light focusing phenomenon. Focused ion beam milling can be implemented to fabricate the proposed lens. It can find valuable potential applications in integrated optics and for tuning purposes.
ZnS 완충층이 SrS : Ce, Cl 박막 EL cell의 발광휘도 및 효율에 미치는 영향을 조사하였다. ZnS 완충층을 사용한 cell과 사용하지 않은 cell의 구동전압은 각각 210V, 220V 이상이고 주파수 범위는 500 Hz-20kHz로 하였다. 측정범위 내에서 휘도는 주파수와 이동전하밀도의 곱에 비례하고, 한편 이동전하밀도는 주파수에 무관하고 구동전압에 비례한다. 결과적으로 발광효율은 주파수와 구동전압에 무관하다. 완충층을 사용하므로 활성층의 발광특성을 향상시킬 수 있으며, 발광효율은 완충층 유무에 따라 각각 0.12 lm/W, 0.06 lm/W 이다.
최근들어 반도체 산업의 자동검사장비에 고배율 광학현미경이 많이 사용되고 있다. 이러한 고배율 광학현미경에 있어서 선결과제가 물체를 광학현미경에 사용된 대물렌즈의 초점심도 내에 위치시키는 초점맞춤작업이다. 본 논문에서는 광삼각법을 기본구성으로하고 수광부에 2개의 2분할소자를 사용함으로써 물체의 표면상태에 둔감하면서 물체의 초점오차량에는 매우 민감한 초점오차신호를 만들어줄 수 있는 새로운 자동초점방법을 소개하였다. 얻어진 실험결과에 의하면 이 방법의 신호분해능은 5nm이며, 반복능은 0.5.mu.m이다.
Nam, Giwoong;Kim, Byunggu;Park, Youngbin;Kim, Soaram;Kim, Jin Soo;Son, Jeong-Sik;Leem, Jae-Young
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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pp.219-219
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2013
The effect of an electron blocking layer (EBL) on V-I curves in GaN/InGaN multiple quantum well is investigated. For the first time, we found that curves were intersected at 3.012 V and analyzed the reason for intersection. The forward voltage in LEDs with an p-AlGaN EBL is larger than without p-AlGaN EBL at low injection current because the Mg doping efficiency for p-GaN layer was higher than that of p-AlGaN layer. However, the forward voltage in LEDs with an p-AlGaN EBL is smaller than without p-AlGaN EBL at high injection current because the carriers overflow from the active layer when injection current increases in LEDs without p-AlGaN EBL and in case of LED with p-AlGaN EBL, the carriers are blocked by EBL.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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