• 대한방사선기술학회지:방사선기술과학
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• 제33권3호
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• pp.289-294
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• 2010

이 연구의 목적은 다결정 요오드화수은 박막검출기를 제작하여 X-선촬영 조사 조건하에서 검출기 성능의 평가이다. 두께 210과 $320 \;{\mu}m$를 갖는 다결정 요오드화수은 박막검출기들은 스크린 프린트 기술로 제작하였다. X-선 감도와 암전류의 측정들은 두 검출기에 대하여 수행하였다. 그리고 X-선 반응의 선형성과 재현성의 측정들은 두께 $320 \;{\mu}m$의 검출기에 대하여 수행하였다. 두께 $320 \;{\mu}m$의 검출기에 인가된 0.05에서 $2\;V/{\mu}m$까지의 전기장 강도들에 대하여, X-선 감도들은 233에서 $1,408{\times}10^6\;electrons/mR{\cdot}mm^2$까지 측정되었다. 그리고 암전류들은 3.2에서 $118\;pA/mm^2$까지 측정되었다. Zhong Su 등에 의해 보고된 값들과 비교에서, X-선 감도들은 Zhong Su 등에 의해 측정된 X-선 감도들보다 약 2배 더 크게 나타냈다. 그리고 암전류들은 Zhong Su 등에 의해 측정된 암전류들보다 약 9배 더 크게 나타냈다. X-선 반응의 선형성은 상관계수(r)로서 0.988을 얻었다. 재현성은 변동계수로서 0.002를 얻었다. 이 연구는 X-선촬영 조사 조건하에서 능동매트릭스 평판영상장치에 사용할 수 있는, 제작된 다결정 요오드화수은 박막검출기의 성능 데이터를 제공한다.

• 한국융합학회논문지
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• 제9권10호
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• pp.355-362
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• 2018

본 연구는 중학생을 대상으로 추적조사를 실시한 빅데이터를 바탕으로 학교체육활동이 스마트폰의존도에 어떠한 영향을 미치고, 또한 학교생활적응에 어떠한 영향을 미칠 수 있는지에 대한 관계모형을 설정하여 이를 검증하는데 연구의 목적이 있다. 이를 위한 연구대상은 한국청소년정책연구원(NYPI)에서 수집한 한국아동 청소년패널조사(KCYPS) 중 중학교 2학년 시점의 자료를 사용하였다. 자료처리는 SPSS 23.0을 이용하여, 기술통계분석과 신뢰도 분석, 일원변량분석 그리고 회귀분석을 실시하였다. 이에 본 연구를 통해 도출된 결과를 통해 다음과 같은 결론을 얻었다. 첫째, 청소년의 체육수업 활동시간과 스마트폰 의존도의 차이는 체육수업에 열정적으로 참여할수록 스마트폰 의존도는 낮아졌다. 둘째, 청소년의 체육수업 활동시간과 학교생활적응의 차이는 학교생활적응 중 학습활동, 교우관계 그리고 교사관계에서 체육수업 활동시간이 많을수록 학교생활적응에 긍정적이었다. 셋째, 청소년의 스마트폰 의존도가 학교생활적응에 미치는 영향은 스마트폰 의존도가 낮을수록 학습활동이나 학교규칙에 긍정적으로 영향을 미치고 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권5호
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• pp.12-18
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• 2008

본 연구는 PC(polycarbonate) 기판 위에 소스(source)/드레인(drain) 전극으로 Ag 페이스트를 스크린 인쇄하여 OTFT(organic thin film transistor)를 제작하였다. 또한 이렇게 제작된 OTFT를 적용하여 OTFT-OLED(organic light emitting diode) 어레이를 제작하였으며 OTFT의 소스 및 드레인 전극과 더불어 데이터 배선전극을 Ag 페이스트를 이용하여 형성하였다. Ag 페이스트는 스크린 마스크의 mesh에 따라 325 mesh용과 500 mesh용을 사용하였으며, 325 mesh용 페이스트는 선폭 60 ${\mu}m$, 500 mesh용 페이스트는 선폭 40 ${\mu}m$까지 인쇄가 가능하였다. 그리고 면저항은 각각 $60m{\Omega}/\square,\;133.1m{\Omega}/\square$이었다. 제작된 OTFT의 성능은 이동도가 자각 0.35 $cm^2/V{\cdot}sec$와 0.12 $cm^2/V{\cdot}sec$, 문턱전압 -4.7 V와 0.9 V이었으며, 전류 점멸비는 ${\sim}10^5$이었다. OTFT-OLED 어레이는 인쇄성이 우수한 500 mesh용 Ag 페이스트를 사용하였으며 OTFT의 채널길이를 50 ${\mu}m$로 설계하여 제작하였다. OTFT-OLED 어레이의 화소는 2개의 OTFT, 1개의 캐패시터 그리고 1개의 OLED로 구성하였고, 크기는 $2mm{\times}2mm$이며, 해상도는 $16{\times}16$ 이다. 제작된 어레이는 일부 불량 화소를 포함하고 있지만 능동형 모드로 동작함을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.344-344
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• 2014

Transparent amorphous oxide semiconductors such as a In-Ga-Zn-O (a-IGZO) have advantages for large area electronic devices; e.g., uniform deposition at a large area, optical transparency, a smooth surface, and large electron mobility >10 cm2/Vs, which is more than an order of magnitude larger than that of hydrogen amorphous silicon (a-Si;H).1) Thin film transistors (TFTs) that employ amorphous oxide semiconductors such as ZnO, In-Ga-Zn-O, or Hf-In-Zn-O (HIZO) are currently subject of intensive study owing to their high potential for application in flat panel displays. The device fabrication process involves a series of thin film deposition and photolithographic patterning steps. In order to minimize contamination, the substrates usually undergo a cleaning procedure using deionized water, before and after the growth of thin films by sputtering methods. The devices structure were fabricated top-contact gate TFTs using the a-IGZO films on the plastic substrates. The channel width and length were 80 and 20 um, respectively. The source and drain electrode regions were defined by photolithography and wet etching process. The electrodes consisting of Ti(15 nm)/Al(120 nm)/Ti(15nm) trilayers were deposited by direct current sputtering. The 30 nm thickness active IGZO layer deposited by rf magnetron sputtering at room temperature. The deposition condition is as follows: a rf power 200 W, a pressure of 5 mtorr, 10% of oxygen [O2/(O2+Ar)=0.1], and room temperature. A 9-nm-thick Al2O3 layer was formed as a first, third gate insulator by ALD deposition. A 290-nm-thick SS6908 organic dielectrics formed as second gate insulator by spin-coating. The schematic structure of the IGZO TFT is top gate contact geometry device structure for typical TFTs fabricated in this study. Drain current (IDS) versus drain-source voltage (VDS) output characteristics curve of a IGZO TFTs fabricated using the 3-layer gate insulator on a plastic substrate and log(IDS)-gate voltage (VG) characteristics for typical IGZO TFTs. The TFTs device has a channel width (W) of $80{\mu}m$ and a channel length (L) of $20{\mu}m$. The IDS-VDS curves showed well-defined transistor characteristics with saturation effects at VG>-10 V and VDS>-20 V for the inkjet printing IGZO device. The carrier charge mobility was determined to be 15.18 cm^2 V-1s-1 with FET threshold voltage of -3 V and on/off current ratio 10^9.

• 노동경제논집
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• 제24권2호
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• pp.1-34
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• 2001

본 연구는 우리나라에 있어 남녀간 자영업 비중의 격차를 분석한다. 대부분의 국가에서 남성의 자영업 비중이 여성의 자영업 비중을 초과하고 있다. 본 논문은 이러한 격차가 왜 생기는지를 설명하려 한다. 또한 창업이 취업정책의 한 중요한 수단인 현 경제상황에서 여성의 자영업 비중이 왜 남성보다 낮은지에 대한 이해는 여성 취업정책을 수립하는 데도 도움이 될 수 있을 것이다. 본 연구는 크게 두 부문으로 구성되어 있는데, 첫번째 부문은 남성과 여성의 자영업 비중을 추정하는 것이다. 추정방법으로 본 연구는 Markov모형을 도입한다. 두번째 부문은 남녀간 자영업 비중의 격차를 분해하는 것인데, 여기서는 자영업 비중의 분해가 임금격차의 분해와는 달리 비선형함수의 분해라는 점에서 Evert and Macpherson(1993)이 개발한 분해방법을 확장하여 사용한다. 본 연구는 (1)남성이 여성보다 자영업 비중이 높은 이유는 남성이 여성보다 자영업주가 되는 사람이 상대적으로 많을 뿐 아니라 일단 자영업주가 되면 자영업에서 이직하는 사람도 상대적으로 적기 때문이며, (2)이행확률함수를 추정한 결과 계수의 차이는 남성의 자영업 임직을 높이고 속성의 차이는 남성의 자영업 이직을 낮추며, (3)가구주, 연령, 농가부문의 차이는 남녀 자영업 비중 격차를 확대하는 요인으로, 비자영업 형태의 차이는 남녀 자영업 비중 격차를 축소하는 요인으로 작용하며, (4)자영업주의 범주에 무급가족종사자를 포함시킬 경우 남녀간 자영업 비중의 격차는 줄어드나 그 격차의 분해결과는 질적인 차이를 보이지 않음을 밝힌다.

• 기술혁신연구
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• 제21권2호
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• pp.1-24
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• 2013

기업의 기술혁신활동에 관한 연구는 그 동안 제조업을 중심으로 상당부분 축적되어 왔지만, 서비스업에 관한 연구는 아직까지 충분하지 못하다. 이에 본 연구는 2001~2010년 동안의 서비스업을 대상으로 내생성 통제에 효과적인 GMM방법을 이용하여 슘페터 가설 중 하나인 기업규모가 기술혁신활동에 미치는 영향에 대해 심층적으로 살펴보았다. 분석결과 다음과 같은 결과를 얻었다. 첫째, 세부업종에 따라 기술혁신활동이 활발한 업종과 활발하지 못한 업종이 구분되었다. 이는 서비스업 전체를 공급자 지배형으로 취급하여 서비스업에서는 기술혁신활동이 거의 없다는 Pavitt(1984)의 견해와는 다른 결과이다. 둘째, 기업규모와 기술혁신활동 간의 관계는 업종에 따라 U자형 모형이 일부 지지되기도, 지지되지 않기도 하였다. 셋째, 업종에 따라서 무형자산이 많을수록, 부채규모가 적을수록, 수출비중이 클수록 기술혁신활동을 더욱 촉진되는 것으로 나타났다. 마지막으로 기업규모의 대리변수에 따라 기술혁신활동 간의 관계가 민감하게 반응하여, 기업규모 변수를 어떻게 사용할지에 따라 기업규모와 기술혁신활동 간의 관계성이 변화가 있음을 확인 하였다. 본 연구는 기존의 연구들과 비교하여 두 가지 차별점을 갖는다. 첫째는 슘페터 가설과 관련된 기존 연구 대부분이 제조업을 대상으로 이루어진 것과 달리 본 연구는 기술혁신의 필요성이 높아져가고 있는 서비스업을 대상으로 했다는 점이다. 둘째, 슘페터 가설 및 서비스업의 기술혁신 요인분석 등의 기존 연구 대다수가 오슬로매뉴얼에 따른 국가별 기술혁신조사를 기반으로 횡단면 분석으로 추정한데 반해, 본 연구는 10여년 기간의 기업 재무데이터를 수집하여 패널자료를 구성한 후 내생성 문제를 통제하여 추정했다는 점에서 연구의 차별성을 찾아 볼 수 있다.

• 대한세포병리학회지
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• 제18권1호
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• pp.1-12
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• 2007

Approximately 70% of cervical cancers are caused by HPV types 16/18 and thus the implementation of vaccination programmes with vaccines against HPV types 16/18 will have a major impact on the incidence of cervical cancer worldwide. However, this reduction will not be seen until several decades after full implementation of such vaccination programmes since the vaccines must be given to young adolescents before exposure to the virus and women who are already sexually active are not likely to be protected. Both GSK and Merck insist that even vaccinated women must continue to participate in regular cervical screening by the most sensitive method available since the vaccine can only give protection against up to 70% of cervical cancers. It is unlikely that the current vaccines will be modified to include additional high risk HPV types in the foreseeable future. While HPV testing is highly sensitive, it is not recommended for women under 30 years of age nor for vaccinated women. Additionally, HPV testing has poor specificity. The Digene Hybrid Capture 2 test is licensed for use only in conjunction with a cytology test, not as a stand-alone test, and the high risk panel has recognised cross reactivity with low risk HPV types. None of the other HPV test methods currently commercially available are FDA approved and all must be internally validated before use. This makes comparison of test results between laboratories difficult. The most sensitive and specific screening test currently available for women of all ages is the Cytyc ThinPrep System consisting of the ThinPrep Pap Test (TPPT) and the ThinPrep Imaging System (Imager). The TPPT was the first LBC system approved by the US FDA in 1996 and there are about 4,000 processors in use worldwide. The Imager was FDA approved in 2003 and over 350 systems are in routine use, mainly in the US. 40% of TPPT in the US are processed on Imager. There is clear evidence in peer reviewed literature that the Imager increases laboratory productivity by 100% and growing evidence that Imager detects more high grade SIL than the conventional smear or manual evaluation of TPPT. This aspect is particularly important since the number of cytological abnormalities will decrease as vaccination programmes are implemented. Cytotechnologists will see fewer and fewer abnormal smears and their skills will be put at risk. By doubling throughput, Imager will allow cytotechnologists to maintain their skills.

• 디지털융복합연구
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• 제15권2호
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• pp.225-232
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• 2017

이 연구는 근로자의 고용상태에 따라 사고 이후 사회경제적 상태에 어떠한 영향을 주는지 알아보기 위해 연구되었다. 노동패널(2001-2006) 자료를 이용하여, 2001년 근로자들의 경제활동 상태, 고용상태가 연구기간 내 어떻게 변화했는지 알아보았다. 추적관찰 동안, 경제활동 그룹에 비해 실직 그룹에서 사고로 인한 장애를 더 많이 겪은 것으로 나타났다. 더구나, 실직그룹에서 산업재해율도 가장 높았다. 고용 상태별로 보면, 일용직, 무임금 근로자들이 장애를 더 많이 겪은 것으로 나타났다. 또한 이들은 사고를 겪은 후, 비활동경제상태 또는 실직자가 되었다. 다른 근로자그룹과 비교해서 비활동경제 그룹, 실직자, 일용직, 무임금 가족근로자가 사고율도 높았는데 이는 결과적으로 이들의 사회경제적 상태를 더 악화시켰다.

• 한국사회복지학
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• 제53권
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• pp.51-73
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• 2003

최근 가족해체의 급격한 증가는 한국사회에 모자가정의 빈곤화라는 심각한 사회문제를 던져주고 있다. 그러나 불행히도 한국사회에서 가족해체로 인한 모자가정의 빈곤화에 대한 사회정책의 가시적 대응은 전무한 실정이다. 이러한 현실에 근거하여 본 연구는 가족구조의 변화 즉, 이혼 및 별거 등으로 야기되는 가족해체로 인한 모자가정의 빈곤문제에 대한 정책적 대응으로서 사회안전망(social safety net)의 역할에 대해 검토하고자 하였다. 현실적으로 한국에서 종단적 자료에 대한 접근이 불가능한 상황 속에서 미국의 자료를 이용하여 미국 사회안전망의 역할을 검토하고 이에 대한 한국적 함의를 전달하고자 하였다. 미국사회에서 가족해체로 인한 모자가정의 빈곤화의 주된 원인인 가족해체로 인하여 많은 수의 모자 가정이 새로운 빈곤층으로 편입되고 있는 현실에 반해 이에 대회 사회안전망의 역할의 부재를 지적할 수 있을 것이다. 구체적으로 모자가정의 긴급한 요구에 대한 공공부조 개입의 지체, 낮은 급여수준, 불충분한 아동양육비 수준 등과 같은 부적절하고 비효율적인 사회안전망으로 인해 모자가정의 빈곤화가 가족해체이후 심화되는 것으로 나타났다. 이러한 미국의 실패가 한국에 주는 함의는 모자가정 빈곤 문제를 접근함에 있어 사회구조적 접근과 함께 가족해체로 인한 요인을 고려하여 해체가족을 위한 사회안전망의 수립이 요구된다 하겠다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제48권5호
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• pp.285-295
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• 1999

Electroluminescent(EL) devices based on organic materials have been of great interest due to their possible applications for large-area flat-panel displays. They are attractive because of their capability of multi-color emission, and low operation voltage. An approach to realize such device characteristics is to use active layers of lanthanide complexes with their inherent extremely sharp emission bands in stead of commonly known organic dyes. In general, organic molecular compounds show emission due to their $\pi$-$\pi*$ transitions resulting in luminescence bandwidths of about 80 to 100nm. Spin statistic estimations lead to an internal quantum efficiency of dye-based EL devices limited to 25%. On the contrary, the fluorescence of lanthanide complexes is based on an intramolecular energy transfer from the triplet of the organic ligand to the 4f energy states of the ion. Therefore, theoretical internal quantum efficiency is principally not limited. In this study, Powders of TPD, $Eu(TTA)_3(phen) and AlQ_3$ in a boat were subsequently heated to their sublimation temperatures to obtain the growth rates of 0.2~0.3nm/s. Organic electrolumnescent devices(OELD) with a structure of $glass substrate/ITO/Eu(TTA)_3(phen)/AI, glass substrate/ITO/TPD/Eu(TTA)_3(phen)/AI and glass substrate/ITO/TPD/Eu(TTA)_3(phen)/AIQ_3AI$ structures were fabricated by vacuum evaporation method, where aromatic diamine(TPD) was used as a hole transporting material, $Eu(TTA)_3(phen)$ as an emitting material, and Tris(8-hydroxyquinoline)Aluminum$(AlQ_3)$ as an electron transporting layer. Electroluminescent(EL) and current density-voltage(J-V) characteristics of these OELDs with various thickness of $Eu(TTA)_3(phen)$ layer were investigated. The triple-layer structure devices show the red EL spectrum at the wavelength of 613nm, which is almost the same as the photoluminescent(PL) spectrum of $Eu(TTA)_3(phen)$.It was found from the J-V characteristics of these devices that the current density is not dependent on the applied field, but on the electric field.