• 제목/요약/키워드: AR Spectrum

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심박변화 분석을 이용한 장면시자극에 대한 감성측정에 관한 연구 (Human Sensibility Measurement for Visual Picture Stimulus using Heart Rate Variability Analysis)

  • 권의철;김동윤;김동선;임영훈;손진훈
    • 감성과학
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    • 제1권1호
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    • pp.93-103
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    • 1998
  • In this paper, we present change of human sensiblity when the 26 healthy female subjects were exposed with visual picture stimulus. We used Intermational Affective Picture System as the visual stimulus. The methods are AutoRegressive(AR) spectrum which is a linear method and Return Map which is a nonlinear mithod. SR spectrum may variability(HRV). The LF/HF of HRV and the variation of Return Map were analyzed from ECG signal of the female subjects. Return Map of RR intervals were analyzed by computiong the variation. When the subjets were stimulated by the pleasant pictures, LF/HF and variation were decreased compared with unpleasant stimulus, We may obtain good parameters for the measurement of the change of human sensibility for the visual picture stimulus.

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저온 대기압 아크젯의 플라즈마 발생부 물질에 따른 플라즈마 온도 변화 연구

  • 정희수;최원호
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.339-339
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    • 2011
  • 진공 플라즈마와 달리 개방된 공간에서 방전되는 대기압 플라즈마는 진공상태에서 수행되는 에칭, 증착 등의 복잡한 플라즈마 공정을 경제적이고 신속하게 수행할 수 있어, 최근 들어 연구가 활발히 진행 중이다. 이와 관련하여 He, Ar, $N_2$, $O_2$, Air 등의 여러 종류의 기체를 50 kHz 고전압에서 방전하여 대기 중에서 저온 플라즈마 공정이 가능한 아크젯 타입의 플라즈마 소스를 개발하였다. 개발된 플라즈마 소스에서는 입력전압, 기체유량, 노즐의 구조와 크기 등의 여러 운전변수에 따라 플라즈마의 방전특성이 변화되었다. 특히 본 연구에서는 아크젯의 플라즈마 발생부의 물질성분(SUS, Aluminum, Cupper)에 따른 플라즈마의 기체온도 및 전자여기 온도의 변화를 광방출분광법(OES)를 이용한 Synthetic spectrum method와 Boltzmann plot method을 통해 살펴보았다. 전압-전류 특성곡선, 시간분해 이미지 촬영법, 기체온도 측정법 등을 이용하여 발생된 플라즈마의 물리적인 특성을 분석하였다. 특히 물질의 성분에 따라 발생되는 플라즈마의 기체 및 전자여기 온도가 이차 전자 방출계수 및 물질의 전도도와의 상관관계가 있는지 연구가 진행 중이다.

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RF Magnetron Sputtering법에 의한 FED용 $ZnGa_2O_4$형광체의 박막제조 및 특성분석 (Fabrication and Properties Of $ZnGa_2O_4$phosphors thin film for FED(Field Emission Display))

  • 한진만;장건익
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.316-319
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    • 2000
  • By RF magnetron sputtering ZnGa$_2$O$_4$thin films were prepared on Si(100) wafer in terms of RF power, substrate temperatures and Ar/O$_2$flow rate. Crystallographic orientation was characterized by x-ray diffraction(XRD). Surface morphology and microstructure were observed by scanning electron microscope(SEM). Photoluminescence(PL) measurement was employed to observe the emission spectra of ZnGa$_2$O$_4$films. The influences of various deposition parameters on the properties of grown films were studied. PL spectrum of ZnGa$_2$O$_4$thin films showed broad band luminescence spectrum.

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카오스차원에 의한 화자식별 파라미터 추출 (Extraction of Speaker Recognition Parameter Using Chaos Dimension)

  • 유병욱;김창석
    • 음성과학
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    • 제1권
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    • pp.285-293
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    • 1997
  • This paper was constructed to investigate strange attractor in considering speech which is regarded as chaos in that the random signal appears in the deterministic raising system. This paper searches for the delay time from AR model power spectrum for constructing fit attractor for speech signal. As a result of applying Taken's embedding theory to the delay time, an exact correlation dimension solution is obtained. As a result of this consideration of speech, it is found that it has more speaker recognition characteristic parameter, and gains a large speaker discrimination recognition rate.

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제조공법에 따른 디스플레이 소자용 silver-grid 투명전극층의 특성 비교 (Comparison of characteristics of silver-grid transparent conductive electrodes for display devices according to fabrication method)

  • 최병수;최석환;류정호;조현
    • 한국결정성장학회지
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    • 제27권2호
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    • pp.75-79
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    • 2017
  • 고밀도 플라즈마 식각 및 lift-off 두 가지 공정으로 honeycomb 형상의 Ag-grid 투명전극층을 제작하였고 제조 공법에 따른 광학적 및 전기적 특성을 비교하였다. 플라즈마 식각 조건 선정을 위하여 Ag 박막의 $10CF_4/5Ar$ 유도결합 플라즈마 식각특성을 조사하였다. 비교적 낮은 ICP source power 또는 rf chuck power 영역에서는 power 증가에 따라 Ag 식각속도가 증가하였고, 높은 power 조건에서는 $Ar^+$ 이온 에너지 감소 또는 $Ar^+$ 이온에 의한 F radical 제거로 인해 식각속도가 감소하였다. $10CF_4/5Ar$ 플라즈마 식각 공정에 의해 제작된 Ag-grid 전극층은 lift-off 공정으로 제작된 전극층에 비해 grid 패턴 형상의 왜곡이나 단절이 없는 더 우수한 grid 패턴 전사 효율과 가시광선 영역에서 더 높은 83.3 %(pixel 크기 $30{\mu}m$/선폭 $5{\mu}m$)와 71 %(pixel 크기 $26{\mu}m$/선폭 $8{\mu}m$)의 광투과율을 각각 나타내었다. 반면에 lift-off 공정으로 제작된 Ag-grid 전극층은 플라즈마 식각 공정 시편보다 더 우수한 $2.163{\Omega}/{\square}$(pixel 크기 $26{\mu}m$/선폭 $8{\mu}m$)과 $4.932{\Omega}/{\square}$(pixel 크기 $30{\mu}m$/선폭 $5{\mu}m$)의 면저항 특성을 나타내었다.

RF Magnetron Sputtering공정에 의해 IT유리에 적층시킨 Silicon Nitride 박막의 특성 (Characteristics of Silicon Nitride Deposited Thin Films on IT Glass by RF Magnetron Sputtering Process)

  • 손정일;김광수
    • 한국재료학회지
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    • 제30권4호
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    • pp.169-175
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    • 2020
  • Silicon nitride thin films are deposited by RF (13.57 MHz) magnetron sputtering process using a Si (99.999 %) target and with different ratios of Ar/N2 sputtering gas mixture. Corning G type glass is used as substrate. The vacuum atmosphere, RF source power, deposit time and temperature of substrate of the sputtering process are maintained consistently at 2 ~ 3 × 10-3 torr, 30 sccm, 100 watt, 20 min. and room temperature, respectively. Cross sectional views and surface morphology of the deposited thin films are observed by field emission scanning electron microscope, atomic force microscope and X-ray photoelectron spectroscopy. The hardness values are determined by nano-indentation measurement. The thickness of the deposited films is approximately within the range of 88 nm ~ 200 nm. As the amount of N2 gas in the Ar:N2 gas mixture increases, the thickness of the films decreases. AFM observation reveals that film deposited at high Ar:N2 gas ratio and large amount of N2 gas has a very irregular surface morphology, even though it has a low RMS value. The hardness value of the deposited films made with ratio of Ar:N2=9:1 display the highest value. The XPS spectrum indicates that the deposited film is assigned to non-stoichiometric silicon nitride and the transmittance of the glass with deposited SiO2-SixNy thin film is satisfactory at 97 %.

II-VI족 화합물 반도체의 결정성장 및 센서 개발에 관한 연구 (Crystal Growth Sensor Development of II-VI Compound Semiconductor : CdS)

  • D.I. Yang;Y.J. Shin;S.Y. Lim;Y.D. Choi
    • 한국진공학회지
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    • 제1권1호
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    • pp.126-133
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    • 1992
  • E-Beam 기법을 이용하여 증착시킨 Ag doped CdS 박막은 육방정계이고 공기, Ar 분위기에서 $^550{\circ}C$로 열처리한 결과 grain size가 1$mu extrm{m}$ 정도로 성장되었고, Van Der Pauw 방법으로 구한 Hall data로부터 CdS crystal은 n형 반도체이고 상온에서의 carrier 농 도는 2.7 $\times$ 1011cm-3이고 Hall mobility는 5.8 $\times$ 102cm2V-1sec-1정도임을 알 수 있었다. CdS : Ag 박막의 PL spectra는 Gaussian curve를 보여주었고, spectra peak는 파장이 520nm 근처에 위치하고 있으며, CdS : Ag 박막에서의 광전류(pc)와 암전류(dc)의 ratio(pc/dc)는 공기 중에서 열처리한 시료의 값이 크다는 것을 알 수 있었다.

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액체 이산화탄소 추출법에 의한 생강 (Zingiber officinale Roscoe)의 향기성분 (Volatile flavor components of Korean ginger(Zingiber officinale Roscoe)extracted with liquid carbon dioxide)

  • 김명곤;나문수;홍재식;정순택
    • Applied Biological Chemistry
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    • 제35권1호
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    • pp.55-63
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    • 1992
  • 봉동산 생강(Zingiber officinale Roscoe)의 정유성분조성을 분석코자 액체 이산화탄소 주출법으로 분리하여 silica gel column chromatography범에 의해 탄화수소 화합물 분획과 함산소 화합물 분획으로 분류한 다음 GC 및 GC-MS로 성분을 검토하였다. 추출물의 수율은 6.96%이었으며, SCC에 의해 분리된 분획의 분석결과 mass spectrum에 의해서 잠정적으로 확인된 58종을 포함하여 102종의 향기성분이 확인되었다. 중 탄화수소 화합물 분획에서는 zingiberene, ${\beta}-sesquiphellandrene,\;{\gamma}-bisabolene,\;{\gamma}-cadinene,\;ar-curcumene$ 등이 주성분이었고, 함산소 화합물 분획에서는 gernal, sesquisabinene hydrate, borneol, zingiberenol 등이 주성분 이었다. 총 essential oil의 조성은 $zingiberene,\;citronellol+{\beta}-sesquiphellandrene,\;geranial,\;{\gamma}-bisabolene,\;ar-curcumene+geranyl\;acetate$ 등이 주성분으로 sesquiterpene hydrocarbon의 함량이 높게 나타났다.

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아르곤/이산화탄소 혼합가스의 유도 결합 플라즈마를 이용한 이산화탄소 분해 연구 (Study on CO2 Decomposition using Ar/CO2 Inductively Coupled Plasma)

  • 김경현;김관용;이효창;정진욱
    • KEPCO Journal on Electric Power and Energy
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    • 제1권1호
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    • pp.135-140
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    • 2015
  • 유도 결합 플라즈마를 활용하여 $Ar/CO_2$ 혼합가스에서 이산화탄소를 분해하는 연구이다. 고밀도 플라즈마를 발생시키기 위해 Ar 가스를 첨가하였고 이산화탄소 분해율을 측정하기 위해 광학적 광량 측정법을 사용 하였다. 유도 결합 플라즈마를 방전시키고 인가 전력, 압력, 혼합가스 비율을 변경하가며 단일 랭뮤어 프로브를 이용해 플라즈마 변수를 얻고 방출 분광기로 얻은 빛의 스펙트럼을 이용하여 분해율을 측정하였다. 측정된 플라즈마 변수로부터 $CO_2$ 유도 결합 플라즈마의 소스 특성을 확인했고 $CO_2$ 분해 메커니즘은 플라즈마 변수에 직접적인 영향을 받기 때문에 그 상관관계를 분석하였다.

승화법에 의한 SiC 단결정 육성 (6H - SiC single crystal growth by sublimation process)

  • 강승민;오근호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제5권1호
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    • pp.50-59
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    • 1995
  • 자체 제작된 승화법에 의한 결정성장 장치를 이용하여, 6H-SiC 단결정을 성장하였다. Acheson 법으로 얻어진 6H 결정을 seed substrate로 사용하였으며, SiC source 로부터 분해된 승화 증기가 seed상에서 육성되도록 흑연 도가니내의 온도구배 및 성장온도와 압력을 유기적으로 조절하였다. 성장 전 graphite 도가니 구성부와 SiC 원료에 대한 purification을 행함으로써 성장결정 내부로의 불순물 혼입이 억제되도록 하엿다. 결정 성장시의 육성조건으로 도가니 바닥의 온도는 $2300~2400^{\circ}C$였으며, 성장로 내부의 분위기 압력은 200~400 torr에서 양질의 단결정을 얻을 수 있었다. 성장된 결정을 두께 1.5 mm의 wafer로 제작하여 XRD와 optical microscope로 관찰하였고, FT-IR spectrum으로 분석하였다.

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