• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.10a
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• pp.77-78
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• 2006

최근 flexible OLED의 구동에 사용하기 위한 유기박막트랜지스터(Organic Thin Film Transistor, OTFT)의 연구에서는 용매에 용해되어 spin coating이 가능한 재료의 개발에 관심을 두고 있다. 현재 pentacene으로는 아직 spin coating으로 제작할 수 있는 상용화된 제품이 없고 spin coating이 가능한 활성층 물질(active material)로 P3HT가 쓰이고 있다. 본 연구에서는 용해 가능한 P3HT 활성층 물질과 여러 종류의 용해 가능한 게이트 절연물(gate insulator, Gl)을 사용하여 안정된 소자를 구현할 수 있는 공정을 개발하는 목적으로 metal-insulator-semironductor(MIS) 소자를 제작하여 C-V 특성을 측정하고 분석하였다. 먼저 7mm${\times}$7mm 크기의 pyrex glass 시편 위에 바닥 전극으로 $1600{\AA}$ Au을 증착하고 spin coating 방식을 이용하여 PVP, PVA, PVK, BCB, Pl의 5종류의 게이트 절연층을 각각 형성하였고 그 위에 같은 방법으로 P3HT를 코팅하였다. P3HT 코팅 시 bake 공정의 유무와 spin rpm의 변화에 따른 P3HT의 두께를 측정하였다. Gl의 종류별로 주파수에 따른 capatltancc를 측정하여 비교, 분석하였다. C-V 측정 결과 PVP, PVA, PVK, BCB, Pl의 단위 면적당 capacitance 값은 각각 1.06, 2.73, 2.94, 3.43, $2.78nF/cm^2$로 측정되었다. Threshold voltage, $V_{th}$는 각각 -0.4, -0.7, -1.6, -0.1, -0.2V를 나타냈다. 주파수에 따른 capacitance 변화율을 측정한 결과 Gl 물질 모두 주파수가 높을수록 capacitance가 점점 감소하는 경향을 보였으나 1${\sim}$2nF 이내의 범위에서 작은 변화율만 나타냈다. P3HT의 두께와 bake 온도를 변화시켜 C-V 값을 측정한 결과 차이는 없었다. FE-SEM으로 관찰한 결과에서도 두께나 온도에 따른 P3HT의 표면 morphology 차이를 확인할 수 없었다. 본 연구에서 PVK와 P3HT의 조합이 수율(yield)면에서 가장 안정적이면서 $3.43\;nF/cm^2$의 가장 높은 capacitance 값을 나타내고 $V_{th}$ 값 또한 -1.6V로 가장 낮은 값을 보였다.

• Information Display
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• v.5 no.1
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• pp.25-30
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• 2004

Poly-Si TFT(Thin Film Transistor) technology are reviewed and discussed. Poly-Si TFTs fabricated on glass using low-temperature process were studied extensively for the application to LCD (Liquid Crystal Display) as well as to OLED(Organic Light Emitting Diode) Display. Currently, one of the application targets of the poly-Si TFT is emphasized on the highly functional SOG(System on Glass). Improvement of device characteristics such as an enhancement of carrier mobility has been studied intensively by enlarging the grain size. Reduction of the voltage and shrinkage of the device size are the trend of AM FPD(Active Matrix Flat Panel Display) as well as of Si LSI, which will arise a peculiar issue of uniformity for the device performance. Some approaches such as nucleation control of the grain seed or lateral grain growth have been tried, so far.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2006.08a
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• pp.1577-1582
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• 2006

Tandem OLED structures formed by connecting two or more low-voltage electroluminescent units (stacks) are effective for achieving high efficiency at low current density as well as long operational lifetime. We have fabricated white emitting tandem structures with two or three low-voltage white-emitting stacks using transparent organic "PN"-type connectors. Three- stack white tandem structures with efficiency greater than 24 cd/A at D65 and operational stability of about 110,000 h. (extrapolated) at $1000\;cd/m^2$ have been demonstrated. With a stacked structure, the power consumption for displays using an RGBW format can be reduced by 25% compared to previously described formulations. We have also fabricated advanced white tandem structures where the color gamut (NTSC x,y ratio) has been improved to greater than 70% using standard color filters. The white OLEDs can also be used to increase the colorrendering index CRI (>80%), an important consideration for solid-state lighting.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2007.08a
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• pp.833-836
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• 2007

A low power and small area source driver using LTPS TFTs is proposed for mobile applications. This source driver adopts level shifter with holding latch function and new R-to-R type digital-to-analog converter (DAC). The power consumption and layout area of the proposed source driver are reduced by 23% and 25% for 16M colors and qVGA AM-OLED panel, respectively.

• Applied Microscopy
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• v.44 no.4
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• pp.133-137
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• 2014

We suggest a facile transmission electron microscopy (TEM) specimen preparation method for the direct (polymer-free) transfer of layer-area graphene from Cu substrates to a TEM grid. The standard (polymer-based) method and direct transfer method were by TEM, high-resolution TEM, and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS). The folds and crystalline particles were formed in a graphene specimen by the standard method, while the graphene specimen by the direct method with a new etchant solution exhibited clean and full coverage of the graphene surface, which reduced several wet chemical steps and accompanying mechanical stresses and avoided formation of the oxide metal.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.15 no.12
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• pp.3-10
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• 2002

유기 전계발광 소자는 발광성 유기화합물을 양극과 음극사이에 형성한 후 전기적으로 여기시켜 그 발광을 이용하는 디스플레이로 1960년도에 처음 전기 적 발광현상이 안트라센 물질에서 처음 보고되었다[1]. 그 후 1987년에 코닥(Kodak)사의 Tang에 의해 적층형 유기 전계발광 소자가 처음 연구되어 소개된 후 실용화를 목표로 활발히 연구되기 시작하였으며[2], 1990년도 들어서는 유기물 재료 중에 전도성 고분자형 재료의 전기적 발광현상이 영국의 케임브리지 대학에서 보고되어 고분자형 유기 전계발광 소자연구가 진행되기 시작하였다[3]. 유기 전계발광 디스플레이는 평판 디스플레이의 한 종류로서 저전압 구동, 박형, 자체발광에 인한 고인식성 및 넓은 시야각, 빠른 응답속도 등의 많은 장점을 갖고 있어 현재 널리 사용되는 액정 디스플레이의 결점을 해결해줄 수 있는 차세대 디스플레이로 최근 들어 매우 높은 관심을 받고 있으며 연구개발 또한 가장n 활발한 분야로 알려져 있다 현재는 저분자형 유기물을 사용하는 저분자 유기 전계발광 소자와 전도성 고분자를 사용하는 고분자 유기 전계발광 소자가 전자발광 디스플레이 연구의 두 분야로 경쟁하면서 연구가 진행되고 있다. 이에 1990년도 후반부터 디스플레이로의 연구가 일본에서부터 활발히 진행되면서 수동형 (Passive Matrix) 구동의 유기 EID가 일본의 Pioneer,한국의 삼성 SDI등에 의해서 상업화되었다. 현재는 카오디오나 핸드폰 등에 이미 채용이 되고 있으며 일반인들이 쉽게 볼 수 있는 디스플레이로 바뀌어가고 있다. 또한 향후 중대형 디스플레이로 상업화하기 위하여 일본의 Sony, Sanyo, Toshiba, 한국의 삼성 SDI 등에서 능동구동 유기 EL (Active Matrix OLED (AM OLED))를 경쟁적으로 개발하고 있다. (그림 1 참조)유기 ELD는 이와 같이 빠른 속도로 발전하고 있으며, 향후 몇 년 내에 우리 주변의 일상적 인 디스플레이로 등장할 것으로 판단된다. 본 보고서에서는 현재 실용화가 급속히 진전되고 있는 유기 전계발광 디스플레이의 소자구조, 발광기구. 소자특성, 각종 재료, 풀컬러화 기술, 구동방법등에 대한 기술개요와 국내외 기술동향에 대하여 소개하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.170-170
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• 2012

최근 주목받고 있는 amorphous InGaZnO (a-IGZO) thin film transistors (TFTs)는 수소가 첨가된 비정질 실리콘 TFT (a-Si;H)에 비해 비정질 상태에서도 높은 이동도와 뛰어난 전기적, 광학적 특성에 의해 큰 주목을 받고 있다. 또한 넓은 밴드갭에 의해 가시광 영역에서 투명한 특성을 보이고, 플라스틱 기판 위에서 구부러지는 성질에 의해 플랫 패널 디스플레이나 능동 유기 발광 소자 (AM-OLED), 투명 디스플레이에 응용되고 있다. 하지만, 실제 디스플레이가 동작하는 동안 스위칭 TFT는 백라이트 또는 외부에서 들어오는 빛에 지속적으로 노출되게 되고, 이 빛에 의해서 TFT 소자의 신뢰성에 악영향을 끼친다. 또한, 디스플레이가 장시간 동안 동작 하면 내부 온도가 상승하게 되고 이에 따른 온도에 의한 신뢰성 문제도 동시에 고려되어야 한다. 특히, 실제 AM-LCD에서 스위칭 TFT는 양의 게이트 전압보다 음의 게이트 전압에 의해서 약 500 배 가량 더 긴 시간의 스트레스를 받기 때문에 음의 게이트 전압에 대한 신뢰성 평가는 대단히 중요한 이슈이다. 스트레스에 의한 문턱 전압의 변화는 게이트 절연막과 반도체 채널 사이의 계면 또는 게이트 절연막의 벌크 트랩에 의한 것으로 게이트 절연막의 선택에 따라서 신뢰성을 효과적으로 개선시킬 수 있다. 본 연구에서는 적층된 $Si_3N_4/SiO_2$ (NO 구조) 이중층 구조를 게이트 절연막으로 사용하고, 완충층의 역할을 하는 $SiO_2$막의 두께에 따른 소자의 전기적 특성 및 신뢰성을 평가하였다. a-IGZO TFT 소자의 전기적 특성과 신뢰성 평가를 위하여 간단한 구조의 pseudo-MOS field effect transistor (${\Psi}$-MOSFET) 방법을 이용하였다. 제작된 소자의 최적화된 $SiO_2$ 완충층의 두께는 20 nm이고 $12.3cm^2/V{\cdot}s$의 유효 전계 이동도, 148 mV/dec의 subthreshold swing, $4.52{\times}10^{11}cm^{-2}$의 계면 트랩, negative bias illumination stress에서 1.23 V의 문턱 전압 변화율, negative bias temperature illumination stress에서 2.06 V의 문턱 전압 변화율을 보여 뛰어난 전기적, 신뢰성 특성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.99-99
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• 2010

Recently, amorphous transparent oxide semiconductors (TOS) have been widely studied for many optoelectronic devices such as AM-OLED (active-matrix organic light emitting diodes). The TOS TFTs using a-IGZO channel layers exhibit a high electron mobility, a smooth surface, a uniform deposition at a large area, a high optical transparency, a low-temperature fabrication. In spite of many advantages of the sputtering process such as better step coverage, good uniformity over large area, small shadow effect and good adhesion, there are not enough researches about characteristics of a-IGZO thin films. In this study, therefore, we focused on the electrical properties of a-IGZO thin films as a channel layer of TFTs. TFTs with the a-IGZO channel layers and Y2O3 gate insulators were fabricated. Source and drain layers were deposited using ITO target. TFTs were deposited on unheated non-alkali glass substrates ($5cm{\times}5cm$) with a sintered ceramic IGZO disc (3 inch $\varnothing$, 5mm t), Y2O3 disc (3 inch $\varnothing$, 5mm t) and ITO disc (3 inch $\varnothing$, 5mm t) as a target by magnetron sputtering method. The O2 gas was used as the reactive gas. Deposition was carried out under various sputtering conditions to investigate the effect of sputtering process on the characteristics of a-IGZO thin films. Correlation between sputtering factors and electronic properties of the film will be discussed in detail.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.198.2-198.2
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• 2014

We investigated change of the electronic structure, chemical states and elements ratio in graphene film by using photoelectron spectroscopy (PES). The graphene electrode has attracted considerable interest due to its possible applications in flexible organic light emitting diodes (F-OLEDs). However, to use the graphene for OLEDs, sufficient increase of work function is required, that is related with hole injection barrier. Plasma treatment is one of the most widely used method in OLEDs to increase the work function of the anode such as indium tin oxide (ITO). In this work, we used the plasma treatment, which is generated by various gas types such as O2, and Ar to increase the work function of the graphene film. From these results, we discuss the relation among the change of work function, plasma power, plasma treatment time and gas types.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.252-252
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• 2011

최근 주목받고 있는 amorphous gallium-indium-zinc-oxide (a-GIZO) thin film transistors (TFTs)는 수소가 첨가된 비정질 실리콘 TFT에 비해 높은 이동도와 뛰어난 전기적, 광학적 특성에 의해 큰 주목을 받고 있다. 또한 넓은 밴드갭을 가지므로 가시광 영역에서 투명한 특성을 보이고, 플라스틱 기판 위에서 구부러지는 성질에 의해 플랫 패널 디스플레이나 능동 유기 발광소자 (AM-OLED), 투명 디스플레이에 응용되고 있다. 뿐만 아니라, 일반적인 Poly-Si TFT는 자체적으로 가지는 결정성에 의해 대면적화 시 균일성이 좋지 못하지만 GIZO는 비정질상 이기 때문에 백플레인의 대면적화에 유리하다는 장점이 있다. 이러한 TFT를 제작하기 전, 전기적 특성에 대한 정보를 얻거나 예측하는 것이 중요한데, 이에 따라 고안된 구조가 바로 metal point contact FET (pseudo FET)이다. pseudo FET은 소스/드레인 전극을 따로 증착할 필요 없이 채널을 증착한 후, 프로브 탐침을 채널의 표면에 적당한 압력으로 접촉시켜 전하를 공급하는 소스와 드레인처럼 동작시킬 수 있다. 따라서 소스/드레인을 증착하거나 lithography와 같은 추가적인 공정을 요구하지 않아 소자의 특성을 보다 간단하고 수월하게 분석할 수 있다는 장점이 있다. 본 연구에서는 p-type 기판위에 100nm의 oxidation SiO2를 게이트 절연막으로 사용하는 a-GIZO pseudo FET를 제작하였다. 소자 제작 후, 열처리 온도에 따른 전기적 특성을 분석하였고, 열처리 조건은 30분간 N2 분위기에서 실시하였다. 열처리 후 전기적 특성 분성 결과, 450oC에서 가장 낮은 subthreshold swing 값과 게이트 전압의 더블 스윕 후 문턱 전압의 변화가 거의 없음을 확인하였다.