• 한국재료학회지
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• 제9권6호
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• pp.547-550
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• 1999

Optical and electrical properties of MgO-CaO films as a protective layer for AC plasma display panel were studied. When the [(CaO/(MgO+CaO)] ratio of evaporation starting materials was optimum composition, 0.1, firing voltage and memory margin of the film were 176V and 0.5, respectively. When [CaO/(CaO+MgO)] was 0, 0.1 and 0.2, memory margin was 0.39, 0.5 and 0.41, respectively, and surface roughness of films was $27.7\AA$, $21.1\AA$ and $40.3\AA$, respectively. It was thought that memory margin had a reverse-relation with surface roughness. The density of film was calculated by measuring the refractive index of film. The density of MgO film was 3.21g/㎤ and the density of film, when [CaO/(CaO+MgO)] was 0.1, was 3.632g/㎤. The mixture of MgO-CaO films showed a good transmittance property in the visual range.

• 한국진공학회지
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• 제8권1호
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• pp.70-74
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• 1999

Plasma Display Panel(PDP)에서 보호막 물질로 사용중인 MgO 특성을 개선하기 위하여 본 연구에서는 MgO-CaO 박막을 전자빔 증착법으로 제조하였다. MgO 최대 증착속도는 1025 $\AA$/min이었으며 CaO 첨가비가 증가함에 따라 증착속도는 감소하였고, XRD 패턴은 전체적으로 낮은 2$\theta$각 방향으로 이동하였다. MgO 대한 CaO의 최대 고용도는 0.13이다. 최적전압특성을 나타낸 조성은 Mg 47.1 at%, Ca 1.3 at%, O 51.6 at%이었으며 이때 방전개시전압은 176 V, 메모리마진은 0.5였으며 증착속도는 515$\AA$/min이었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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• pp.628-631
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• 2002

$Al_2O_3$ capping layer and MgO protective layer were deposited by electron beam evaporation method using single crystal source. Thickness of the capping layer, $Al_2O_3$, was varied from 5 nm to 10 nm. Surface morphology was observed by SEM and AFM before and after hydration. And microstructure of deposited $Al_2O_3$ layer and chemical shift of electron binding energy were also observed by high resolution TEM and XPS, respectively, after hydration. From these results, it was found that Mg atoms diffused into $Al_2O_3$ layer, reacted with moisture and formed $Mg(OH)_2$ during hydration. As thickness of $Al_2O_3$ increased, extent of hydration increased. $Al_2O_3$ capped MgO thin films and uncapped MgO thin films were deposited on AC-PDP test panel to characterize discharge properties. Although $Al_2O_3$ has poor discharge properties rather than MgO, because of many hydrated species on the surface of MgO, similar discharge properties were observed.

• 한국재료학회지
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• 제14권8호
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• pp.552-557
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• 2004

Thin Ni-B films, 1 ${\mu}m$ thick, were electrolessly deposited on Cu bus electrode fabricated by electro deposition. The purpose of these films is to encapsulate Cu electrodes for preventing Cu oxidation and to serve as a diffusion barrier against copper contamination of dielectric layer in AC-plasma display panel. The layers were heat treated at $580^{\circ}C$(baking temperature of dielectric layer) with and without pre-annealing at $300^{\circ}C$($Ni_{3}B$ formation temperature) for 30 minutes. In the layer with pre-annealing, amount of Cu diffusion was lower about 5 times than that in the layer without pre-annealing. The difference of Cu concentration could be attributed to Cu diffusion before $Ni_{3}B$ formation at grain boundaries. However, the diffusion behavior of the layer with pre-annealing was similar to that of the layer without pre-annealing after $Ni_{3}B$ formation. With increasing annealing time, Cu concentration of both layers increased due to grain growth.

• 한국재료학회지
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• 제9권5호
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• pp.441-445
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• 1999

Alkaline earth metal oxides were added to the conventional MgO films as a protective layer for dielectric materials to have lower firing voltage(Vf) of the plasma display panel(PDP). Panels with various protective layers of MgO-alkaline earth metal oxides were prepared on glass by using e-beam evaporation and its effect on firing voltage characteristics were investigated. (Ba-Mg)O films had poor voltage characteristics because of higher activation energy of BaO. But, (Sr-Mg)O, (Ca-Mg)O and (Ca-Sr-Mg) O had better voltage characteristics than the conventional MgO. A mixture film of (Mg-Ca-Sr)O show the lowest firing voltage which is less than that of MgO by 20V. The chemical composition to have lowest firing voltage is MgO:SrO:CaO ratio of 6:2:2. The mixture of MgO-Alkaline earth metal oxides films showed good transmittance properties within the visual range.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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• pp.228-231
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• 2002

We report the effect of density of thin films on moisture adsorption and hydration of MgO thin film, usually used as a protective layer in AC-PDP After hydration, lots of hemispherical shaped clusters, $Mg(OH)_2$, formed on the surface of MgO thin films. However clusters formed on low-density thin films were bigger than those on high-density films. From ERD spectra, it seemed that the concentration of hydrogen was very high in the region 20 nm from the surface of MgO thin film. The low-density thin film had more hydrogen than high-density thin film. From simulation results of ERD and RBS it was found that hydration reaction also occurred in the inner part of the film. So diffusion of Mg atoms from the inner part of the film to the surface and $H_2O$ molecules from the surface to the inner part of the film is important. And because low density thin film has many short paths for diffusion of Mg atoms and $H_2O$ molecules, low-density thin film is more hydrated. So to suppress hydration of MgO thin films, high-density thin film is needed.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2006년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.390-392
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• 2006

단일 서스테인 구동회로서 패널을 수평으로 이등 분할하고 직렬 연결하여 구동회로의 전류 스트레스를 저감하는 새로운 단일 에너지 회수 서스테인 구동회로를 제안한다. 기존의 단일 서스테인 구동회로는 +Vs 및 -Vs의 양극성 전원을 사용함에 따라 기존 구동회로에 비해 전류 스트레스는 그대로이면서 스위치 전압 스트레스가 두 배가 되어 회로 손실 및 발열이 높은 단점을 가지고 있다. 이를 개선하기 위해 제안하는 패널 분할 직렬 연결 단일 에너지 회수 서스테인 구동회로는 패널을 수평으로 이등 분할하고 하프 브리지 인버터를 각각 연결하여 구동 회로의 가스 방전 전류 및 패널 캐패시터의 변위 전류를 기존의 절반으로 줄여 스위치들의 전류 스트레스를 저감하게 된다. 또한 에너지 회수 회로는 능동소자로서 단 하나의 스위치와 단하나의 다이오드만을 사용하므로 그 구조가 단순하여 원가를 절감할 수 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.229-229
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• 1999

교류형 플라즈마 방전 표시기(AC Plasma Display Panel, AC PDP)의 구동에서의 방전 현상은 기입방전, 유지방전, 소거 방전이 있다. 이중 유지 방전은 표시장치로서의 휘도와 계조의 표현을 위한 방전으로 표시기로서의 효율을 결정하게 된다. 본 연구에서는 유지 방전 전압의 상승 시간의 변화에 따른 방전현상과 휘도, 효율의 변화를 살펴 보았다. 방전 현상에서의 가장 큰 변화는 교류형 플라즈마 방전 표시기의 방전 개시 전압과 방전 유지 전압의 변화이다. 유지 전압의 상승시간이 증가할수록 방전 개시 전압과 방전 유지 전압의 변화이다. 유지 전압의 상승 시간이 증가할수록 방전 개시 전압과 방전 유지 전압의 차(sustain margin)는 감소하여 상승 시간이 1$\mu$s/100V 이상의 영역에서는 방전 개시 전압과 방전 유지 전압이 차이가 없어지게 된다. 이는 방전 유지 전극 위의 유전체에 쌓이게 되는 벽전하(wall charge) 양의 감소에 의한 방전 약화의 영향을 보여질 수 있다. 그러나 방전 유지 전압의 형태와 전류의 시간적인 변화를 살펴보면 이러한 약한 방전은 벽전하의 감소에 의한 방전 시의 전계 감소보다는 방전 전류의 발생 시간이 방전 전압이 증가하여 최고점에 이르지 못한 시간에 위치하여 방전이 형성될 때의 전계가 강하지 못하기 때문인 것을 알 수 있다. 방전 전류를 측정한 결과에 의하면 방전 전류의 시작은 변위 전류가 흐르고 난 후부터 시작되며 그 결과 방전 전류가 최고점에 도달하는 시간은 방전 전압 상승 시간이 길어질수록 낮은 전압에서 형성되게 된다. 또한 방전 유지 전압의 상승 시간이 길어질수록 플라즈마 방전표시기의 휘도와 효율은 낮아지고 이 결과 또한 약한 전계에서의 방전에 의한 결과로 생각되어진다.플라즈마의 강도값을 입력하여 플라즈마의 radiation을 검출하고, 스퍼터링 공정중 실질적인 in-situ 정보로 이용하였다. PEM을 통하여 In/Sn의 플라즈마 강도변화를 조사하였다. 초기 In/Sn의 플라즈마 강도(intensity)는 강도를 100하여, 산소를 주입한 결과, plasma intensity가 35 줄어들었고, 이때 우수한 ITO 박막을 얻을 수 있었다. Pulsed DC power를 사용하여 아크 현상을 방지하였다. PET 상에 coating 된 ITO 박막의 표면저항과 광투과도는 4-point prove와 spectrophotometer를 이용하여 분석하였고, AES로 박막의 두께에 따른 성분비를 확인하였다. ITO 박막의 광투과도는 산소의 유량과 sputter 된 In/Sn ion의 plasma emission peak에 따라 72%-92%까지 변화하였으며, 저항은 37$\Omega$/$\square$ 이상을 나타내었다. 박막의 Sn/In atomic ratio는 0.12, O/In의 비율은 In2O3의 화학양론적 비율인 1.5보다 작은 1.3을 나타내었다.로 보인다.하면 수평축과 수직축의 분산 장벽의 비에 따라 cluster의 두께비가 달라지는 성장을 볼 수 있었고, 한 축 방향으로의 팔 넓이는 fcc(100) 표면의 경우 동일한 Ed+Ep값에 대응하는 팔 넓이와 거의 동일한 결과가 나타나는 것을 볼 수 있다. 따라서 이러한 비대칭적인 모양을 가지는 성장의 경우도 cluster 밀도, cluster 모양, cluster의 양 축 방향 길이 비, 양 축 방향의 평균 팔 넓이로부터 각 축 방향의 분산 장벽을 얻어낼 수 있을 것으로 보인다. 기대할 수 있는 여러 장점들을 보고하고자 한다.성이 우수한 시

• 한국진공학회지
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• 제15권3호
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• pp.259-265
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• 2006

[ $RF-O_2$ ] plasma 처리한 MgO 박막의 스퍼터링 수율을 집속이온빔 장치를 이용하여 측정하였다. 가속 전압 10 kV의 Ga 이온빔을 주사했을 때 plasma 처리하지 않은 MgO 박막의 스퍼터링 수율은 0.33 atoms/ion, $RF-O_2$ plasma 처리한 MgO 박막의 스퍼터링 수율은 0.20 atoms/ion 으로 $RF-O_2$ plasma 처리한 경우 스퍼터링 수율이 낮아졌다. 또한 XPS, AFM을 통해 plasma 처리로 인한 MgO 표면의 변화를 관찰하였다. MgO 박막에 $RF-O_2$ plasma 처리한 후 XPS O 1s spectra의 binding energy와 FWHM 값이 각각 2.36 eV와 0.6167 eV 작아졌고 표면거칠기의 RMS 값 또한 0 32 nm 작아졌다.

• 한국진공학회지
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• 제15권4호
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• pp.395-403
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• 2006

[ $MgAl_2O_4$ ] 막은 MgO 보호막 보다 단단하며 수분 흡착 오염 문제에 상당히 강한 특성을 가진다. 본 연구에서 AC-PDP 의 유전체보호막으로 사용되는 MgO 보호막의 특성을 개선하기 위해 $MgAl_2O_4/MgO$ 이중층 보호막을 제작하여 특성을 조사하였다. 전자빔 증착기를 사용하여 Cu 기판에 MgO 와 $MgAl_2O_4$을 각각 $1000\AA$ 두께로 증착, $MgAl_2O_4/MgO$ 을 $200/800\AA$ 두께로 적층 증착 후, 이온빔에 의한 충전현상을 제거하기 위해 Al 을 $1000\AA$ 두께로 증착하였다. 집속 이온빔 (focused ion beam: FIB) 장치를 이용하여 10 kV 에서 14 kV 까지 이온빔 에너지에 따라 MgO는 $0.364{\sim}0.449$ 값의 스퍼터링 수율에서 $MgAl_2O_4/MgO$ 을 적층함으로 $24{\sim}30 %$ 낮아진 $0.244{\sim}0.357$ 값의 스퍼터링 수율이 측정되었으며, $MgAl_2O_4$는 가장 낮은 $0.088{\sim}0.109$ 값의 스퍼터링 수율이 측정되었다. g-집속이온빔 (g-FIB) 장치를 이용하여 $Ne^+$ 이온 에너지를 50 V 에서 200 V 까지 변화시켜 $MgAl_2O_4/MgO$ 와 MgO 는 $0.09{\sim}0.12$의 비슷한 이차 전자방출 계수를 측정하였다. AC- PDP 셀의 72 시간 열화실험 후 SEM 및 AFM으로 열화된 보호막의 표면을 관찰하여 기존의 단일 MgO 보호막과 $MgAl_2O_4/MgO$의 적층보호막의 열화특성을 살펴보았다.