• 한국재료학회지
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• 제22권7호
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• pp.352-357
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• 2012

$SnO_2$-mixed and Sn-doped $TiO_2$ nanoparticles were synthesized via a hydrothermal process. $SnO_2$-mixed $TiO_2$ nanoparticles prepared in a neutral condition consisted of anatase $TiO_2$ nanoparticles(diamond shape, ~25 nm) and cassiterite $SnO_2$ nanoparticles(spherical shape, ~10 nm). On the other hand, Sn-doped $TiO_2$ nanoparticles obtained under a high acidic condition showed a crystalline phase corresponding to rutile $TiO_2$. As the Sn content increased, the particle shape changed from rod-like(d~40 nm, 1~200 nm) to spherical(18 nm) with a decrease in the particle size. The peak shift in the XRD results and a change of the c-axis lattice parameter with the Sn content demonstrate that the $TiO_2$ in the rutile phase was doped with Sn. The photocatalytic activity of the $SnO_2$-mixed $TiO_2$ nanoparticles dramatically increased and then decreased when the $SnO_2$ content exceeded 4%. The increased photocatalytic activity is mainly attributed to the improved charge separation of the $TiO_2$ nanoparticles with the $SnO_2$. In the case of Sn-doped $TiO_2$ nanoparticles, the photocatalytic activity increased slightly with the Sn content due most likely to the larger energy bandgap caused by Sn-doping and the decrease in the particle size. The $SnO_2$-mixed $TiO_2$ nanoparticles generally exhibited higher photocatalytic activity than the Sn-doped $TiO_2$ nanoparticles. This was caused by the phase difference of $TiO_2$.

• 대한금속재료학회지
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• 제48권12호
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• pp.1084-1089
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• 2010

This study elucidates the formation mechanism of SnO plate observed during the precipitation reaction of a $SnCl_2$ aqueous solution. $Sn_{21}Cl_{16}(OH)_{14}O_6$ and $Sn_6O_4(OH)_4$ precipitates was formed at pH=3~5 and at pH=11, respectively. When the pH was in the range of 11.5~12.5, the $Sn_6O_4(OH)_4$ precipitates dissolved into $HSnO_2{^-}[Sn_6O_4(OH)_4+4OH^-={6HSnO_2{^-}+2H^+]$ and dissolved $HSnO_2{^-}$ ions reprecipitated to SnO plate $[HSnO_2{^-}+H^+=SnO+H_2O]$. The $Sn_6O_4(OH)_4$ precipitates completely transformed into SnO plate through a repeated process of dissolution-precipitation in the range of pH=11.5~12.5.

• 정보과학회 컴퓨팅의 실제 논문지
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• 제24권3호
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• pp.129-137
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• 2018

낸드 플래시 메모리 기반의 NVMe(Non-Volatile Memory express) SSD(Solid State Drive)는 멀티 I/O 큐 환경을 제공하는 PCIe 인터페이스 기반에 NVMe 프로토콜을 사용하는 저장장치이다. NVMe SSD는 Multi-core 시스템에서 병렬 I/O 처리가 가능하고 SATA SSD에 비해 대역폭이 크며 대용량의 저장 공간을 제공하기 때문에 데이터 센터, 클라우드 컴퓨팅 등에 사용될 차세대 저장장치로 주목받고 있다. 하지만 가상화 시스템에서는 소프트웨어 I/O 스택의 병목으로 인하여 NVMe SSD의 성능을 충분히 활용하지 못하고 있다. 특히, Xen과 KVM과 같이 호스트 시스템의 I/O 스택을 사용하는 경우에는, 호스트 시스템과 가상머신의 중복된 I/O 스택을 통해서 입출력이 처리되기 때문에 성능 저하가 크게 발생한다. 본 논문에서는 NVMe SSD에 직접 접근하는 기술을 KVM 가상화 시스템에 적용함으로써 가상 머신 I/O의 성능을 향상시키는 Direct-AIO (Direct-Asynchronous I/O)엔진을 제안한다. 그리고 QEMU 에뮬레이터에 제안한 엔진을 개발하고 기존의 I/O 엔진과의 성능 차이를 비교 및 분석한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.1057-1060
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• 2001

By comparison of the experimental results in two systems of ZnO varistors, its appear that Sb$_2$O$_3$is the indispensable element for twinning in ZnO varistors, and the Zn$_{7}$Sb$_2$O$_{12}$ spinel acts as the nucleus to form twins. A1$_2$O$_3$is not the origin of twinning in ZnO varistor, but it was found that A1$_2$O$_3$could strengthen the twinning and form a deformation twinning by ZnA$_{12}$O$_4$-dragging and pinning effect. The inhibition ratios of grain growth and nonuniformity of two systems ZnO varistors increase with the increase of A1$_2$O$_3$content. The twins affect the inhibition of grain growth, the mechanism could be explained follow as : twins increase the mobility viscosity of ZnO grain and grain boundary, and drag ZnO grain and liquid grain boundary during the sintering, then the grain growth is inhibited, and the microstructure becomes more uniform.orm.m.

• 대한화학회지
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• 제18권4호
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• pp.267-271
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• 1974

네자리 schiff base 리간드로서 N,N-비스(살리실알데히드)에틸렌디이민과 Mo(IV), Mo(V), Mo(VI) 및 Mo(III)의 각 산화상태인 몰리브덴이온들과의 반응으로서 새로운 착물$[MoO_2(C_{16}H_{14}O_2-N_2)], [MoO(C_{16}H_{14}O_2N_2)]_2O, (Mo(SCN)(C_{16}H_{14}O_2N_2)]_2O$들을 합성하였다. 이들 착물들은 리간드와 몰리브덴의 몰비가 1:1이며, 6배위의 가상적인 구조로 주어짐을 원소 분석치와 가시부 및 적외선 흡수스펙트럼, T.G.A., D.T.A. 및 X-ray 회절의 고찰로서 알아보았다.

• 생명과학회지
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• 제23권4호
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• pp.586-594
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• 2013

단백질 번역 후 O-GlcNAc 수식은 단백질 조절의 새로운 기전으로 대두되고 있다. 전통적인 당수식과 달리 O-GlcNAc 수식은 단 한번의 O-GlcNAc 전달로 이루어지며, 핵 및 세포질단백질 모두에 수식될 수 있다. O-GlcNAc은 이 분자를 끝으로 하는 최종수식으로 생각되어 왔으나, 최근의 논문(J Proteome Res. 2011 10:2725-2733)은 AP180 단백질에 O-GlcNAc-P가 존재함을 보고하였다. 이 논문은 O-GlcNAc-P가 일반적인 단백질수식인지에 대한 중요한 질문을 던진다. 이에 답하고자 저자들은 HEK293T 세포에 O-GlcNAc 인산화효소 NAGK를 DsRed2에 연결한 DsRed2-$NAGK_{WT}$ 혹은 효소활성이 없는 돌연변이 NAGK를 표현하는 DsRed2-$NAGK_{D107A}$를 표현시키고, 단백질 추출물을 얻어 2D-PAGE로 분리한 후 인산화 정도를 측정하여, $NAGK_{WT}$에 의하여 인산화가 증가되는 15개의 단백질 스폿을 선별하였다. 이 가운데 7개 스팟을 동정한 결과 2개의 스폿은 O-GlcNAc 수식 단백질인 $HSP90{\beta}$, 다른 2개의 스폿도 O-GlcNAc 수식 단백질인 ENO1로 동정되었으며, 나머지(dUTP nucleotidohydrolase mitochondrial isoform 2, glutathione S-transferase P, grp94)는 O-GlcNAc 수식 여부를 아직 모르는 단백질이였다. NAGK에 의하여 O-GlcNAc 단백질의 인산화가 증가된다는 사실은 O-GlcNAc이 인산화되어 O-GlcNAc-P로 수식됨을 시사하며, 따라서 본 연구의 결과는 O-GlcNAc이 최종 수식이 아님을 지지한다.

• 대한수학회보
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• 제30권1호
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• pp.117-124
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• 1993

In this paper, we introduce a concept of quasi $O_{z}$ -spaces which generalizes that of $O_{z}$ -spaces. Indeed, a completely regular space X is a quasi $O_{z}$ -space if for any regular closed set A in X, there is a zero-set Z in X with A = c $l_{x}$ (in $t_{x}$ (Z)). We then show that X is a quasi $O_{z}$ -space iff every open subset of X is $Z^{#}$-embedded and that X is a quasi $O_{z}$ -spaces are left fitting with respect to covering maps. Observing that a quasi $O_{z}$ -space is an extremally disconnected iff it is a cloz-space, the minimal extremally disconnected cover, basically disconnected cover, quasi F-cover, and cloz-cover of a quasi $O_{z}$ -space X are all equivalent. Finally it is shown that a compactification Y of a quasi $O_{z}$ -space X is again a quasi $O_{z}$ -space iff X is $Z^{#}$-embedded in Y. For the terminology, we refer to [6].[6].

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.190-197
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• 2002

In this thesis, ZnO varistors with various formulation, such as A∼E, were fabricated according to ceramic fabrication method. The microstructure, electrical properties, and surge characteristics of ZnO varistors were investigated according to ZnO varistors with various formulation. In the microstructure, A∼E\`s ZnO varistor ceramics sintered at 1130$\^{C}$ was consisted of ZnO grain(ZnO), spinel phase (Zn$\_$2.33/Sb$\_$0.67/O$\_$4/), Bi-rich phase(Bi$_2$O$_3$) and intergranuler phase, wholly. Lightning impulse residual voltage of A, B, C and E\`s ZnO varistors suited standard characteristics, below 12kV at current of 5kA. On the contrary, D\`s ZnO varistor exhibited high residual voltage as high reference voltage. In the accelerated aging test, leakage current and watt loss of B, C and D\`s ZnO varistors increases abruptly with stress time under the first a.c. stress(115$\^{C}$/3.213kV/300h). Consequently, C varistor exhibited a thermal run away. On the contrary, leakage current and watt loss of A and C\`s ZnO varistors which show low initial leakage current exhibited constant characteristics. After high current impulse test, A\`s ZnO varistor has broken the side of varistor but impulse current flowed. On the contrary, E\`s ZnO Varistor exhibited good discharge characteristics which the appearance of varistor was not wrong such as puncture, flashover, creaking and other significant damage. After long duration impulse current test, E\`s ZnO varistor exhibited good discharge characteristics which the appearance of varistor was not wrong such as puncture, flashover, creaking and other significant damage. After high current impulse test and long duration impulse current test, E\`s ZnO varistor exhibited very good characteristics which variation rate of residual voltage is 1.4% before and after test.

• 한국세라믹학회지
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• 제26권2호
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• pp.210-220
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• 1989

The properties of the powder of Al2O3-15v/o ZrO2(＋3m/o Y2O3) system prepared by co-precipitation method at the pH values of 7, 9, 10 and 11 were investigated. Al2(SO4)3.18H2O, ZrOCl2.8H2O and YCl3.6H2O were used as starting materials and NH4OH as a precipitation agent. Zirconium hydroxide decreased the specific surface area of aluminum hydroxide of AlOOH type, while increased the specific surface area of aluminum hydroxide of Al(OH)3 type, and formed co-network structure of Al-O-Zr type with the aluminum hydroxides. The rate of transition to $\alpha$-Al2O3 from co-precipitated materials occurred in the order of 7≒10, 9 and 11 of pH values. Al2O3 and ZrO2 interacted to bring about coupled grain growth, and the growth of ZrO2 crystallite size rapidly occurred within $\theta$-Al2O3 matrix. Segregation did not occur in the system Al2O3-15v/o ZrO2(＋3m/o Y2O3) and Y2O3 acted as a stabilizer to ZrO2. The lattice strain of tetragonal ZrO2 was increased by the constraint effect of Al2O3 matrix.

• 한국세라믹학회지
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• 제41권1호
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• pp.57-61
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• 2004

Zinc Oxide (ZnO)은 wurtzite 결정구조를 가지고 있으며, 밴드갭 에너지가 약 3.3eV로 반도성 산화물이다. $In_2O_3$이 첨가된 ZnO 박막을 점자빔증착법을 이용하여 1737F 유리기판에 제조하였다. $400^{\circ}C$의 증착온도에서 $In_2O_3$의 첨가량에 따른 ZnO 박막의 결정성, 미세구조를 비롯한 전기.광학적 특성을 조사하였다. 첨가되는 $In_2O_3$의 양에 따라 투명전도성 산화막으로써의 ZnO 박막의 특성이 변화되었다. $In_2O_3$의 첨가량이 감소할수록 비정질상에서 결정성의 ZnO 막을 얻을 수 있었다. 0.2at%의 $In_2O_3$가 첨가된 출발물질에서 제조된 $In_2O_3$-doped ZnO막은 약 $6.0 {\times} 10^{-3} {\Omega}cm$ 정도의 비저항값과 가시광선 영역에서 85% 이상의 광투과도를 나타내었다.