• 제목/요약/키워드: 4-transistor cell

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TFT-LCD 공장의 생산계획 수립에 관한 연구 (A Study of Production Scheduling Scheme in TFT-LCD Factory)

  • 나혁준;백종관;김성식
    • 산업공학
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    • 제15권4호
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    • pp.325-337
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    • 2002
  • In this study we consider the problem of production planning of TFT-LCD(Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display) production factory. Due to the complexities of the TFT-LCD production processes, it is difficult to schedule the production planning, and the study about automated scheduler is insufficient. In addition, the existing production method is a Push-System to raise the operation rate with expensive equipment, that has the problem to satisfy the due-date. This study presents an algorithm having a concept of Pull-System that satisfies the due-date and considers specialties of TFT-LCD production process. We make MPS(Master Production Schedule) according to the sales order, and present algorithms for scheduling about In/Out plan considering factory capacity, line balancing, material requirement, and inventory level of all Array, Cell, and Module processes. These algorithms are integrated as an automated production system, and we implement them in the actual TFT-LCD factory circumstance.

A 3-stage Wideband Q-band Monolithic Amplifier for WLAN

  • Kang, Dong-Min;Lee, Jin-Hee;Yoon, Hyung-Sup;Shim, Jae-Yeob;Lee, Kyung-Ho
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -2
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    • pp.1054-1057
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    • 2002
  • The design and fabrication of Q-band 3-stage monolithic microwave integrated circuit(MMIC) amplifier for WLAN are presented using 0.2$\square$ AIGaAs/lnGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT). In each stage of the MMIC, a negative feedback is used for both broadband and good stability. The measurement results are achieved as an input return loss under -4dB, an output return loss under -10dB, a gain of 14dB, and a PldB of 17dBm at Q-band(36~44GHz). These results closely match with design results. The chip size is 2.8${\times}$1.3mm$^2$. This MMIC amplifier will be used as the unit cell to develop millimeter-wave transmitters for use in wideband wireless LAN systems.

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광전소자를 이용한 전류안정부저항 특성회로의 구성 (A Study on Composition of Current Stable Negative Resistance Circuitwith LED and CdS.)

  • 박의열;도시홍;문재덕
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제12권5호
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    • pp.1-5
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    • 1975
  • 접합형 트린지스터와 발광다이오드(LED) 및 광도전소자(CdS)로서 구성된 광결합 전류안정부저항회로를 진안하였다. 이는 일반적으로 광트랜지스터보다도 더 예민한 것을 이용하여, CdS와 LED를 밀착 시켜서 LED에 흐르는 전류와 CdS의 실효저항변화로써 결합된 광결합방식을 택하였다. 트랜지스터의 콜랙터-에미터간에 인위적인 누변저항을 삽입하는 방법을 도입함으로써 부저항치 및 최대입력단자전압치를 임의로 변화할 수 있게 하였으며, 제안한 회로를 분석하고 또 이를 실험적으로 확인하였다. 누변저항을 1KΩ에서 30KΩ까지 변화시켰을 때 최대입력단자전압은 1.65V에서 4.22V로 변하였고, 부저항치는 -1.0KΩ에서 -10.0KΩ까지 변하였다. 또 실험치에 대한 계산치에의 상대백분최대오차가 11%이었다. A current stable negative resistance circuit has been constucted with combination of coulplementary symmetrical transistors, a light emitting diode and a photoconductive cell. The negative resistance(Rn) and break-over voltage(VBo) can be set at a designed value according to adjustment of the artificial leakage resistance of p-n-p transistor. The RN and VBo calculated in this designed circuit are checked though the experiments, the errors are found less than 11%.

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Conventional and Inverted Photovoltaic Cells Fabricated Using New Conjugated Polymer Comprising Fluorinated Benzotriazole and Benzodithiophene Derivative

  • Kim, Ji-Hoon;Song, Chang Eun;Kang, In-Nam;Shin, Won Suk;Zhang, Zhi-Guo;Li, Yongfang;Hwang, Do-Hoon
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제35권5호
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    • pp.1356-1364
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    • 2014
  • A new conjugated copolymer, poly{4,8-bis(triisopropylsilylethynyl)benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-alt-4,7- bis(5-thiophen-2-yl)-5,6-difluoro-2-(heptadecan-9-yl)-2H-benzo[d][1,2,3]triazole} (PTIPSBDT-DFDTBTz), is synthesized by Stille coupling polycondensation. The synthesized polymer has a band gap energy of 1.9 eV, and it absorbs light in the range 300-610 nm. The hole mobility of a solution-processed organic thin-film transistor fabricated using PTIPSBDT-DFDTBTz is $3.8{\times}10^{-3}cm^2V^{-1}s^{-1}$. Bulk heterojunction photovoltaic cells are fabricated, with a conventional device structure of ITO/PEDOT:PSS/polymer:$PC_{71}BM$/Ca/Al ($PC_{71}BM$ = [6,6]-phenyl-$C_{71}$-butyric acid methyl ester); the device shows a power conversion efficiency (PCE) of 2.86% with an open-circuit voltage ($V_{oc}$) of 0.85 V, a short-circuit current density ($J_{sc}$) of 7.60 mA $cm^{-2}$, and a fill factor (FF) of 0.44. Inverted photovoltaic cells with the structure ITO/ethoxylated polyethlyenimine/ polymer:$PC_{71}BM/MoO_3$/Ag are also fabricated; the device exhibits a maximum PCE of 2.92%, with a $V_{oc}$ of 0.89 V, a $J_{sc}$ of 6.81 mA $cm^{-2}$, and an FF of 0.48.

회로 크기 축소를 기반으로 하는 저 전력 암호 설계 (Low Power Cryptographic Design based on Circuit Size Reduction)

  • 유영갑;김승열;김용대;박진섭
    • 한국콘텐츠학회논문지
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    • 제7권2호
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    • pp.92-99
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    • 2007
  • 본 논문은 기존의 블록 암호 프로세서를 128-bit 구조에서 32-bit구조로 소형화시킨 저 전력 구조를 제안하였다. 본 논문의 목적은 암호 이론 연구가 아닌 실용화 연구로서 실용화 결과를 보이는 것이다. 제안된 구조는 하드웨어 크기를 줄이기 위해 데이터 패스와 확산 함수가 수정되었다. 저전력 암호회로의 예로서 ARIA 알고리즘을 고쳐서 4개의 S-box가 사용되었다. 제안된 32-bit ARIA는 13,893 게이트로 구성되어있으며 기존 128-bit 구조보다 68.25% 더 작다. 설계된 회로는 매그너칩스의 0.35um CMOS 공정을 기반으로 표준 셀 라이브러리를 이용하여 합성되었다. 트랜지스터 레벨에서 전력 시뮬레이션 결과 이 회로의 전력 소모는71MHz에서 기존의 128-bit ARIA구조의 9.7%인 61.46mW으로 나타났다. 이 저전력 블록 암호 회로는 전원이 없는 무선 센서 네트워크 또는 RFID 정보보호에 핵심요소가 될 것이다.

낮은 전류-입력 임퍼던스를 갖는 A급 바이폴라 전류 콘베이어(CCII)와 그것의 오프셋 보상된 CCII 설계 (A Design of Class A Bipolar Current Conveyor(CCII) with Low Current-Input Impedance and Its Offset Compensated CCII)

  • 차형우
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제38권10호
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    • pp.754-764
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    • 2001
  • 고정도 전류-모드 신호 처리를 위한 낮은 전류-입력 임피던스를 갖는 A급 바이폴라 제 2세대 전류 콘베이어(CCII)와 그것의 오프셋 보상된 CCII를 제안하였다. 제안한 CCII는 전류 입력을 위한 정류된 전류-셀, 전압 입력을 위한 이미터 폴로워, 그리고 전류 출력을 위한 전류 미러로 구성된다. 이 구성에서, 전류 입력단자의 임피던스를 줄이기 위해 두 입력 단은 전류 미러에 의해 결합되었다. 실험 결과, CCII의 전류 입력단자의 임피던스는 8.4 Ω 이하였고, 전류 입력 단자의 오프셋 전압은 40 mV로 나타났다. 이 오프셋을 줄이기 위하여 오프셋 보상된 CCII는 제안한 CCII의 회로 구성에 다이오드-결선된 npn과 pnp 트랜지스터를 첨가시켰다. 실험 결과, 오프셋 보상된 CCII의 전류 입력 단자의 임피던스는 2.1Ω이하였고, 전압 오프셋은 0.05mV로 나타났다. 제안한 두 CCII을 전압 폴로워로 사용할 때 3-dB 차단 주파수는 30 MHz이었다. 전력 소비는 6 mW이다.

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직렬 ATA용 8b/10b 인코더와 디코더 설계 및 구현 (Design and Implementation of 8b/10b Encoder/Decoder for Serial ATA)

  • 허정화;박노경;박상봉
    • 한국통신학회논문지
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    • 제29권1A호
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    • pp.93-98
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    • 2004
  • 직렬 ATA(Advanced Technology Attachment) 인터페이스는 비교적 저렴하고 성능이 우수하며. 현재 고속의 데이터 전송과 처리량을 요구하는 수요에 적합한 기술이다. 본 논문에서는 직렬 ATA의 링크층에서 오류 감지와 직류 balance를 위한 동작 주파수 150MHz에서의 Bb/10b 인코더 및 디코더의 설계 및 구현 방법과 제작된 칩의 테스트를 위한 테스트 보드 및 테스트 방법을 제시하였다. 제안된 인코더 및 디코더는 각각 5b/6b 과 3b/4b으로 나뉘어서 인코딩 되도록 설계하였으며, Top-Down 설계 방식을 사용하여 Verilog HDL로 기술하고. Synopsys로 합성된 넷리스트로 게이트 수준의 동작을 확인하였다 제작된 칩은 삼성 $0.35{\mu}m$ CMOS 표준 셀 라이브러리를 이용하였고. 칩 면적은 1.5mm * 1.5mm 이며. 전원 전압은 3.3V를 사용하였다. 테스트 보드 및 FPGA를 통하여 생성된 입력 테스트 벡터를 이용하여 100MHz로 정상 동작 검증을 테스트하였고, ATS2 테스트 장비를 이용하여 100MHz 동작 검증을 하였다. 본 논문에서 제안된 Bb/10b 인코더 및 디코더 블록은 고속의 데이터 통신을 위한 IP로써 활용 가능하다.

Synthesis and Characterization of Quinoxaline-Based Thiophene Copolymers as Photoactive Layers in Organic Photovoltaic Cells

  • Choi, Yoon-Suk;Lee, Woo-Hyung;Kim, Jae-Ryoung;Lee, Sang-Kyu;Shin, Won-Suk;Moon, Sang-Jin;Park, Jong-Wook;Kang, In-Nam
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제32권2호
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    • pp.417-423
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    • 2011
  • A series of new quinoxaline-based thiophene copolymers (PQx2T, PQx4T, and PQx6T) was synthesized via Yamamoto and Stille coupling reactions. The $M_ws$ of PQx2T, PQx4T, and PQx6T were found to be 20,000, 12,000, and 29,000, with polydispersity indices of 2.0, 1.2, and 1.1, respectively. The UV-visible absorption spectra of the polymers showed two distinct absorption peaks in the ranges 350 - 460 nm and 560 - 600 nm, which arose from the ${\pi}-{\pi}^*$ transition of oligothiophene units and intramolecular charge transfer (ICT) between a quinoxaline acceptor and thiophene donor. The HOMO levels of the polymer ranged from -5.37 to -5.17 eV and the LUMO levels ranged from -3.67 to -3.45 eV. The electrochemical bandgaps of PQx2T, PQx4T, and PQx6T were 1.70, 1.71, and 1.72 eV, respectively, thus yielding low bandgap behavior. PQx2T, PQx4T, and PQx6T had open circuit voltages of 0.58, 0.42, and 0.47 V, and short circuit current densities of 2.9, 5.29 and 9.05 mA/$cm^2$, respectively, when $PC_{71}BM$ was used as an acceptor. For the solar cells with PQx2T-PQx6T:$PC_{71}BM$ (1:3) blends, an increase in performance was observed in going from PQx2T to PQx6T. The power conversion efficiencies of PQx2T, PQx4T, and PQx6T devices were found to be 0.69%, 0.73%, and 1.80% under AM 1.5 G (100 mW/$cm^2$) illumination.

저전압 저전력 바이폴라 선형 트랜스컨덕터와 이를 이용한 OTA에 관한 연구 (A Study of Low-Voltage Low-Power Bipolar Linear Transconductor and Its Application to OTA)

  • 신희종;정원섭
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제37권1호
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    • pp.40-48
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    • 2000
  • 저전압 저전력 신호 처리를 위한 새로운 바이폴라 선형 트랜스컨덕터와 이것을 이용한 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기를 제안한다. 이 트랜스컨덕터는 이미터 디제네레이션 저항을 갖는 npn 차동쌍과 이 차동쌍에 직렬로 연결된 pnp 차동쌍으로 구성된다. 이 구성에서 넓은 선형성과 온도 안정성을 위해 pnp 차동쌍의 바이어스 전류는 npn 차동쌍의 출력 전류를 사용하고 있다. 제안한 OTA는 선형 트랜스컨덕터와 세 개의 전류 미러를 갖는 트랜스리니어 전류 셀로 구성된다. 제안된 트랜스컨덕터는 종래의 그것과 비교하였을 때 우수한 선형성과 저전압 저전력 특성을 갖는다. 실험 결과, 50 ${\mu}S$의 트랜스컨덕턴스를 갖는 트랜스컨덕턴스가 공급 전압 ${\pm}$3V에서 입력 전압 범위가 -2V에서 +2V 사이에 ${\pm}$0.06% 보다 작은 선형 오차를 갖는다. 전력 소비는 2.44 mW이다. 25 ${\mu}S$의 트랜스컨덕턴스를 갖는 OTA 시작품을 바이폴라 트렌지스터 어레이를 가지고 만들었다. OTA의 선형성은 제안한 트랜스컨덕터와 같다. OTA 회로는 또한 0.5 S/A의 감도로 바이어스 전류 변화에따라 4-디케이드(decade)에 걸쳐서 선형적인 트랜스컨덕턴스를 갖는다.

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