• 한국통신학회논문지
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• 제17권10호
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• pp.1074-1080
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• 1992

새로운 (5.8)블록 2진 선로부호를 제안하였다. 제안된 선로부호 MB58은 무직류(DC-free)성질 및 유한 연속장(runlength limited) 성질을 만족할 뿐만아니라, 대역폭이 나이퀴스트 주파수로 제한되므로 대역폭 효율이 개선된다. 또한 이 부호는 memoryless 부호이고, 오류 발생을 검출해 낼 수 있는 장점이 있으며 복호규칙이 간단하다. 제안된 선로부호에 대한 전력스펙트럼에서 DC(f=0)및 나이퀴스트 주파수(f=1/2Ts)에서 전력 영점이 존재함을 시뮬레이션을 통해 확인하였으며 눈 모양의 시뮬레이션을 통해 눈이 충분히 크게 됨을 확인하였다.

• 전기학회논문지
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• 제60권12호
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• pp.2305-2310
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• 2011

This paper describes a design of dual band balanced amplifier using a lefted handed meta-material transmission line structure for high frequency application. Meta-material transmission lines have been known to have dual band frequency responses. A dual band branch line hybrid coupler is designed using the meta-material transmission lines, and measured at first. Two identical dual band amplifiers are also designed, built and tested using the same meta-material transmission structure. The proposed dual band balanced amplifier is composed of those dual band branch line hybrid coupler and amplifiers. In order to suggest an design example, a prototype of dual band balanced amplifier is built and measured at the dual frequencies, 1800MHz($f_1$) and 2300MHz($f_2$). The simulation and measurement show that the fabricated balanced amplifier operates well at the desired dual frequencies bands with the gain of 11.12dB and 17.67dB at $f_1$ and $f_2$, respectively, with a good agreement with the simulation results.

• 한국전자파학회논문지
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• 제14권5호
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• pp.513-520
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• 2003

본 논문에서는 feedforward 구조와 DGS 마이크로스트립 전송선로를 이용한 새로운 2차 주파수 체배기를 제안하였다. Feedforward 구조는 기본 주파수 신호를 억압하는 역할을 하며, DGS 마이크로스트립 전송선로는 3차 이상의 고조파 신호들을 억압하는 데 사용된다. 제안된 2차 주파수 체배기는 불요파 신호들을 효과적으로 쉽게 억압 할 수 있다. 실험적으로 제안된 방법을 1.87 GHz 신호를 3.74 GHz 신호로 체배하는데 적용하였다. 3.74GHz(If))에서의 출력 전력이 -3 dBm일때, 기본 주파수 신호(1,)는 42.9 dB, 3차 고조파 신호(If,)는 20.2 dB, 4차 고조파 신호(4f))는 29.7 dB의 억압 특성을 얻었다. 100 MHz 대역폭에서 변환 손실은 -2.34 dB ~ -5.8dB 였고, 위상잡음 특성은 -97.51 dB/Hz(＠10 kHz)으로 나타났다.

• 생명과학회지
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• 제12권1호
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• pp.67-76
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• 2002

Agrobacterium(LBA4404/pBI1121)을 이용하여 형질전환된 애기장대 (Arabidopsis thaliana)를 대상으로 T2, T3, F3세대에서의 도입된 외래 유전자의 비활성화 현상을 조사하였다. Kanamaycin저항성 개체들의 GUS유전자 발현을 분석한 결과, T2세대에서 조사된 12계통 중 5계통에서 GUS 비활성 개체가 관찰되었다 (GUS유전자 비활성율 2.3%). Multi copy T-DNA 계통을 조사한 결과, GUS 비활성 정도가 더욱 심해짐이 관찰되었다 (5.8%). T3 세대에서 single copy T-DNA 계통들은 1.3%의 GUS 비활성율을 보인 반면, multi-copy T-DNA 계통에서의 비활성율은 12.6%로 급격히 증가하였다. 유사한 현상이 형질전환 식물체와 정상개체를 교배하여 생산된 F2 계통에서도 관찰되었다 (비활성율 9.9%). 본 실험으로 식물체에 도입된 외래 유전자가 후대에서의 전이과정동안 점진적으로 비활성화되고, 이 현상은 multi copy T-DNA 계통에서 훨씬 심각함이 밝혀졌다.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권8호
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• pp.10-17
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• 1992

A new line code design technique based on the BUDA(Binary Unit DSV and ASV) concept is introduced. The new line code called MB34 and designed by this new technique is of the minimum bandwidth, dc-free, and runlength limited. To confirm the performance of the new code, its power spectrum and eye pattern are obtained, wherein spectral nulls at dc(f=0) and Nyguist frequency (f=1/2Ts) are clearly identified. It is also discussed how the transmission errors can be detected by monitoring the DSV, the ASV, and the runlength.

• Journal of Mechanical Science and Technology
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• 제20권10호
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• pp.1653-1661
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• 2006

AC induction motors have been widely used for fan motor of the air conditioner indoor unit. Noise of these AC induction motors is usually caused by the coupling effects of structural and electrical systems. The rotating torque and the noise from AC induction motor were discussed in this paper,. First, the modification of motor was carried out in order to reduce the unbalance magneto motive force between main and sub winding. Second, structural modification based on normal mode analysis and modal testing was carried out so that the fan motor does not have the natural frequencies near the 2f-line frequency. Numerical modifications through these two processes were verified by experiments, which showed that the sound pressure level at 2f-line frequency of the modified system became about 25dB less than that of conventional one.

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권7호
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• pp.771-777
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• 2008

본 논문에서는 변형된 시간 지연 기법을 이용한 마이크로파 2차 주파수 체배기가 제안되었다. 제안된 주파수 체배기에서는 입력 신호와 지연된 신호 사이에 발생하는 군지연 시간 부정합을 전압 제어 지연 선로(VCDL)를 이용하여 보상하였다. 가변 슈미트 트리거를 이용한 군지연 시간 정합과 신호 파형의 성형(waveform shaping)으로 인해 원하지 않는 기본 주파수($f_0$)와 3, 4차 고조파 성분들이 충분히 제거할 수 있었다. 결과적으로 출력 단자에서는 오직 2 체배된 주파수 성분($2f_0$)만이 우세하게 나타난다 제안된 주파수 체배기는 1.15 GHz의 기본 주파수에서 설계되었고 TSMC 0.18 $\mu m$ 공정을 이용하여 제작되었다. 입력 신호 전력을 0 dBm 인가하였을 때, 2차 체배된 출력 주파수 성분의 측정된 전력은 2.57 dBm이었다. 2차 체배된 주파수 성분에 대해 $f_0,\;3f_0$, 그리고 $4f_0$ 성분의 제거율은 각각 43.65, 38.65, 그리고 35.59 dB이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.458-458
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• 2010

The process window for the etch selectivity of silicon nitride ($Si_3N_4$) layers to extreme ultra-violet (EUV) resist and variation of line edge roughness (LER) of EUV resist were investigated durin getching of $Si_3N_4$/EUV resist structure in a dual-frequency superimposed capacitive coupled plasma (DFS-CCP) etcher by varying the process parameters, such as the $CH_2F_2$ and $N_2$ gas flow rate in $CH_2F_2/N_2$/Ar plasma. The $CH_2F_2$ and $N_2$ flow rate was found to play a critical role in determining the process window for infinite etch selectivity of $Si_3N_4$/EUV resist, due to disproportionate changes in the degree of polymerization on $Si_3N_4$ and EUV resist surfaces. The preferential chemical reaction between hydrogen and carbon in the hydrofluorocarbon ($CH_xF_y$) polymer layer and the nitrogen and oxygen on the $Si_3N_4$, presumably leading to the formation of HCN, CO, and $CO_2$ etch by-products, results in a smaller steady-state hydrofluorocarbon thickness on $Si_3N_4$ and, in turn, in continuous $Si_3N_4$ etching due to enhanced $SiF_4$ formation, while the $CH_xF_y$ layer is deposited on the EUV resist surface. Also critical dimension (and line edge roughness) tend to decrease with increasing $N_2$ flow rate due to decreased degree of polymerization.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권12호
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• pp.14-21
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• 1997

This study was conducte dto fabricate 2GHz circulator using Ca,Sn substituted UIG(yttrium iron garnet)ceramics. When the electric, magnetic and microwave properties were measured in Ca, Sn substituted YIG, the measured perimittivity and perfmeability in microwave frequencies were 16.25, 0.8964. For $Y_{2.4}$C $a_{0.3}$A $n_{0.3}$F $e_{3.5}$A $l_{1.5}$ $O_{12}$ garnet ceramics sintered at 1400.deg. C, the ferrimagnetic resonance line width (.DELTA.H) at 10GHz was 53 Oe and saturation magnetization was 375G. The strip-line circulator was simulated with 3-D FEM (finite element method) software and designed at the center frequency of 2GHz. The fabricated strip-line junction circulator using above YIG ceramics had insertion loss of 1.271dB, return loss of 23.843dB, isolation of 21.751dB at the center frequency 1.855GHz.z.z.z.z.z.z.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.210-210
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• 2011

The effects of CH2F2 and N2 gas flow rates on the etch selectivity of silicon nitride (Si3N4) layers to extreme ultra-violet (EUV) resist and the variation of the line edge roughness (LER) of the EUV resist and Si3N4 pattern were investigated during etching of a Si3N4/EUV resist structure in dual-frequency superimposed CH2F2/N2/Ar capacitive coupled plasmas (DFS-CCP). The flow rates of CH2F2 and N2 gases played a critical role in determining the process window for ultra-high etch selectivity of Si3N4/EUV resist due to disproportionate changes in the degree of polymerization on the Si3N4 and EUV resist surfaces. Increasing the CH2F2 flow rate resulted in a smaller steady state CHxFy thickness on the Si3N4 and, in turn, enhanced the Si3N4 etch rate due to enhanced SiF4 formation, while a CHxFy layer was deposited on the EUV resist surface protecting the resist under certain N2 flow conditions. The LER values of the etched resist tended to increase at higher CH2F2 flow rates compared to the lower CH2F2 flow rates that resulted from the increased degree of polymerization.