III-nitride계 물질들은 blue와 UV 영역의 LED, LD와 같은 광소자뿐만 아니라 HBT, FET와 같은 전자소자로도 널리 응용되고 있다. 이와 같은 물질을 이용한 소자를 제작할 수 있는 낮은 저항의 ohmic contact은 필수적이다. Al이나 Ti와 같은 물질을 기초로 한 n-GaN의 경우는 이미 많은 연구결과가 발표되어 전기적 광학적 소자를 동작하는데 충분히 낮은 ohmic contact저항( )을 었다. 그러나 p-GaN의 ohmic contact은 아직까지 많은 문제점을 내포하고 있다. 그 중의 하나는 높은 doping 농도( )의 p-GaN 박막을 성장하기가 어렵다는 것이며, 또 하나는 낮은 접촉 비저항을 얻기 위해선 7.5eV이상의 큰 재가 function을 지닌 금속을 선택해야 한다. 그러나 5.5eV 이상의 재가 function을 갖는 금속은 존재하지 않는다. 위와 같은 문제점들은 p-GaN의 접촉 비저항이 이상의 높은 값을 갖게 만들고 있으며, 이에 대한 해경방안으로는 고온의 열처리를 통하여 p-GaN와 금속 사이에서 화학적 반응을 일으킴으로써 표면 근처에서 캐리어농도를 증가시키고, 캐리어 수송의 형태가 tunneling 형태로 일어날 수 있도록 하는 tunneling current mechanism을 이용하는 것이다. 이로 인해 결국 낮은 접촉 비저항을 얻을 수 있게되며, 일반적으로 p-GaN에서는 Nidl 좋은 물질로 알려져 있다. 그러나 Ni은 50$0^{\circ}C$이상의 열처리에서 쉽게 산화되는 특성 때문에 높은 캐리어를 얻는데 어려운 문제점이 있다. 이에 본 연구에서는 MBE로 성장된 p-GaN박막을 Mg의 activation을 더욱 증가시키기 위해 N2 분위기에서 15분간 90$0^{\circ}C$에서 annealing을 하였으며, ohmic 접촉을 위한 금속으로 높은 재가 function과 좋은 adhesion 그리고 낮은 자체저항을 가지고 있는 Ni/Au를 ohmic metal로 하여 contact한 후에 90$0^{\circ}C$에서 10초간 rapid thermal annealing (RTA)처리를 했다. 성장된 박막의 광학적 성질은 PL로써 측정하였으며, photoconductivity 실험을 통해 impurity의 life time을 분석하였고, persistent photoconductivity를 통해 dark current를 측정하였다. 또한 contact resistance를 계산하기 위해 circular-TLM method을 이용하여 I-V 특성을 조사하였다.
Lee, Ho-Sik;Lee, Won-Jae;Park, Jong-Wook;Kim, Tae-Wan;Dou--Yol Kang
한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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pp.111-114
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1999
Electroluminescence(EL) devices based on organic thin films have been attracted lots of interests in large-area light-emitting display. In this stuffy, an emissive layer was fabricated using Langmuir-Blodgett(LB) technique in organic light-emitting (OLEDs). This emissive organic material was synthesized and named PECCP[poly(3.6-N-2-ethylhexyl carbazolyl cyanoterephthalidene)] which has a strong electron donor group and an electron acceptor group in main chain repeated unit. This material has good solubility in common organic solvents such as chloroform. THF, etc, and has a good stability in air. The Langmuir-Blodgett(LB) technique has the advantage of precise control of the thickness down to the molecular scale, In particular, by varying the film thickness it is possible to investigate the metal/polymer interface. Optimum conditions for the LB film deposition are usually determined by investigating a relationship between a surface pressure $\pi$ and an effective are A occupied by one molecule on the subphase. The LB films were deposited on an indium-tin-oxide(ITO) glass at a surface pressure of 10 mN/m and dipping speed of 12 mm/min after spreading PECCP solution on distilled water surphase at room temperature, Cell structure was ITO/PECCP LB film/Alq$_3$/Al. We considered PECCP as a hole -transport layer inserted between the emissive layer and ITO. We also used Alq$_3$ as an emissive layer and an electron transport layer. We measured current-voltage(I-V) characteristics, UV/visible absorption, PL spectrum and EL spectrum of the OLEDs.
In order to investigate the influence of the homo buffer layer on the microstructure of the ZnO thin film, undoped ZnO buffer layer were deposited on sapphire (0001) substrates by ultra high vaccum pulsed laser deposition (UHV-PLD) and molecular beam eiptaxy (MBE). After high temperature annealing at $600^{\circ}C$ for 30min, undoped ZnO buffer layer was deposited with various oxygen pressure (35~350mtorr). On the grown layer of undoped ZnO, Arsenic-doped(l, 3wt%) ZnO layers were deposited by UHV-PLD. The optical property of the ZnO was analyzed by the photoluminescence (PL) measurement. From $\Theta-2\Theta$ XRD analysis, all the films showed strong (0002) diffraction peak, and this indicates that the grains grew uniformly with the c-axis perpendicular to the substrate surface. Field emission scanning electron microscope (FE-SEM) revealed that microstructures of the ZnO were varied with oxygen pressure, arsenic doping level, and the deposition method of undoped ZnO buffer layers. The films became denser and smoother in the cases of introducing MBE-buffer layer and lower oxygen pressure during As-doped ZnO deposition. Higher As-doping concentration enhanced the columnar-character of the films.
적외선 검출소자(Infrared Photodetector)는 근적외선에서 원적외선 영역에 이르는 광범위한 파장 범위의 적외선을 이용하는 기기로서 대상물이 방사하는 적외선 영역의 에너지를 흡수하여 이를 영상화할 수 있는 장비이다. 적외선 관련 기술은 2차 세계대전 기간에 태동하였으며, 현재에는 원거리 감지기술 등과 접목되면서 그 활용 분야가 다양해지고 있다. 특히 능동형 정밀 타격무기를 비롯한 감시 정찰 장비 및 지능형 전투 장비 시스템 등에 대한 요구를 바탕으로 보다 정밀하고 신속한 표적 감지 및 정보처리 기술에 관한 연구가 선진국을 통해서 활발히 진행되고 있다. 기존의 Bolometer 형식의 열 감지 소자는 반응 속도가 느리고 측정 감도가 낮은 단점이 있으며, MCT(HgCdTe)를 이용한 적외선 검출기의 경우 높은 기계적 결함과 77K 저온에서 동작해야하기 때문에 발생하는 추가 비용 등이 문제점으로 지적되고 있다[1]. 이에 반해 화합물 반도체 자기조립 양자점(self-assembled quantum dot)을 이용한 적외선 수광소자는 양자점이 가지는 불연속적인 내부 에너지 준위로 인하여, 높은 내부 양자 효율과 온도 안정성을 기대할 수 있으며, 고성능, 고속처리, 저소비전력 및 저소음의 실현이 가능하다. 본 연구에서는 적층 InAs/InGaAs dot-in-a-well 구조를 유기금속화학기상증착법을 이용하여 성장하고 이를 소자에 응용하였다. 균일한 적층 양자점의 성장을 위해서 원자현미경(atomic force microscopy)을 이용하여, 각 층의 양자점의 크기와 밀도를 관찰하였고, photoluminescence (PL)를 이용하여 발광특성을 연구하였다. 각 층간의 GaAs space layer의 두께와 온도 조절 과정을 조절함으로써 균일한 적층 양자점 구조를 얻을 수 있었다. 이를 이용하여 양자점의 전도대 내부의 에너지 준위간 천이(intersubband transition)를 이용하는 n-type GaAs/intrinsic InAs 양자점/n-type GaAs 구조의 양자점 적외선수광소자 구조를 성장하였다. 이 과정에서 상부 n-type GaAs의 성장 온도가 600도 이상이 되는 경우 발광효율이 급격히 감소하고, 암전류가 크게 증가하는 것을 관찰하였다. 이는 InAs 양자점과 주변 GaAs 간의 열에 의한 상호 확산에 의하여 양자점의 전자 구속 효과를 저해하는 것으로 설명된다.
ZnO nanorods were grown on Au-coated Si substrates by vapor phase transport (VPT) at the growth temperature of $600^{\circ}C$ using a mixture of zinc oxide and graphite powders as source material. Au thin films with the thickness of 5 nm were deposited by ion sputtering. Temperature-dependent photoluminescence (PL) was carried out to investigate the optical properties of the ZnO nanorods. Five peaks at 3.363, 3.327, 3.296, 3.228, and 3.143 eV, corresponding to the free exciton (FX), neutral donor bound exciton ($D^{\circ}X$), first order longitudinal optical phonon replica of free exciton (FX-1LO), FX-2LO, and FX-3LO emissions, were obtained at low-temperature (10 K). The intensity of these peaks decreased and their position was red shifted with the increase in the temperature. The FX emission peak energy of the ZnO nanorods exhibited an anomalous behavior (red-blue-red shift) with the increase in temperature. This is also known as an "S-shaped" emission shift. The thermal activation energy for the exciton with increasing temperature in the ZnO nanorods is found to be about 26.6 meV; the values of Varshni's empirical equation fitting parameters are = $5{\times}10^{-4}eV/K$, ${\beta}=350K$, and $E_g(0)=3.364eV$.
더덕 뿌리에서 유래한 EST cDNA library로부터 cyclophilin 유전자와 높은 상동성을 나타내 는 full clone cDNA를 얻었다. 더덕의 cyclophilin, ClCyP1은 747 bp의 cDNA로 174개의 아미노산을 코딩하는 525 bp의 ORF를 가지고 있다. ClCyP1의 아미노산 서열을 분석한 결과, 기존에 보고된 식물들의 cytosolic cyclophilin들과 높은 상동성을 나타내었으며, 여러 식물의 cytosolic CyP의 공통적인 특징인 7개의 아미노산 잔기(KSGKPLH)를 가지고 있었다. RT-PCR분석 결과, 더덕의 ClCyP1은 식물의 조직 전체에서 발현되며, 저온, 고온, 그리고 염 스트레스에 대해 그 발현량이 증가하였다.
The aim of the study were to investigate the influences of krill (Euphausia superba) meal on the body weight, lipid metabolism functional improvement, blood glucose level, protein component in the sera of rats which fed experimental diets for 5 weeks. Serum concentrations of total cholesterol, Low-Density Lipoprotein (LDL)-cholesterol, free cholesterol, triglyceride (TG), phospholipid (PL) and blood glucose were higher in the control diet group (G1 group) than the control diet plus 10% krill meal group (G2 group), the control diet plus 20% krill meal group (G3 group), the control diet plus 30% krill meal group (G4 group), and a general dose and time independent one-way analysis of variance was performed to assess efficacy. Conversely depending on the content of krill meal for the High-Density Lipoprotein (HDL)-cholesterol level, it showed higher results. The concentrations of total protein, albumin and globulin in sera, there were not significant difference among the groups (p<0.05). The results indicate that a krill meal diet effectively inhibited increases in lipid elevation, blood glucose level in the sera of rats.
Cu(I) 촉매를 사용하여 열반응을 이용한 N-heteroaryl carbazole을 합성하였고 이를 새로운 heteroleptic Ir(III) 착물 합성을 위한 주리간드로 사용하였다. 새로운 Ir(III) 착물은 일반적인 Ir(III) 착물이 가지는 5각 고리가 아닌 6각 고리를 주리간드와 Ir 금속 결합 사이에서 형성하는 것으로 X-ray 단결정구조를 통해 확인할 수 있었다. 합성한 Ir(III) 착물들은 좋은 인광 특성을 나타내므로 OLED 발광층 재료물질로의 가능성을 보여주었다. 주리간드와 보조리간드 변화에 따른 분광학적 특성을 고찰하였는데 PL 최대 발광 파장(λmax) 변화는 보조리간드가 Ir 금속과 더 강한 결합을 만들수록 단파장 쪽으로 이동하는 것을 발견하였다. 또한, 주리간드에 대해서는 Ir-N 결합을 만드는 헤테로아릴 그룹의 아로마틱고리 전자밀도가 커질수록 단파장 쪽으로 이동하는 경향이 있는 것을 알 수 있었다.
본 연구에서는 기술수용모델을 활용하여, 인터넷 전문은행을 사용해본 경험이 있는 사람들을 대상으로 하여 인터넷 전문은행의 사용하려는 의도와 만족도에 영향을 미치는 선행 요인들을 크게 사용자 특성과 은행의 특성으로 구분하여 찾아서 이론화하고 실증하였다. 독립변수에 있어서 인터넷 전문은행의 특성으로서는 응답성, 편의성, 금전적 혜택, 보안성을 선정하였고, 사용자 특성으로는 혁신성, 자기효능감, 인터넷 경험을 선정하였다. 종속변수로는 사용자 만족과 사용의도, 그리고 충성도를 선정하였다. 인터넷 전문은행을 사용하고 있는 사람들을 대상으로 설문조사를 하여 194부의 응답을 수집하였다. PLS를 활용한 분석 결과, 금전적 혜택이 중요한 요소로 나타났고 보안성과 개인의 혁신성, 그리고 인터넷 경험도 사용자 만족과 사용의도에 직접적으로 영향을 미치는 것으로 나타났다. 만족도와 사용의도가 고객들의 충성도에 영향을 미치는 경로도 검증이 되었다. 본 연구의 의의와 한계점도 결론에 논의하였고 추가적으로 필요한 연구들도 언급하였다.
In this study, Y3Al5O12:Eu3+ red phosphors were synthesized at different temperatures using a solid state reaction method. The crystal structures, surface and optical properties of the Y3Al5O12:Eu3+ red phosphors were investigated using X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscope (FE-SEM), and photoluminescence (PL) analyses. From XRD results, the crystal structure of the Y3Al5O12:Eu3+ red phosphors was determined to be cubic. The maximum emission spectra were observed for the Y3Al5O12:Eu3+ red phosphor prepared by annealing for 4h at 1,700 ℃. The 565~590 nm photoluminescent spectra of the Y3Al5O12:Eu3+ red phosphors is associated with the 5D0 → 7F2 magnetic dipole transition of the Eu3+ ions. The intensity of the photoluminescent spectra in the red phosphors is more dominant for the magnetic dipole transition than the electric dipole transition with increasing annealing temperature. The International Commission on Illumination (CIE) coordinates of Y3Al5O12:Eu3+ red phosphors prepared by 1,700 ℃ annealing temperature are X = 0.5994, Y = 0.3647.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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