• 제목/요약/키워드: 2D band

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UWB BPF의 설계 및 구현 (Design and Implementation of UWB BPFs)

  • 강상기;이재명;홍성용
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제12권5호
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    • pp.815-820
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    • 2008
  • 최근 통신용 UWB에 대한 주파수할당과 기술기준이 완료됨에 따라서 UWB 시스템에 대한 개발이 활발히 진행되고 있다. 우리나라의 경우 low band로 $3.1{\sim}4.8GHz$와 high band로 $7.2{\sim}10.2GHz$를 통신용 UWB 시스템에 할당하고 있으며, 현재의 RF 부품 기술과 제품 구현의 용이성을 고려하면 low band를 많이 이용할 것이다. 본 논문에서는 제품 구현의 용이성을 고려해서 low band를 이용하는 통신용 UWB 시스템을 위한 interdigital BPF를 설계 및 제작하였다. BPF는 low band 대역 필터와 low band 채널필터를 설계 및 제작하였다. 성능 측정 결과 low band 대역 필터는 3.1GHz와 4.8GHz에 서 각각 21.85dB와 17.91dB의 감쇠 특성을 가지며, -10dB 대역폭은 1.53GHz, 삽입 손실은 2dB이었다. Low band 대역은 500MHz 대역폭으로 3개의 채널이 할당 가능하며, 구현한 low band의 1번 채널필터는 3.1GHz에서 24.85dB의 감쇠 특성, -10dB 대역폭은 0.61GHz, 삽입 손실은 1.87dB로 측정되었다. Low band의 3번 채널필터는 4.8GHz에서 19.2dB의 감쇠특성을 가지며, 10dB 대역폭은 0.49GHz이고 2.49dB의 삽입 손실은 갖는다.

A D-Band Integrated Signal Source Based on SiGe 0.18μm BiCMOS Technology

  • Jung, Seungyoon;Yun, Jongwon;Rieh, Jae-Sung
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제15권4호
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    • pp.232-238
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    • 2015
  • This work describes the development of a D-band (110-170 GHz) signal source based on a SiGe BiCMOS technology. This D-band signal source consists of a V-band (50-75 GHz) oscillator, a V-band amplifier, and a D-band frequency doubler. The V-band signal from the oscillator is amplified for power boost, and then the frequency is doubled for D-band signal generation. The V-band oscillator showed an output power of 2.7 dBm at 67.3 GHz. Including a buffer stage, it had a DC power consumption of 145 mW. The peak gain of the V-band amplifier was 10.9 dB, which was achieved at 64.0 GHz and consumed 110 mW of DC power. The active frequency doubler consumed 60 mW for D-band signal generation. The integrated D-band source exhibited a measured output oscillation frequency of 133.2 GHz with an output power of 3.1 dBm and a phase noise of -107.2 dBc/Hz at 10 MHz offset. The chip size is $900{\times}1,890{\mu}m^2$, including RF and DC pads.

RFID 대역에서 동작하는 이중 대역 전력증폭기 설계 (Design of Dual-Band Power Amplifier for the RFID Frequency-Band)

  • 김재현;황선국;박효달
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제25권3호
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    • pp.376-379
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    • 2014
  • 본 논문은 910 MHz와 2.45 GHz 대역에서 동작하는 RFID 트랜시버용 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 이중 대역 전력증폭기는 집중정수 소자로 구현된 910 MHz 대역의 정합 회로와 분포정수 소자로 구현된 2.45 GHz 대역의 정합 회로로 구성되며, 두 대역의 격리를 위하여 910 MHz 대역에 대하여 대역 제거 필터(band rejection filter)로 동작하고, 2.45 GHz 대역에서는 대역 통과 필터(band pass filter)로 동작하는 ${\lambda}/2$ 직렬 마이크로스트립 전송 선로로 구성되어 있다. 제작된 이중 대역 전력증폭기는 910 MHz와 2.45 GHz에서 이득이 각각 8 dB와 1.5 dB를 나타냈으며, 입력 전력 10 dBm을 인가하여 얻은 출력 전력은 두 대역 모두 20 dBm을 얻었다.

1차원 및 2차원 선형 반대역 필터의 설계에 관한 연구 (Design of 1-D and 2-D Linear-phased Half-band Filters)

  • 김대영;이병기
    • 전자공학회논문지B
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    • 제31B권5호
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    • pp.42-49
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    • 1994
  • In this paper we consider efficient 1-D and 2-D linear-phased half-band filter designs. We first introduce a new derivation of the existing Vaidynathan-Nguyen 's half-band filter design method, which verifies that the design provides optimal half-band filters. We then propose an approximately-linear-phased IIR half-band filter design method, which is based on the all-pass equalizer design with the linear phase -$\omega$/2. Finally, we propose an efficient method to design optimal 2-D half-band filters, for which we utilize a 2-D all pass prototype filter of half the order of the desired 2-D half-band filters.

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슬릿쌍을 이용한 이중 대역 T-형 마이크로스트립 모노폴 안테나 (T-shaped Microstrip Monopole Antenna with a Pair of Slits for Dual-Band Operation)

  • 이종익;여준호
    • 한국통신학회논문지
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    • 제36권12C호
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    • pp.759-763
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    • 2011
  • 본 논문에서는 2.4/5.2/5.8-GHz 무선 랜 대역에서 동작하는 슬릿쌍을 이용한 이중대역 T-형 마이크로스트립 모노폴 안테나를 제안하였다. 이중 대역 동작 특성을 얻고 안테나 크기를 줄이기 위해 마이크로스트립으로 급전된 T-형 모노폴 안테나에 T-형 슬릿쌍을 추가하였다. 실험 결과를 통해 제안된 안테나가 주어진 모든 무선 랜 대역에서 동작함이 증명되었다. VSWR이 2 이하인 측정된 임피던스 대역폭은 낮은 주파수 대역에서 5.7% (2.37-2.51GHz)이고 높은 주파수 대역에서 28.8% (4.76-6.35GHz)이다. 2.4GHz 대역에서 측정된 최대 이득은 1.33 dBi ~ 1.66 dBi, 5.25GHz 대역에서 3.50 dBi ~ 3.95 dBi, 5.8GHz 대역에서 2.06 dBi ~ 2.34 dBi이다.

기내배양에서 2,4-D 및 NAA처리와 계대배양회수에 따른 딸기의 RAPD Band 변화 (Change in the RAPD Band of Strawberry Depending on 2,4-D and NAA Treatment and the Number of Subcultures In Vitro)

  • 심재성;정해준;민병훈
    • 자연과학논문집
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    • 제8권2호
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    • pp.147-152
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    • 1996
  • 딸기의 3품종을 엽과 엽병으로 배양한 결과 2,4-D + BA 처리에서는 치밀한 캘러스가 유기되었고 이 캘러스로부터 다수의 신초가 분화되었으며 NAA + BA 처리에서는 부숴지기 쉬운 캘러스가 유기되었다. '수홍' 엽조직을 NAA나 2,4-D가 첨가된 배지에서 8개월간 배양하면 212번 primer에서 생산된 RAPD band가 모본 band와는 상이하게 나타났다. '보교'와 '여봉'의 엽에서 유기된 캘러스를 2,4-D가 첨가된 액체배지에 계대배양회수를 달리하여 배양하였을 때 12회 계대배양에서 모본과 상이한 RAPD band가 출현되었다.

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적응형 레이다를 위한 다중대역 혼합기에 관한 연구 (The Study on Multi-band Mixer for Adaptive Radar)

  • 고민호;강세벽
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제16권6호
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    • pp.1053-1058
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    • 2021
  • 본 논문은 능동소자에 인가되는 게이트 바이어스 전압을 가변하여 X-, K- 및 Ka-대역 신호를 선택적으로 변환할 수 있는 다중대역 혼합기를 제안하였다. 제안한 다중대역 혼합기는 LO 전력 +6 dBm으로 구동하였고 X-대역의 경우, 게이트 바이어스 전압 -0.8 V에서 변환손실 -10 dB 특성, K-대역에서 게이트 바이어스 전압 -0.3 V에서 변환손실 -9 dB 특성, Ka-대역에서는 게이트 바이어스 전압 -0.2 V에서 변환손실 -7.0 dB 특성을 나타내었다. 모든 대역에서 1-dB 압축점 (P1dB)은 +0.5 dBm 특성을 나타내었다.

Ku-band 광대역 위성방송용 LNB 설계 (Design of Wideband Ku-band Low Noise Down-converter for Satellite Broadcasting)

  • 홍도형;목광윤;박기원;이영철
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2015년도 추계학술대회
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    • pp.941-944
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    • 2015
  • 본 논문에서는 여러 대역의 주파수를 하나의 모듈로 통합하여 선박이 해외 각국에서도 하나의 위성안테나로 사용할 수 있는 다중대역 FEM(Front-End Module)모듈을 설계하였다. 설계된 FEM은 다중대역 저잡음 수신 증폭회로, 주파수 변환 회로, IF 증폭회로, 전압 제어 발진기(VCO : Voltage Control Oscillator)를 이용한 신호발생회로 네 가지 회로로 구성하였다. 다중대역 2.05GHz대역을 변환하기 위하여 4개(대역1, 대역2, 대역3, 대역4)의 국부 발진 신호를 생성하여 4개의 IF신호를 출력하도록 설계하였으며 개발된 변환 장치는 변환이득 64dB, 잡음지수 1dB 이하, 출력 P1dB 15dBm 이상, 위상잡음은 -73dBc@0.1KHz를 나타내었다.

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A Simple Dual Band Filter Design with 0603 Case Size using IPD Technology for 1.8 GHz and 2.5 GHz DC-block Application

  • Li, De-Zhong;Wang, Cong;Kyung, Gear Inpyo;Kim, Nam-Young
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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    • pp.385-386
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    • 2008
  • In this paper, a simple dual band filter chip is designed with 0603 case size using IPD technology. The dual-band filter achieves high frequency band at 2.5 GHz and low frequency band at 1.8 GHz. The insertion losses in high frequency band and low frequency band are -0.195 dB and -0.146 dB, respectively. The return losses in these bands are -22.7 dB and -22.8 dB, respectively. The simple dual-band filter based on SI-GaAs substrate is designed within die size of about 1.3 $mm^2$.

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Single FET와 Class-F급을 이용한 이중대역 고효율 전력증폭기 설계 (Design of a Dual Band High PAE Power Amplifier using Single FET and Class-F)

  • 김선숙;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제45권1호
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    • pp.110-114
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    • 2008
  • 본 논문에서는 단일 FET를 이용하여 2.14GHz/5.2GHz 이중대역 고효율 Class F 전력증폭기를 설계 구현하였다. 전송선로를 이용하여 초기의 정합값을 적절히 이동시켜 하나의 능동소자로 2.14GHz/5.2GHz의 이중대역에서 동작되는 전력증폭기를 설계하였으며, 2.14GHz에서 32.65dBm의 출력과 11dB의 출력이득 36%의 전력효율을, 5.2GHz에서 7dB의 출력이득의 특성을 보였다. 고조파를 제어 회로를 설계하여 증폭기의 출력단에 추가 하여 Class F로 동작하는 이중대역 전력증폭기를 설계 하였다. 이중대역 Class F 전력증폭기는 2.14GHz에서 9.9dB의 출력이득과 30dBm의 출력, 55%의 전력효율을 가졌으며, 5.2GHz에서 11.7dB의 출력이득을 갖는 특성을 보였다. 고조파 제어 회로를 이용한 이중대역 Class F 전력증폭기가 전력효율을 향상시킴을 보였다.