• 대한의용생체공학회:의공학회지
• /
• 제35권3호
• /
• pp.62-67
• /
• 2014

The purpose of the study was to identify the effect of laser parameters on photocoagulation to maximize safety and efficacy during varicose vein treatment. CW and pulsed modes at 1470 nm were initially compared as a function of power on bovine liver tissue. In the pulsed mode, various parameters including repetition rate, duty cycle, and irradiation time were compared to evaluate tissue response during thermal treatment. The results demonstrated that CW and pulsed modes yielded almost similar coagulation development possibly due to shorter irradiation time of 5 sec. Regardless of laser mode, both repetition rate and duty cycle presented constant coagulation rate whereas longer irradiation time facilitated coagulation process.

• 한국광학회:학술대회논문집
• /
• 한국광학회 2006년도 하계학술발표회 논문집
• /
• pp.9-10
• /
• 2006

We report the realization of the Yb/Tm co-doped silica glass optical fiber amplifier operating at 1470 nm upon 980 nm pumping. The energy transfer coefficient from Yb to Tm was estimated using the threshold condition of the optical amplifier.

• ETRI Journal
• /
• 제27권4호
• /
• pp.411-417
• /
• 2005

$Pr^{3+}-doped$ selenide glass optical fiber, which guarantees single-mode propagation of above at least 1310 nm, has been successfully fabricated using a Ge-Ga-Sb-Se glass system. Thermal properties such as glass transition temperature and viscosity of the glasses have been analyzed to find optimum conditions for fiber drawing. Attenuation loss incorporating the effects of an electronic band gap transition, Rayleigh scattering, and multiphonon absorption has also been theoretically estimated for the Ge-Ga-Sb-Se fiber. A conventional double crucible technique has been applied to fabricate the selenide fiber. The background loss of the fiber was estimated to be approximately 0.64 dB/m at 1650 nm, which can be considered fairly good. When excited at approximately 1470 nm, $Pr^{3+}-doped$ selenide fiber resulted in amplified spontaneous emission and saturation behavior with increasing pump power in a U-band wavelength range of 1625 to 1675 nm.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제24권11호
• /
• pp.1470-1476
• /
• 2020

모바일 장치와 IoT의 보안 프로토콜 구현에 적합한 경량 보안 SoC 설계에 대해 기술한다. Cortex-M0을 CPU로 사용하는 보안 SoC에는 타원곡선 암호 (elliptic curve cryptography) 코어, SHA3 해시 코어, ARIA-AES 블록 암호 코어 및 무작위 난수 생성기 (TRNG) 코어 등의 하드웨어 크립토 엔진들이 내장되어 있다. 핵심 연산장치인 ECC 코어는 SEC2에 정의된 20개의 소수체와 이진체 타원곡선을 지원하며, 부분곱 생성 및 가산 연산과 모듈러 축약 연산이 서브 파이프라인 방식으로 동작하는 워드 기반 몽고메리 곱셈기를 기반으로 설계되었다. 보안 SoC를 Cyclone-5 FPGA 디바이스에 구현하고 타원곡선 디지털 서명 프로토콜의 H/W-S/W 통합 검증을 하였다. 65-nm CMOS 셀 라이브러리로 합성된 보안 SoC는 193,312 등가 게이트와 84 kbyte의 메모리로 구현되었다.

• 대한원격탐사학회:학술대회논문집
• /
• 대한원격탐사학회 2003년도 Proceedings of ACRS 2003 ISRS
• /
• pp.1470-1472
• /
• 2003

Hyperion, as hyperspectral data, is carried on NASA’s EO-1 satellite, can be used in more subtle discrimination on forest cover, with 224 band in 360 ?2580 nm (10nm interval). In this study, Hyperion image is used to investigate the effects of topography on the classification of forest cover, and to assess whether the topographic correction improves the discrimination of species units for practical forest mapping. A publicly available Digital Elevation Model (DEM), at a scale of 1:25,000, is used to model the radiance variation on forest, considering MSR(Mean Spectral Ratio) on antithesis aspects. Hyperion, as hyperspectral data, is corrected on a pixel-by-pixel basis to normalize the scene to a uniform solar illumination and viewing geometry. As a result, the approach on topographic effect normalization in hyperspectral data can effectively reduce the variation in detected radiance due to changes in forest illumination, progress the classification of forest cover.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
• /
• pp.87.2-87.2
• /
• 2012

고출력 반도체 레이저 다이오드는 발진 파장 및 광 출력에 따라 다양한 분야에 응용되고 있으며, 특히 발진파장이 808 nm 및 1470 nm 인 고출력 레이저 다이오드의 경우 재료가공, 펌핑용 광원 (DPSSL, 광섬유 레이저), 의료, 피부미용 (점 제거), 레이저 다이오드 디스플레이 등 가장 다양한 응용분야를 가진 광원 중의 하나라고 할 수 있다. 일례로 재료가공의 경우, 레이저 용접, 레이저 인쇄, 하드디스크의 레이저 텍스쳐링 등 그 응용분야는 무수히 많으며, 최근에는 미래 성장동력 사업의 하나로 중요한 이슈가 되는 태양전지에서 에지 분리 (edge isolation), ID 마킹, 레이저 솔더링 등에서 필수불가결한 광원으로 각광받고 있다. 808 nm 대역 In(Ga)AlAs quantum dots laser diode (QDLD) 성장을 위하여 In(Ga)AlAs QD active 와 In(Ga)AlAs QD LD 성장으로 크게 분류하여 여러 가지 test 실험을 수행하였다. 우선 In(Ga)AlAs QD LD 성장에 앞서 high power LD에 적용 가능한 GaAs/AlGaAs quantum well의 성장 및 전기 측정을 수행하여 그 가능성을 보았다. In(Ga)AlAs QD active layer의 효과적인 실험 조건 조절을 위해 QD layer는 sequential mithod (ex. n x (InGaAlAs t sec + InAs t sec + As 10 sec)를 사용하였다. In(Ga)AlAs QD active layer는 성장 온도, 각 sequence 별 시간, 각 source 양, barrier 두께 조절 및 타입변형, Arsenic flux 등의 조건을 조절하여 실험하였다. 또한 위에서 선택된 몇 가지 active layer 를 이용하여 In(Ga)AlAs QD LD 성장 조건 변화를 시도하였다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제21권8호
• /
• pp.1465-1470
• /
• 2017

기존의 MOSFET에서는 반전층보다 항상 실리콘 두께가 크기 때문에 드레인유도 장벽감소가 실리콘 두께에 관계없이 산화막 두께 및 채널길이의 함수로 표현되었다. 그러나 10 nm 이하 저도핑 이중게이트 구조에서는 실리콘 두께 전체가 공핍층이 형성되기 때문에 기존의 SPICE 모델을 사용할 수 없게 되었다. 그러므로 이중게이트 MOSFET에 대한 새로운 SPICE 용 드레인유도 장벽감소 모델을 제시하고자 한다. 이를 분석하기 위하여 전위분포와 WKB 근사를 이용하여 열방사 및 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 드레인유도 장벽감소는 상하단 산화막 두께의 합 그리고 실리콘 두께의 2승에 비례하며 채널길이의 3승에 반비례한다는 것을 알 수 있었다. 특히 SPICE 파라미터인 정적 궤환계수가 1과 2사이에서 사용할 수 있어 합당한 파라미터로써 사용할 수 있었다.