본문의 내용은 영구자석을 사용한 단상 브러시리스 모타의 구동을 위한 H-Brdige 구동회로에 적용된 전류제어 회로에 관한 실험결과이다. 부하전류가 목표치 이상인 경우 enable 를 차단하면 순간적으로 센서저항의 전위가 0 으로 되고 이로인해 다시 순간적으로 스위칭이 이루어 지므로 매우 빠른 주기로 스위칭을 반복한다. 이 문제점을 해결하기 위하여 래칭회로를 필요로 하는데, 본 제안에서는 두 개의 NAND GATE 와 하나의 NOT GATE, 그리고 RC network 를 조합하여 LIP-FLOP 과 시지연을 이루는 방법을 실현하였다. 이와 같은 전류제어회로는 constant off time 의 특성을 가지는데, 일반적으로 사용되는 PWM 제어회로에 비하여 매우 단순하면서도, 저항부하 및 모타부하에 대해 공히 능동적으로 작동함을 입증하고 있다. 본문에서는 제안된 전류제한회로의 구조와 H-bridge 구동모드, 그리고 전기적 특성에 대한 연구결과를 설명한다.
현재 전기자동차용으로 높은 출력 밀도와 넓은 속도 영역을 가지는 매입형 영구자석 전동기 (IPMSM)가 널리 사용되고 있다. 매입형 영구자석 전동기의 높은 돌극비는 큰 릴럭턴스 토크를 만들 수 있어 기저 속도 이하에서는 높은 토크를 보장한다. 하지만 고속 영역에서도 릴럭턴스 토크를 이용하여 출력을 보장하지만 큰 전류각, 즉 큰 음의 D-축 전류를 요구한다. 이는 전동기가 고속으로 갈수록 제어의 어려움으로 나타난다. 그러므로 D-축 인덕턴스의 변화에 따른 고속 영역에서 전류 지령치의 변화를 분석한다. 고속 영역에서 전류크기 및 전류각을 감소하고 정출력 범위를 증가시킬 수 있는 D-축 인덕턴스를 조사한다. 시뮬레이션을 통하여 출력을 검증한다.
본 논문에서는 MMC-HVDC에서 스위칭 디바이스의 전류용량을 고려하면서 순환전류를 제어할 수 있는 새로운 제어기법을 제안한다. 불평형 전압 조건에서 유효전력과 무효전력에는 기본 주파수의 두 배에 해당하는 주파수 성분이 포함된다. 따라서 유효전력 제거를 위해 역상분 전류를 주입하되, 기존의 $I_{dc}/3$가 아닌 각 암의 유효전력을 계산하여 지령치를 인가하는 새로운 방식의 제어기법을 제안한다. 제안한 기법은 PSCAD/EMTDC를 이용한 시뮬레이션을 통하여 검증하였다.
본 논문에서는 다변수 다치 논리함수에 대하여 구간함수를 절단 차분 함수로 변환하는 방법을 제시하였고, 절단 차분 함수를 전류모드 CMOS에 의한 전류 미러 회로와 금지회로를 사용하여 일정한 패턴을 갖는 다치 논리회로로 구현하는 방법을 제시하였다. 또한 제시한 방법을 2변수 4치 MOD(4) 가산 진리표와 2변수 4치 유한체 GF(4)상의 승산 진리표를 실현하는 회로의 구현에 적용하였다. PSpice 시뮬레이션을 통하여 이 회로들에 대하여 동작특성을 보였다. 회로들의 시뮬레이션은 2㎛ CMOS 표준 기술을 이용하였고, 단위 전류를 15㎂로 하였으며, 전원전압은 3.3V를 사용하였다. 본 논문에서 제시한 전류모드 CMOS에 의해 구현된 회로들은 일정한 패턴, 상호연결의 규칙성을 가지며, 다치 논리함수의 변수의 확장성을 가지므로 VLSI 실현에 적합할 것으로 생각된다.
본 논문에서는 총고조파 왜율(THD, Total Harmonic Distortion)과 리플 감쇄율(RAF, Ripple Attenuation Factor)을 이용한 계통연계 인버터용 LCL 필터 설계 방법을 제안한다. 인버터 측 인덕터 전류의 총고조파 왜율($THD_i$)과 필터 커패시터와 계통 측 인덕터 사이의 전류 리플 감쇄율(RAF), 그리고 계통에 주입되는 전류의 총고조파 왜율($THD_g$)의 관계를 분석하여 관계식을 도출하고, 이 관계식을 바탕으로 계통 주입 전류의 $THD_g$ 목표치를 만족하는 $THD_i$와 RAF를 선정하여 계통 측 인덕터($L_g$)와 인버터 측 인덕터($L_i$)의 인덕턴스 값을 계산한다. 한편 커패시터의 커패시턴스 값은 커패시터에 유입되는 무효전력을 고려하여 선정한다. 제안한 방법으로 LCL를 설계하여 시뮬레이션과 실험을 통해 계통에 주입되는 전류의 $THD_g$가 목표치를 만족하는 것을 보임으로써 설계 방법의 타당성을 입증한다.
본 논문은 출력전류를 증가하기 위해서 L과 C를 공진 탱크회로로 구성하는 고주파 공진을 이용한 전류형 고주파 공진 U-U 컨버터를 보여주고 있다. 이 회로구성은 L과 C를 공진 탱크회로로 구성하였고, 스위칭 양단에 커패시터를 삽입하여 공진과 ZVS(Zero Voltage Switching) 커패시터로 동시에 사용하였다. 따라서, 컨버터는 턴ㆍ온, 턴ㆍ오프에서 스위칭 손실과 집음, 전압 스트레스를 줄일 수 있고, U전원 공급으로부터 리플이 적은 일정한 전류를 공급하기 위한 U 리액터는 공진 리액터와 연결되어 있기 때문에 부하 단락시 안정하게 동작하는 장점이 있다. 본 컨버터의 회로해석은 무차원화 파라미터 기법을 도입하여 행하였고, 또한 ZVS영역특성, 출력전력특성, 출력전압특성, 출력전류특성 등 여러 특성평가를 하였다. 여러 특성평가를 바탕으로 설계하였고, 실험을 통한 실험치와 이론치를 비교하여 이론해석의 정당성도 입증하였다.
새로운 전력 반도체 소자로 주목받고 있는 MOS 구동 사이리스터 중 대 전력용으로 사용되는 EST는 높은 전류 밀도에서 게이트에 의한 전류 조절이 가능할 뿐만 아니라 다른 MOS 구동 사이리스터 소자와는 달리 전류 포화 특성을 지녀 차세대 전력 반도체로 각광 받고 있는 소자이다. 하지만 소자의 동작 시에 스냅-백 특성을 지녀 전력의 손실을 유발할 뿐만 아니라 오동작을 일으킬 가능성이 있다. 따라서 본 논문에서는 기존의 EST에서 스냅-백 특성의 제거와 저지 전압의 향상을 위해 트랜치 전극을 가지는 새로운 구조를 제안하고 게이트 전극과 캐소드 전극의 트랜치 화에 따른 특성 변화 양상을 살펴보기 위해 게이트 전극만 트랜치로 구성한 경우와 캐소드 전극만 트랜치로 구성한 경우를 시뮬레이션을 통해 해석하였다. 그 결과 기존의 EST에서 게이트 전극만을 트랜치 형태로 바꾼 경우에는 스냅-백 특성이 1.1 V의 애노드 전압과 91 A/cm2의 전류 밀도에서 발생하고 순방향 저지 모드 시의 저지 전압은 800 V로 기존의 257에 비해 월등한 전기적 특성 향상을 가져왔다. 그러나 기존의 EST에서 캐소드 전극만을 트랜치 형태로 바꾼 경우에는 스냅-백 특성이 1.72 V의 애노드 전압과 25 A/cm2의 전류 밀도에서 발생하고 순방향 저지 모드 시의 저지 전압은 613 V로 스냅-백 특성은 향상되었으나 저지 전압은 기존의 EST 보다 감소하였다. 결국 기존의 EST에서 게이트 전극만을 트랜치 전극 형태로 구성한 경우에 가장 탁월한 전기적 특성을 갖는 것으로 나타났다.
본 논문은 태양광발전 시스템에서 P&O 방식 기반의 제어 기법인 duty 제어와 전류 제어 방식의 최대전력점 추종특성을 동일모드 조건에서 비교하였으며, 시뮬레이션 및 실험을 통해 검증하였다. Duty 제어 방식은 P-V 특성곡선을 이용하여 전력과 전압의 변화량을 통해 duty 증감을 결정함으로써 동작점을 결정한다. 이와 달리, 전류 제어 방식은 P-I 특성곡선을 이용하여 전력과 전류의 변화량을 통해 전류 지령치를 생성하고 비례-적분제어기를 통해 전류제어를 수행하여 동작점을 결정한다. 두 가지 제어 방식의 정확한 비교를 위해 등가의 ${\Delta}duty$ 및 ${\Delta}I_{ref}$의 값을 선정하여 모드 변화에 따른 ${\Delta}V$의 변화를 동일하게 맞추었다. DC - DC 부스트 컨버터를 이용하여 시뮬레이션과 실험에 두 제어 방식의 태양광발전 시스템을 구성하여 태양광 전압과 전류, 에너지 측면에서 특성을 비교하였다. 최대 전력점이 1.7kW인 특성곡선 조건 하에서, 시뮬레이션과 실험의 결과로 두 방식은 동일 MPPT 모드 시 동일한 동작점에 존재하며, 같은 값의 전력을 출력하여 동일한 성능의 효율을 보임을 검증하였다.
본 연구는 강편 빌레트의 표면 결함을 검출하기 위한 건식 자분 탐상에 관한 것으로 자분 탐상능을 대상체에 흘리는 자화 전류, 대상체의 온도, 자분의 총 분사량 등에 대하여 평가하였다. 선재 제품의 등급에 따라 필요로 하는 몇 가지 강종을 선택하여 강종별 자기적 특성을 평가하였으며, 이를 입력 자료로 하여 유한 요소법에 의한 자기 해석을 행하였고, 그 결과를 직류 자화 전류에 의한 누설 자속 측정 결과와 비교 분석하였다. 교류 자화 전류에 의한 건식 자분 탐상능을 직류 자화 전류에 의한 탐상능과 비교하여 강종 및 자화 전류의 유형에 따른 자화 전류치를 결정하였다. 직류 자화 전류에 의한 자분 탐상 결과를 유한 요소법에 의한 계산과 비교하였고, 빌레트의 표면과 표면 결함 부위에서 측정한 누설 자속으로 비교 결과를 평가하였다. 각 강편재의 경우 직류 자화 전류에 의한 표면 자장은 그 형상에 의한 영향으로 코너 부위에서는 면 중앙의 표면 자장치에 비해 30% 정도였으며, 교류 자화 전류에 의해서는 그 비율이 70% 정도였다. 교류 자화 전류는 코너로부터 면중앙으로 10mm 되는 영역을 제외하고는 전 면에서 균일한 표면 자장을 발생하였다. 대상체의 온도에 따른 자분의 흡착은 대상체의 온도 $150^{\circ}C$ 까지는 큰 변화가 없으나 자분의 고착에 있어서 $60^{\circ}C$ 이상의 고온재에 대해서는 융착 용매로 메틸렌 크로라이드를 사용하는 것이 부적합하였다. 자분의 총분사량은 자분 탐상능에 상당히 큰 영향을 미침을 확인하였고 이에 대한 정량적 평가를 행하였다.
KSTAR 핵융합 장치에 초전도 코일을 사용하는 경우 코일의 저항이 제로에 가까우므로 낮은 전압으로 20kA 이상의 전류를 흘릴 수 있어 많은 전력을 필요로 하지 않는 장점이 있다 그러나 초전도 코일 내부의 한 부분에서 온도가 상승하여 저항이 증가하는 치 현상이 자주 일어날 수 있으며 이 경우 코일이 손상된다 이를 막기 위한 회로가 치 보호회로이며 대전류 차단기와 에너지를 소비시킬 저항으로 구성되어 있다 초전도 코일에 적용 되는 전원장치의 용량은 20kA에서 35kA에 이르며 치 보호를 위해 직류 대전류 차단기를 필요로 한다. 그러나 현재 상업적으로 생산되고 있는 기계적 차단기는 교류에서만 동작하며 직류 차단이 가능한 차단기들은 용량이 위의 값에 미치지 못하며 크기와 가격 및 반복성에 있어서 제약을 가지고 있다. 따라서 기계적 스위치의 장점과 반도체 싸이리스터 스위치의 장접을 결합한 직류 대전류 차단기를 개발함으로써 시스템의 크기와 가격을 낮추어 경제적으로 더 나은 효과를 가져오며 신뢰성 및 반복성을 높인 회로를 개발하여 KSTAR 토카막 초전도 코일 치 보호시스템에 적용하고자 한다.일 치 보호시스템에 적용하고자 한다.하고자 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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