• Journal of the Korean Society for Railway
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• v.7 no.1
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• pp.49-54
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• 2004

Particularly derailing freight wagon, which are loaded with dangerous chemicals, has large damages on humans and environment. In this paper the dynamic characteristic of the laminated leaf spring under extreme situation, for example derailment, is examined. The leaf spring has a static hysteresis. Not only the friction value, but also the spring rate are influenced by this hysteresis characteristic. Because of the static hysteresis of the leaf spring the spring rate must be used in normal operation depending upon the loading and the kind of the excitation with the up to 10-fold value of the static spring rate. Some characteristics of the leaf spring can be treated like well-known viscous damping, but fer special situation (preload and/or excitation) particular calculation are necessary.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.07c
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• pp.1694-1696
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• 2004

$Si_3N_4$ 박막을 동일한 공정 파라메터로 저압 화학기상증착법(LPCVD)으로 증착하고, IS, LOCOS- IS 및 ISFET의 세 가지 각각 다른 구조로 하여 용약 중 pH 농도 감지용 센서소자를 제작하였다. 이 세 가지 다른 센서소자에 대하여 pH 농도변화에 따른 감지도, 감지특성곡선의 선형성, 히스테리시스 등 주요 특성을 각각 조사한 후 비교 분석하였다. LOCOS-IS 구조의 pH 센서는 ISFET 구조의 pH 센서와 유사한 우수한 제반 pH 감지특성을 보였으나, 간단한 IS 구조의 pH 센서는 이들에 비해 상대적으로 열악한 pH 감지특성을 보였다. 동일공정으로 제작된 Si3N4 박막으로 제작되었음에도 불구하고 간단한 IS 구조의 pH 센서의 비교적 열악한 특성을 보이는 원인을 규명하기 위하여, pH 농도 변화에 따른 C-V특성 변화에 의한 pH 감지특성 조사시의 IS 및 LOCOS-IS 구조의 정전용량의 변화를 비교하고 고찰하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.143-143
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• 2012

In/Si (111)-$4{\times}1$ 표면은 저온에서의 $8{\times}2$ 주기의 상과 상온에서의 $4{\times}1$ 주기의 상 사이에 상전이가 나타나는 것으로 알려져 있다. 지금까지의 연구에 의하면 저온 $8{\times}2$ 주기의 상에서는 최근 제시된 hexagon 구조 모형이 가장 설득력 있게 받아들여지고 있으나, 상온 $4{\times}1$ 주기의 상에 대해서는 정적인(static) 구조 모형과 동적요동(dynamic fluctuation) 모형이 제안되었다. 이 두 가지 구조 모형은 모두 2차 상전이를 의미하지만, 최근 엔트로피를 고려한 이론계산 결과는 이 상전이가 1차 상전이를 가짐을 시사하였다. 그래서 우리는 이 표면의 상전이를 저에너지전자회절 실험을 통하여 연구하였고, 온도를 상온에서 저온으로 낮출 때와 저온에서 상온으로 높일 때의 회절세기 변화로부터 가열과 냉각의 두 과정에서 상전이 온도가 서로 다르게 나타나는 히스테리시스 곡선을 보임을 관찰하였다. 이는 주사터널링현미경 이미지에서 $4{\times}1$ 상온 구조와 $8{\times}2$ 저온 구조가 상전이 온도 근처에서 공존하는 것으로 관찰되는 것과 상통하는 결과로 1차 상전이임을 나타낸다. 이에 우리는 이 표면의 구조 상전이가 1차 상전이인 것으로 결론지으며, 이와 함께 표면의 결함이 상전이에 미치는 영향에 대해서도 논의할 것이다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.6
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• pp.514-522
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• 1993

본 연구에서는 Ag/ 첨가에 의한 YB $a_{2}$C $u_{3}$ $O_{7-{\delta}}$산화물의 초전도 특성 변화를 조사하였다. Ag가 첨가된 YB $a_{2}$C $u_{3-x}$A $g_{x}$ $O_{7-{\delta}}$ 산화물 시료를 만들고 이 시료들에 대한 X-ray 회절분석, IR흡수 스펙트럼분석, 임계온도(Tc)측정 및 자화(M-H)특성 측정등을 통하여 제조된 시료의 물리적 성질을 조사하였다. X-ray 회절실험 결과로 부터 x.leq.0.03인 경우에는 YB $a_{2}$C $u_{3-x}$A $g_{x}$ $O_{7-{\delta}}$가 단일상의 물질로 존재하고 x가 증가함에 따라 불순물상( $Y_{2}$ $O_{3}$, 순Ag)이 나타남을 알 수 있었다. IR흡수의 실험결과에서 Cu와 치환되어 들어간 Ag의 Ag-O 결합에 의한 흡수 스펙트럼(670$cm^{-1}$ /)이 관측되었다. 실험 결과로 부터 치환된 Ag의 양 x가 증가함에 따라 Tc가 조금씩 낮아지는 경향이 있었으며 자화의 세기 및 임계자장( $H_{C2}$)은 급격히 감소함을 알 수 있었고 또 M-H특성곡선에는 히스테리시스 특성이 나타났다.났다..났다.다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.11 no.4
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• pp.230-234
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• 2002

Metal-ferroelectric-semiconductor(MFS) capacitors by using rapid thermal annealed $LiNbO_3$/Si structures were successfully fabricated and demonstrated nonvolatile memory operations of the MFS capacitors. The C-V characteristics of MFS capacitors showed a hysteresis loop due to the ferroelectric nature of the $LiNbO_3$thin film. The dielectric constant of the $LiNbO_3$film calculated from the capacitance in the accumulation region in the capacitance-voltage(C-V) curve was about 25. The gate leakage current density of MFS capacitor using a platinum electrode showed the least value of $1{\times}10^{-8}\textrm{A/cm}^2$ order at the electric field of 500 kV/cm. The minimum interface trap density around midgap was estimated to be about $10^{11}/cm^2$.eV. The typical measured remnant polarization(2Pr) value was about 1.2 $\mu\textrm{C/cm}^2$, in an applied electric field of $\pm$ 300 kv/cm. The ferroelectric capacitors showed no polarization degradation up to about $10^{10}$ switching cycles when subjected to symmetric bipolar voltage pulse in the 500 kHz.

• Journal of the Korea institute for structural maintenance and inspection
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• v.8 no.4
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• pp.87-96
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• 2004

As a special concrete, which is a mixture of soil, cement and water, has strength like regular concrete for pavement, soil cement has been used in various field such as pavement and soft soil improvement. The objective of this study was to investigate the characteristic of unconfined compressive strength and time dependent behavior of soil cement that is made from decomposed granite soil or coluvial and inorganic solidification liquid. The results showed that the unconfined compressive strength appears to increase as the amount of cement and curing time increase In addition, the strength seems to decrease with increase of the potion of fine particles(No 200 sieve). The result of XRD indicated that there is Vermiculite, the product of reaction, in the soil cement. The dynamic properties of material, such as shear complex compliance, shear complex modulus, and phase angle could be calculated from the hysteresis loop obtained from the Haversine Creep Tests. Finally, creep behavior was able to be predicted from these dynamic properties.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.218-218
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• 2010

유기물과 무기물이 결합한 유기물/무기물 나노복합체는 차세대 전자 소자 제작에 있어 저전력 및 높은 생산성으로 인해 유용한 소재로 각광받고 있다. 유기물/무기물 나노복합체에 사용되는 물질 중에서 코어-쉘 구조의 나노 입자를 사용한 나노복합체는 나노 입자의 쉘에 의한 메모리 특성의 변화로 인해 차세대 메모리 소자에 응용하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 코어-쉘 나노 입자가 분산되어 삽입된 고분자 박막 구조를 사용한 비휘발성 메모리의 쉘에 의한 메모리 특성 변화에 대한 연구는 비교적 미미하다. 본 연구에서는 CdTe-CdSe 나노 입자가 Poly(9-vinylcarbazol) (PVK) 박막에 분산된 구조를 기억층으로 사용하는 비휘발성 메모리 소자의 제작과 CdSe 쉘 층에 의한 메모리 특성의 변화에 대한 관찰을 수행하였다. 코어-쉘 나노입자에서 쉘의 역할을 알기 위하여 CdTe-CdSe 나노 입자와 CdTe 나노 입자를 각각 PVK에 톨루엔을 사용하여 녹여 나노 입자가 분산된 용액들을 제작하였다. 두 용액을 p-Si 기판 위에 스핀 코팅으로 도포한 후에 열을 가해 나노복합체를 형성하고 Al을 게이트 전극으로 증착한다. 제작된 두 가지 Al/CdTe-CdSe나노 입자＋PVK/p-Si 소자와 Al/CdTe나노 입자＋PVK/p-Si 소자는 정전용량-전압 (C-V) 측정 결과 히스테리시스 특성이 관찰되었다. CdTe-CdSe 나노 입자를 포함한 소자의 C-V 곡선의 flatband voltage shift는 0.5 V이고, CdTe 나노입자를 포함한 소자의 C-V 곡선의 flatband voltage shift는 1.1 V이다. CdTe-CdSe 나노 입자가 포함된 소자와 CdTe 나노 입자가 포함된 소자의 flatband voltage shift의 차이가 나타나는 원인에 대하여 에너지 밴드 대역도를 사용하여 설명하였다. 본 연구결과는 코어-쉘 나노 입자를 사용하는 비휘발성 메모리 소자에서 쉘에 의한 메모리 특성 변화에 대한 정보를 제공할 것이다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.25 no.11
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• pp.1329-1334
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• 1988

A new method was developed for growing oxidation film by thermal reaction of $NH_3$ and $O_2$. The growth rate increased with the increase of partial pressure of $NH_3$. Optical transparency of the growth film was 12% at the wave number 1100 $cm^{-1}$ compared with 17% by thermal dry oxidation method, and the quality was much better. In C-V characteristic curve, $Q_{OX}$ was almost equal to $Q_{SS}$ and no hysteresis phenomena was observed. n-MOS transistors fabricated with this new method showed $I_D$-$V_{DS}$ characteristics better than thermal dry oxidation method.

• Journal of the Korean Geotechnical Society
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• v.20 no.1
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• pp.109-120
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• 2004

There has been outstanding research on the soil-water characteristic curves of unsaturated soils over the past several decades. Unfortunately, unsaturated soil mechanics has not been considered as an important factor in Korea. In this paper, laboratory test and numerical analysis(SoilVision Professional ver 3.04) were performed to investigate the prediction method of soil-water characteristic curve and unsaturated permeability coefficient in reclaimed ground. The pressure cell, desiccator, and tensiometor tests were conducted on three types of reclaimed soils(dredged soil, sand, weathered granite soil). Numerical analysis was executed to compare the results with the laboratory test results and also compared with the results of each prediction method. Based on the laboratory test, three different types of soils have shown different soil-water characteristic curves. The hysteresis fir these soils is clearly defined. As a result of numerical analysis, Fredlund & Xing's method and Fredlund & Wilson's model proved to worke out well for reclaimed ground soils in Korea. Also, predicting method based on the soil-water characteristic curves from the particle-size distributions is flirty reliable for estimating unsaturated permeability coefficient.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.11
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• pp.765-770
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• 2001

Metal-ferroelectric-insulator- semiconductor(MFTS) devices by using rapid thermal annealed (RTA) LiNbO$_3$/AIN/Si(100) structures were successfully fabricated and demonstrated nonvolatile memory operations. Metal-insulator-semiconductor(MIS) C-V properties with high dielectric AIN thin films showed no hysteresis and good interface properties. The dielectric constant of the AIN film calculated from the capacitance at the accumulation region in the capacitance-voltage(C-V) characteristics was about 8. The C-V characteristics of MFIS capacitor showed a hysteresis loop due to the ferroelectric nature of the LiNbO$_3$ thin films. Typical dielectric constant value of LiNbO$_3$ film of MFIS device was about 23. The memory window width was about 1.2 V at the gate voltage of $\pm$5 V ranges. Typical gate leakage current density of the MFIS structure was the order of 10$^{-9}$ A/$\textrm{cm}^2$ at the range of within $\pm$500 kV/cm. The ferroelectric capacitors showed no polarization degradation up to about 10$^{11}$ switching cycles when subjected to symmetric bipolar voltage pulse(peak-to-peak 8 V, 50 % duty cycle) in the 500 kHz.