Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.7
no.6
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pp.1109-1114
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2003
In this paper, the electric characteristic of the SGPS with slot in the ground plane is similar to the parallel resonant circuit. When the slot length in SGPS is equal to the half wavelength of specific frequency, the characteristic of SGPS represent the large attenuation at the specific frequency. We found out the relation between attenuation and resistor on the slot in SGPS and we designed the variable attenuator for MMIC using the variable resistor. This attenuator can be applied to AGC circuit in transceiver if the PIN diode is used replace for resistor.
최근의 가정용 전기 설비의 경우 다양화, 첨단화 되면서 과거에는 예상치 못했던 재해들이 발생하여 기존의 설비에 영향을 주는 경우가 생겨난다. 특히 누전 차단기의 경우 고조파, 대지 정전용량 등에 의하여 오동작 요소로 작용하고 있으며, 이를 해결하기 위한 방법으로 저항성 누설 전류에 대한 분석이 필요하며 이를 위하여 전압 위상과 전류 위상, 누설 전류 위상을 검출하여 비교함으로써 순수 저항성 누설 전류와 용량성 누설전류에 대한 분석을 검출 모니터링하여 비전문가 집단인 수용가 특히 가정에서 보다 안전한 전기사용과 관리에 활용 하고자한다.
최근 유도전동기를 이용한 가변속 구동시스템의 수요가 자동화 및 에너지의 효율적 이용 측면에서 육상 산업체는 물론, 선박 및 해양플랜트에도 확산되고 있다. 유도전동기의 토크 고속제어법은 가변속 구동시스템의 고성능화를 위한 필수과제로서, 제어법 적용시 2차저항의 동정문제가 대단히 중요하다. 본 논문에서는 유도전동기의 토크 고속 응답제어계에 있어서 고정도의 토크응답을 실현하기 위한 2차저항 동정법을 제안한다. 제안된 방법은 모터의 회로방정식으로부터 유도되며, 모터의 인가전압과 1차전류 정보로부터 간단히 구현된다. 제안된 방안의 타당성을 검증하기 위하여 펄스폭변조방식의 전압형 인버터를 상정한 수치 시뮬레이션을 수행하며 그 결과를 통하여 제안방식의 유용성을 입증한다.
본 논문은 기설 WSI제 CVT에 대해 전자 과도해석 프로그램((EMTP : Electromagnetic Transient Program)을 통한 모의실험으로 철공진현상 제동저항 크기($0.5{\Omega}$)를 선정하고, 기설 154kV 및 345kV CVT의 철공진방지회로를 제동저항 단독취부 형태에서 과포화리액터와 제동저항을 직렬회로로 구성하여 취부하는 방식으로 개선한 후 실증시험 및 현장적용 시험을 통해 CVT 쳔공진현상 제동여부 확인 및 외함온도 변화추이 비교하여 개선효과를 제시함으로써 WSI제 CVT 고장예방에 기어코자 한다.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.12
no.3
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pp.26-29
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1975
In this paper, the input equivalent resistances of the n phase-diode average and envelope detection. circuits for the sinusoidal signal waveforms are analytically derived from the power loss in their load resistances, and the input equivalent resistance of the n phase-diode envelope detection circuits for the arbitrary signal waveforms is also obtained from the same physical conception.
In this paper, we propose LDO regulator to operate using Pseude resistor instead of widely used Feedback resistor in conventional LDO regulator. Proposed Feedback network using Pseudo resistor has smaller area than the conventional feedback resistor and plays the role of an conventional LDO regulator. Thus, it has been proposed to compensate for the disadvantages of LDO regulator with noise. Although proposed LDO regulator compared with conventional LDO regulator has similar performance, this LDO regulator provide higher efficiency by reducing the overshoot and decreasing the area. This circuit was designed to using a Dongbu Hitek 0.18um CMOS process.
본 연구에서는 비선형 저항 특성을 지진 산화 몰리브덴 (MoO3) 소자를 이용한 새로운 피뢰 소자 기술을 제안한다. MoO3 소자는 가열법과 RF 스퍼터링법에 의해 각각 제작하였으며, 이들을 서로 겹쳐서 제작된 양면박막의 갭형 소자에 대해, 절연내력, 응답특성 등의 전기적 특성과 방전 후의 표면 특성 변화 등에 대하여, 실험적으로 고찰하였다. 그 결과, MoO3 소자는 총 10회로 연속적으로 인가한 임펄스 전압실험에서 양호한 동작을 보였으며, 2회 인가 시, 저항 값이 다소 감소하기는 하였으나, 약 $800k{\Omega}$의 저항 값을 일정하게 유지하여 피뢰 소자로서의 성능을 계속 유지할 수 있음을 확인할 수 있었다.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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v.40
no.3
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pp.135-144
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2003
This work proposes on-chip full CMOS current and voltage references for high-speed mixed-mode circuits. The proposed current reference circuit uses a digital-domain calibration method instead of a conventional analog calibration to obtain accurate current values. The proposed voltage reference employs internal reference voltage drivers to minimize the high-frequency noise from the output stages of high-speed mixed-mode circuits. The reference voltage drivers adopt low power op amps and small- sized on-chip capacitors for low power consumption and small chip area. The proposed references are designed, laid out, and fabricated in a 0.18 um n-well CMOS process and the active chip area is 250 um x 200 um. The measured results show the reference circuits have the power supply variation of 2.59 %/V and the temperature coefficient of 48 ppm/$^{\circ}C$ E.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.52
no.8
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pp.49-58
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2015
A floating type of memristor emulator which acts like the behavior of $TiO_2$ memristor has been developed. Most of existing memristor emulators are grounded type which is built disregarding the connectivity with other memristor or other devices. The developed memristor emulator is a floating type whose output does not need to be grounded. Therefore, the emulator is able to be connected with other devices and be utilized for the interoperability test with various other circuits. To prove the floating function of the proposed memristor emulator, a Wheatstone bridge is built by connecting 4 memristor emulators in series and parallel. Also this bridge circuit suggest that it is possible to weight calculation of the neural network synapse.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.214-215
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2011
RF 플라즈마의 경우 일반적인 싱글 랑뮤어 프루브를 사용하여 I-V 파형을 구하는 경우에, 우리는 시평균한 값만을 구할 수 있다. 일반적인 플라즈마 반응 챔버의 구조상, 양 전극의 크기가 다르기 때문에, 시간에 따라 진동하는 플라즈마 포텐셜의 형태는 정확한 사인파의 형태가 아니다. 그렇기 때문에 플라즈마 포텐셜에 따라서 진동하는 데이터를 시평균한 값에는 DC 오프셋 성분이 나타난다. 이러한 DC 오프셋값은 랑뮤어 프루브를 통한 플라즈마 포텐셜 측정시에 오차로 나타난다. 우리는 DC 오프셋에 의한 에러값을 보정하기 위해 멀티 프루브를 사용할 수 있다. 가장 흔하게 쓰이는 듀얼 랑뮤어 프루브의 경우를 살펴보면, 내부의 전원이 플로팅되어 있으며 전압인가를 위한 회로 또한 접지에서 절연되어 있기 때문에, 플라즈마 포텐셜이 시간에 따라 흔들려도 전체적인 전위가 플라즈마 포텐셜과 함께 움직이기 때문에, 앞에서 말한 DC 오프셋에 의한 오차를 줄일 수있다는 장점이 있다. 그러나, 이를 위하여는 회로의 절대적인 플로팅이 필요하지만 실제 듀얼 랑뮤어 프루브의 전원 회로를 구현시에는, 트랜스포머 등을 사용하여 회로를 절연시켜도 회로에 기생적으로 발생하는 콘덴서 성분 때문에 플로팅에 영향을 받을 수 있다. 또한 양극과 음극 사이의 내부 임피던스가 다르게 나타난다. 실제로 기존의 듀얼 랑뮤어를 가지고 RF 플라즈마를 측정할 때에, 듀얼 랑뮤어 프루브의 두 팁 간에 서로 다른 전압-전류 파형이 나타나곤 한다. 이러한 두 팁간의 전압-전류 파형의 차이는 두 팁이 물리적으로 완전히 동일한 구조를 가질 수 없기 때문에 발생 하기도 하지만, 위에서 밝힌 원인에 의해서도 발생한다. 이로 인하여 듀얼 랑뮤어 프루브에 의한 I-V 파형은 이론 상 원점을 대칭으로 한 기함수의 형태이어야 하는데, 실제 측정 결과를 보면 이러한 대칭 형태의 모양을 보기 힘들다. 우리는 이에 이를 보정하기 위하여 위상이 180도 차이가 나는 두 개의 삼각파 발생 전원을 각각 듀얼 랑뮤어 프루브의 양 팁에 인가하여 두 팁 간의 내부 저항과 기생 임피던스 등을 일치시킨 프루브를 디자인하였으며 이 프루브를 이용한 실험에서, 비교적 완벽하게 원점에 대하여 대칭하는 I-V 커브를 구할 수 있었다. 이에 이 논문에서는 새로운 회로와 이 회로로 이루어진 듀얼 랑뮤어 프루브를 사용하여 플라즈마를 진단하는 방법에 대하여 기술한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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