모터의 정밀한 제어를 위해서 홀센서와 모터의 회전자 위치를 검출해내는 엔코더의 사용이 필수적이라 할 수 있다. 본 논문에서는 BLAC모터의 회전자 위치검출 방법으로 자석과 디지털 신호처리 칩을 이용하여 엔코더와 홀센선의 기능을 구현하였다. 이러한 방법의 장점은 기구적인 구조가 단순하여 저가로 구현할 수 있다는 것이다. 단순 2극 자석이 칩의 중심점을 축으로 회전하면 칩 중심 부위의 통합적 홀소자가 칩 표면 자기장을 전압으로 변환한다. 이 신호를 받아 DSP의 아날로그/디지털 변환 기능을 이용하여 절대각도 위치 정보를 검출해내어 기존의 엔코더 성능을 대치하는 연구과정을 본 논문에서 보였다.
Electric Power Steering(EPS) system is superior to conventional Hydraulic Power Steering(HPS) system in aspect of fuel economy and environmental concerns. The EPS system consists of torque sensor, electric motor, ECU(Electric Control Unit), gears and etc. Among the elements, the torque sensor is one of the core technologies of which output signal is used for main input of EPS controller. Usually, the torque sensor has used torsion bar to transform torsion angle into torque. The torsion angle of both ends of a torsion bar is measured by a contact variable resistor. In this paper, the sensor is accurately analyzed using 3D finite element method and its characteristics with respect to four different shapes of the stator teeth are compared. The four shapes are rectangular, triangular, trapezoidal and circular type.
Distribution of the local critical temperature and current density in YBCO coated conductors were analyzed using Low-temperature Scanning Laser and Hall Probe Microscopy (LTSLHPM). We prepared YBCO coated conductors of various bridge types to study the spatial distribution of the critical temperature and the current density in single and multi bridges. LTSLHPM system was modified for detailed linescan or two-dimensional scan both scanning laser and scanning Hall probe method simultaneously. We analyzed the local critical temperature of single and multi bridges from series of several linescans of scanning laser microscopy. We also investigated local current density and hysteresis curve of single bridge from experimental results of scanning Hall probe microscopy.
Magnetic Characteristics of an InSb hall device of multilayered structures were investigated. For the measurement of electrical properties of the hall device InSb thin films fabricated with series and parallel multilayers wee evaporated. Hall coefficient hall mobility carrier density and hall voltage were measured as a function of the intensity of magnetic field. We found that the XRD analysis of InSb thin film showed good properties at 20$0^{\circ}C$ 60 minutes. Resistance of ohmic contact was increased linearly due to increasing current. Hall voltages at 0.01 T showed 5$\times$10$^{-4}$ [V] and $1.5\times$10$^{-3}$ [V]. Some of device fabrication technique and analysis of magnetic characteristics were discussed.
In this research, the structural, physical and electrical characteristics of Ni-Fe core chosen to minimize the errors of the Hall current sensors were investigated and Hall current sensor using Ni-Fe core was fabricated. In the result, the fabricated Ni-Fe sample exhibited the maximum hardness about 29.5 GPa and the low friction coefficient about 0.35, and electrical resistivity over $90mOhm{\cdot}cm$. And also Hall current sensor using the fabricated Ni-Fe core showed linear current-voltage properties for DC current at $25^{\circ}C$ temperature.
$150^{\circ}C$정도의 높은 온도를 갖는 경우와 같은 열악한 환경 조건하에서의 기어 톱니의 회전수 검출을 위한 센서의 원리, 설계, 응용에 대하여 연구하였다. 톱니 바퀴의 회전의 검출을 위해 바이폴라 실리콘 공정에 의하여 SIMOX 기판위에 한 쌍의 Hall 소자들을 제조하여 차동검출방식을 사용하였다. 제작된 고온용 Hall 소자는 $-40^{\circ}C{\sim}150^{\circ}C$의 넓은 온도 영역을 지니며 동작영역에서의 적감도는 약 510 V/AT이었다. 차동 Hall 소자는 단일 Hall 소자를 사용할 때보다 넓은 온도 영역에 걸쳐 센서와 톱니 바퀴사이의 가능한 최대 거리를 보다 넓게 만들어 주었으며 최대 검출거리는 4mA 의 구동전류에서 약 4.5mm이었다.
3D 패키징 기술은 전기소자의 소형화, 고용량화, 저전력화, 높은 신뢰성등의 요구와 함께 그 중요성이 대두대고 있다. 이러한 3D 패키징의 연결방법은 와이어 본딩 또는 플립칩등의 기존의 방법에서 TSV(Through Silicon Via)를 이용하여 적층하는 방법이 주목받고 있다. TSV는 기존의 와이어 본딩과 비교하여 고집적도, 빠른 신호전달, 낮은 전력소비 등의 장점을 가지고 있어 많은 연구가 진행되고 있다. TSV의 세부 공정 중 비아필링(Via filling)기술은 I/O수 증가와 미세피치화에 따른 비아(Via) 직경의 감소 및 종횡비(Via Aspect Ratio)증가로 인해 기존 필링 공정으로는 한계가 있다. 기존의 비아 홀(Via hole)에 금속을 필링하기 위한 방법으로 전기도금법이 많이 사용되고 있으나, 전기도금법은 전기도금액 조성, 첨가제의 종류, 전류밀도, 전류모드 등에 따라 결과물에 큰 차이가 발생되어, 최적공정조건의 도출이 어렵다. 또한 20um이하의 비아직경과 높은 종횡비로 인하여 충진시 void형성등의 문제점이 발생하기도 한다. 본 연구에서는 용융솔더와 진공을 이용하여 비아를 필링시켰다. 이 방법은 관통된 비아가 형성된 웨이퍼 양단에 압력차를 주어, 작은 직경을 갖는 비아 홀의 표면장력을 극복하고, 용융상태의 솔더가 관통된 비아 홀 내부로 필링되는 방법이다. 관통 비아홀이 형성 된 웨이퍼 위에 솔더페이스트를 $250^{\circ}C$이상 온도를 가해 용융상태로 만든 후 웨이퍼 하부에 진공을 형성하여 필링하는 방법과 용융솔더를 노즐을 통하여 위쪽으로 유동시켜 그 위에 비아홀이 형성된 웨이퍼를 접촉하고 웨이퍼 상부에 진공을 형성하여 필링하는 방법으로 실험을 각각 실시하였다. 이 때, 웨이퍼 두께는 100um이하이며 홀 직경은 20, 30um, 웨이퍼 상부와 하부의 진공차는 약 0.02~0.08Mpa, 진공 유지시간은 1~3s로 실시하여 최적 조건을 고찰하였다. 각 조건에 따른 필링 후 단면을 전자현미경(FE-SEM)을 통해 관찰하였다. 실험 결과 0.04Mpa 이상에서 1s내의 시간에 모든 비아홀이 기공(Void)없이 완벽하게 필링되는 것을 관찰하였으며 이 결과는 기존의 방법에 비하여 공정시간을 감소시켜 생산성이 대폭 향상 될 수 있는 방법임을 확인하였다.
반도체 특성을 가지는 이차원 전이금속 칼코겐 화합물 $MoS_2$와 강자성이면서 금속성을 가지는 $VS_2$로 이루어진 수평접합 구조를 기반으로 해서, 0%부터 10%까지 2% 간격으로 변형에 따른 쇼트키 장벽(Schottky Barrier) 변화를 밀도 범함수 이론 계산을 통해 연구하였다. 그 결과, 홀의 쇼트키 장벽이 전자의 쇼트키 장벽에 비해 훨씬 작고, 홀의 쇼트키 장벽 높이가 변형에 따라 선형적으로 감소함을 발견하였다. 특히, 8% 이후의 변형에서 홀의 스핀 업 쇼트키 장벽의 높이가 0에 가까워지는 임계 변형값이 존재함을 발견하였고, 이 임계 변형값 이상에서는 스핀 업 성분의 홀이 $MoS_2/VS_2$ 수평접합구조를 통해 쇼트키 장벽 없이 쉽게 흐르게 됨을 알게 되었다. 이러한 연구 결과는 향후, 변형을 통한 이차원 전이금속 칼코겐 수평 접합구조 기반 소자 특성 최적화에 중요한 기초자료로 이용될 것으로 기대한다.
본 논문에서는 높은 회절 효율과 균일도를 갖는 컴퓨터 생성 홀로그래픽 디퓨저를 수정된 반복 푸리에 변환 알고리즘으로 설계하였다. 컴퓨터 생성 홀로그래픽 디퓨저를 설계하기 위한 새로운 방법으로 위상형 홀로 그램들을 대칭, 결합시킴으로서 계산시간을 감소시켰고 재생되는 신호 영역을 확장하였다. 설계한 16 위상형 홀로그래픽 디퓨저는 85.20%의 높은 회절 효율과 2.43%의 균일도, 18.97[㏈]의 평균 신호대 잡음비를 나타내었다. 또한, 컴퓨터 생성 홀로그래픽 디퓨저와 128 단계를 갖는 유사 랜덤 위상 디퓨저를 회절 효율과 균일도 측면에서 비교하였고, 홀로그래픽 디퓨저와 차세대 디스플레이용 소자로서 유용하게 이용될 수 있음을 제시하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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