• 한국자동차공학회논문집
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• 제6권2호
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• pp.21-31
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• 1998

In this paper, a thermo-mechanical model for viscous coupling(VC) was suggested and torque equation in viscous mode was derived considering the effects of geometry of the plates, thermo-mechanical dynamics, silicon oil characteristics and dissolved air characteristics in the silicon oil. Theoretical results were in good accordance with experimental results demonstrating that VC thermo-mechanical model and the theoretical equations, response of the torque transmitted, pressure, temperature and time to the hump were investigated. Simulation results showed that filling rate of the silicon oil plays an integral role not only in the steady state torque characteristics but also in determining the time to hump.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2002년도 춘계학술발표논문집 (상)
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• pp.631-634
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• 2002

In this paper we improved that hump occurrence by increased oxidation thickness, and control field oxide recess$(\leq20nm)$, wet oxidation etch time(19HF, 30sec), STI nitride wet cleaning time(99 HF, 60sec + P 90min) and gate pre-oxidation cleaning time(U10min+19HF, 60sec) to prevent hump occurring at STI channel edge.

• 한국시뮬레이션학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.23-30
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• 2002

An STI(Shallow Trench Isolation) by using a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process has been one of the key issues in the device isolation[1] In this paper we fabricated N, P-MOSFEET tall analyse hump characteristics in various rounding oxdation thickness(ex : Skip, 500, 800, 1000$\AA$). As a result we found that hump occurred at STI channel edge region by field oxide recess. and boron segregation(early turn on due to boron segregatiorn at channel edge). Therefore we improved that hump occurrence by increased oxidation thickness, and control field oxide recess( 20nm), wet oxidation etch time(19HF,30sec), STI nitride wet cleaning time(99HF, 60sec+P 90min) and fate pre-oxidation cleaning time (U10min+19HF, 60sec) to prevent hump occurring at STI channel edge.

• 한국주거학회:학술대회논문집
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• 한국주거학회 2009년 춘계학술발표대회 논문집
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• pp.175-180
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• 2009

According to an increasing demand of political support and development on renewable energy as a solution for the energy problem in Korea, the government has established a goal to raise renewable energy supply from 2.27% to 5% until 2011. Especially in the case of public building in which energy use is in great demand, it would bring a great advantage to develop and utilize the Photovoltaic System as an electric energy and Geothermal Heat Pump System as a thermal energy. On the occasion of Photovoltaic System, Photovoltaic module can be used as an architectural material so that it can reduce construction cost and when we use solar energy, it is possible to make building's own power supply. As for Geothermal Heat Pump System, It can be used infinitely as long as the solar energy exist and operation cost is cheap and yearly efficiency is stable. However, we need to make a plan to reduce early investment expanses for these two renewable energy systems and to expand a diffusion rate as we develop a competitive domestic technology level. So in this study, we are going to perform evaluation of economical efficiency according to the introduction of Photovoltaic System and Geothermal Heat Pump System in public buildings which will be built up inside of Daegu Sin-seo innovation city. As a first step, we will investigate present installation condition of these two renewable energy systems and based upon that, will seek efficient introduction program of renewal energy systems that can be applied in public buildings.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2017년도 춘계학술대회
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• pp.527-528
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• 2017

터널 전계 효과 트랜지스터(tunnel field effect transistor; TFET)의 게이트를 소스 영역으로 오버랩 시킨 구조에서 가우시안으로 P형 도핑한 경우의 전류특성을 조사했다. 제안된 구조는 채널을 P형 도핑하여 험프를 제거하고 가우시안 도핑하여 드레인 벌크영역에서 나타나는 역방향성(ambipolar) 전류를 최소화시켰다. 소스-채널-드레인을 P-P-N으로 구성된 TFET의 구동전류는 P-I-N TFET와 동일하나 문턱전압 이하 기울기(Subthreshold Swing; SS)에서 5배 높은 효율이 관찰되었으며 차단전류는 가우시안 도핑 결과가 일정한 도핑에 비해 약 10배 감소하였고, 역방향성 전류는 100배 감소하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.869-875
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• 2017

본 연구에서는 TCAD 시뮬레이션을 이용하여 4가지 터널링 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistors; TFETs) 구조에 따른 특성을 조사하였다. 단일게이트 TFET(SG-TFET), 이중게이트 TFET(DG-TFET), L-shaped TFET(L-TFET), Pocket-TFET(P-TFET)의 4가지 TFET를 유전율과 채널 길이를 변화함에 따라서 드레인 전류-게이트전압 특성을 시뮬레이션해서 문턱전압이하 스윙(Subthreshold Swing; SS)과 구동 전류(On-current)면에서 비교하였다. 고유전율을 가지며 라인 터널링을 이용하는 L-TFET 구조와 P-TFET 구조가 포인트 터널링을 이용하는 SG-TFET와 DG-TFET보다 구동전류면에서 10배 이상 증가하였고, SS면에서 20 mV/dec이상 감소하였다. 특히, 고유전율을 가진 P-TFET의 주 전류 메카니즘이 포인트 터널링에서 라인터널링으로 변화하는 험프현상이 사라지면서 SS가 매우 향상되는 것을 보였다. 4가지 TFET 구조의 분석을 통해 포인트터널링을 줄이고 라인터널링을 강조하는 새로운 TFET 구조의 가이드 라인을 제시한다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.876-884
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• 2017

TCAD 시뮬레이션을 이용하여 소스 영역으로 오버랩된(Overlapped) 게이트를 가진 실리콘(Si), 게르마늄(Ge)과 실리콘-게르마늄(Si-Ge) Hetero 터널 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistor; TFET)의 터널링 전류 특성을 분석하였다. $SiO_2$를 산화막으로 사용한 Si-TFET의 경우에 포인트와 라인 터널링이 모두 나타나서 험프(Hump) 현상이 나타난다. Ge-TFET는 구동전류가 Si-TFET보다 높으나 누설전류가 높고 포인트 터널링이 지배적으로 나타난다. Hetero-TFET의 경우에 구동전류가 높게 나타나고 누설전류는 나타나지 않았으나 포인트 터널링이 지배적으로 나타난다. $HfO_2$를 산화막으로 사용한 Si-TFET의 경우에 라인 터널링의 문턱전압(threshold voltage)이 감소하여 라인 터널링만 나타난다. Ge과 Hetero-TFET의 경우에 포인트 터널링의 문턱전압이 감소하여 포인트 터널링에 의해 동작되며 Ge-TFET는 누설전류가 증가하였고, Hetero-TFET에서 Hump가 나타난다.

• 한국재난정보학회 논문집
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• 제11권4호
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• pp.570-580
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• 2015

본 연구는 교통정온화(Traffic Calming)기법 적용시 고려되어야 할 계획지표들을 도출하고 이를 토대로 교통정온화 기법 계획시 가장 고려되어야 할 지표들을 AHP분석을 통하여 중요도를 분석하고자 하였다. 계획지표에서의 결과는 도로구간과 교차점구간으로 나누어 요약할 수 있다. 도로구간에서는 감속자극장치의 경우 험프(0.35), 시각제어 장치에서는 이미지험프/폴트(0.31), 시케인에서는 슬라럼형도로(0.52), 통과경로의 차단에서는 볼라드(0.47)가 가장 계획시 중요하고 우선시 되는 것으로 나타났다. 교차점 구간에서는 시각제어장치의 경우 신호 표지(0.33), 감속 자극장치에서는 교차로올림(0.44), 시케인에서는 지그재그형 도로(0.65), 통과경로의 차단에서는 교차점의 직진차단(0.45)이 가장 계획시 중요하고 우선시 되는 것으로 나타났다. 본 연구의 결과는 향후 교통정온화 기법을 적용시 또는 정책수립시 기초적인 자료로 활용 될 수 있을 것으로 판단된다.