SNU 1.5-MV 직렬형 반데그라프 가속기로부터 얻은 0.5~2.2 MeV He$^{++}$ 빔을 이용하여 러더포드 후방산란 분광법 (RBS, Rutherford Backscattering Spectrometry)으로 여러가지 시료의 표면적층을 분석하였다. 먼저 RBS 분석계통의 신뢰성을 확인하기 위하여 Micromatter사와 Charles Evans & Associates에서 제작한 14종 33개의 표준시료들에 대한 후방산란 실험을 수행하여, 각 층의 두께, 원소조성비 및 주입 이온의 깊이, 분포폭을 측정하였다. 결정된 이 값들은 제시된 값과 3% 이내로 일치하였다 이와 같이 본 RBS 분석계통의 신뢰성을 확인한 후, 분석을 의뢰받은 22종 87개의 시료에 대해, 빔에너지. 후방산란의 기하학적 구조 등의 최적 조건하에서 후방산란 실험을 수행하였다 그 결과, 분석가능한 두께의 한계를 벗어난 2종 3개의 시료를 제외한 나머지 모든 시료에 대해 각 층의 두께, 원소조성비 및 농도분포를 결정할 수 있었으며, 측정치의 통계오차는 8% 이내였다. 다양한 종류의 많은 시료들에 대한 표면적층 분석을 수행한 경험을 통하여, RBS 분석에서 신뢰도 높은 결과를 얻기 위해 분석계통에서 필수적으로 고려해야 할 요소들을 파악할 수 있었으며, 분석 결과에 대한 신뢰도는 분석 계통의 체계화뿐만 아니라 시료의 상태에 따라 크게 좌우됨을 알 수 있었다. 결론적으로 주의 깊은 시료준비와 RBS 분석계통의 최적화를 통해 신뢰도 높은 표면적층 분석이 가능함을 확인하였다.
Poly(ethylene-co-methylacrylate)(PEMA)를 KOH, 암모니아 수용액으로 가수분해, ammonolysis 시켜서 측기에 -COOK, $-CONH_2$, -COOH를 갖는 수분산 형태의 변성 폴리에틸렌(m-PE)을 제조하였다. Infrared spectroscopy, 원소 분석 및 atomic absorption 분석 등을 통하여 m-PE 측기의 종류 및 조성비를 조사하였으며 수분산액의 고형분 함량에 따른 점도 및 표면장력을 측정하였다. 제조된 수분산액은 측기의 조성에 따라 안정도, 투명도 등이 변화하였다. 측기 중에서 -COOK가 수분산에 가장 큰 영향을 주었으며 -COOK 조성비가 20 mol% 이상이 되어야 안정한 분산을 얻을 수 있었고 또한 -COOK 조성비가 높을수록 수분산액은 투명하였다. 동일 -COOK 조성비에서는 아마이드의 농도가 높을수록 탁도가 증가하여 친수성이 떨어짐을 알 수 있었다. 분산액의 고형분 함량에 따른 점도를 측정하면 -COOK 조성비가 클 경우 낮은 고형분 함량에서 급격한 점도 증가가 일어나 고분자 사슬사이의 얽힘이 쉽게 일어남을 알 수 있으며 표면장력은 -COOK 조성비가 클 경우 작은 값을 나타내었다.
$BCI_3/H_2/Ar$ ICP(Inductively Coupled Plasma)를 이용한 GaN이 건식식각에 있어서 공정변수들이 식각 특성에 미치는 영향을 분석하고 적정조건을 도출하였다. 연구 결과 식각속도와 측벽수직도 공히 ICP 전력, bias 전압과 $BCI_3$ 조성의 증가, 공정압력의 감소에 의해 현저히 증가하며, 온도의 증가에 따라 다소간 증가하였고, 온도의 증가에 따라 다소간 증가하였고, $BCI_3$조성이 가장 큰 영향을 미쳤다. 표면거칠기는 bias 전압 증가에 의해 크게 향상, $BCI_3$ 조성의 감소에 따라 향상되었으며 다른 변수는 큰 영향을 미치지 않았다. 결과적으로 ICP 전력 900W, bias 전압 400V, $BCI_3$ 조성 60%, 공정압력 4mTorr의 조건에서 175nm/min 정도의 $CI_2$ 사용 시와 유사한 높은 식각속도와 평탄한 표면이 얻어졌다. Bias 전압이 낮은 경우 식각 후 시료 표면에 $GaC_x$로 추정되는 식각부산물이 관찰되었다.
1.6 $\mu\textrm{m}$ 파장대의 U밴드 광증폭기용 광섬유 소재인 Pr첨가 Ge-Sb-Se 계열 셀레나이드 유리의 굴절률을 분광타원법을 이용하여 결정하였다. 시료의 광물성을 조사하기 위해 투과 파장 영역에서의 타원 스펙트럼을 Sellmeier 분산관계식에 기반한 공기/미시 거칠기층/표면층/기층으로 구성된 4상계의 모델에 적용하여 굴절률과 분산계수 및 박막구조상수를 동시에 얻을 수 있었다. 디스크 형태로 가공된 각 시료의 양면을 대상으로 위치에 따라 수회 반복 측정을 통하여 시료의 표면 거칠기의 영향을 파악함으로써 조성 변화에 대한 굴절률 변화 양상을 보다 정확히 파악하였다. 시료의 표면 거칠기가 굴절률 측정치의 편차에 주된 영향을 미쳤으나 1 몰%에 해당하는 소량의 조성변화에 따른 굴절률 변화를 신뢰할 수 있는 수준으로 결정할 수 있었다. 실험적으로 결정된 조성변화와 굴절률과의 관계식은 단일모드의 셀레나이드 광섬유 제작에 있어 코어와 클래드의 조성을 결정하는데 직접적으로 활용될 수 있다.
테이프는 납치, 강도, 폭탄제조 등 강력범죄에 사용되며, 테이프 접착면에는 지문, DNA 등 수사에 필요한 증거가 남아있을 수 있다. 이러한 증거를 수집하기 위해서는 테이프 접착면을 박리하는 과정이 선행되어야 한다. 본 연구에서는 테이프가 다공성표면에 부착되어 있는 경우에 한 가지 시약을 사용하여 테이프를 손상없이 박리하면서 동시에 다공성표면에서 지문을 현출할 수 있는 새로운 조성의 이중목적시약을 탐색하였다. 실험 결과, 새로운 조성의 1,2-IND 농축용액과 HFE-7100의 비율이 1:2인 조성의 시약이 A4 용지에 테이프가 부착되어 있는 경우 테이프 접착면에 손상이 가지 않으면서, 박리한 종이에 열을 가하여 바로 지문을 현출할 수 있었다. 따라서 테이프가 다공성 표면에 부착되어 있는 경우에 본 연구에서 제시하는 새로운 조성의 1,2-IND(HFE-7100 기반, 1:2)를 사용할 것을 권장한다.
접촉운동에 의해 재료 접촉부위의 기계적 상태의 변화가 야기될 때 에너지가 방출되며 그 중의 일부는 AE(음향방출)의 형태로 방출된다. AE가 재료의 표면과 작용해서 일어나는 표면변위(surface displacements)는 기술적으로 표면에 설치한 변위계(displacement sensor)에 의해 쉽게 측정될 수 있으며 이 측정값은 AE가 발생된 물리적인 원인을 설명해주는 여러가지 정보를 제공한다. AE측정의 용이함에 재료의 기계적 변형, 파단과구조 및 조성 등의 변화와 AE와의 밀접한 관계로 인해, 재료의 마찰 접촉시의 거동을 이해하기 위해 AE 모니터링이 점차 활발히 적용되고 있다.
흑연과 수지의 결합력 증진을 위해 산세척을 통해 표면에 활성을 도입하였다. 흑연표면의 FTIR 관찰결과, 초산의 농도에 비례하여 탄소표면에 -O-C=O와 -OH 흡수 띠의 강도가 증가되었다. 시편의 마찰계수는 높은 밀도와 경도 및 강도를 나타내는 조성의 시편에서 낮고 안정된 마찰계수를 보였다. 거리에 따른 마찰계수를 측정한 결과, 흑연블럭은 마찰초기에 낮은 마찰계수 값을 가지나 거리가 증가함에 따라 안정되지 못한 마모가동을 나타내었다. 반면 수지결합질 탄소재는 마찰초기에는 높은 마찰계수를 나타내었지만 마모가 진행되면서 윤활층 형성으로 인해 안정된 마찰거동을 나타내었다.
DC 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 ITO, ITO:Yb 및 ITO:Sm의 조성을 가지는 각각의 타겟을 사용하여 상온에서 박막을 증착한 후 후 열처리를 실시하였다. Yb 및 Sm이 첨가된 타겟을 사용하여 증착한 박막의 경우, 미세구조 및 전기적 특성, 표면거칠기 등은 ITO 박막내의 불순물의 함량에 크게 의존한다는 것을 알 수 있었다. 이것은 새로운 불순물의 첨가에 따른 ITO 박막의 결정성의 저하에 기인한다고 생각된다.
경질 3가 크롬 도금액은 내적인 구성 조성물의 화학비나, 외적인 온도, 시간 등 여러 가지 실험인자들의 복잡한 작용으로 인해 어떤 인자가 어떠한 작용에 상호 영향을 미치는지 파악하기가 쉽지 않다. 통계 프로그램을 사용하여 실험계획법을 작성하고, 측정된 반응치료로부터 분석을 실시하여 최적경사경로를 도출하였다. 또한, 잔차분석과 호감도 함수를 이용한 최적화가 진행되었다.
본 연구에서는 micro-hardening을 통한 고강도 고연성 전해동박을 제조하기 위해 Sn, Co, Zn 등의 원소 첨가량, 전류밀도, 전해액 온도, 첨가제 제어 등의 공정조건 변화에 따른 전해동박층의 표면 형상, 조성 및 전기전도도를 평가하였고, 인장강도와 연신율을 평가하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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