Hopkinson's effect tests were carried out for various strain rates on three different types of rock in both saturated and dry states in order to examine the effects of strain rate and water saturation on tensile strength. The tensile strength increased with the increase of the strain rate not only in dry state but also in saturated state. It was also especially recognizable that the dynamic tensile strength of rock in the dry state was proportional to approximately a one-third multiple of strain rate no matter what the type of rock. It was found that water saturation decreased tensile strength in the dry state of sandstone and tuff, both with high porosity, but no significant difference could be recognized between the dry and the saturated states of granite, which has a low porosity of 0.49%.
기존 도로시설을 최대로 이용하고 교통의 흐름을 질적으로 향상시키기 위해서는 과포화 상태를 고려한 교통시설운영방법을 개선할 필요가 있다. 속도-교통량관계는 교통시설운영의 평가와 서비스수준 산정을 위한 주요 판단기준이 된다. 본 논문에서는 경부고속도로 종점부 구간의 현장조사를 통해 과포화상태의 속도-교통량 관계를 조사 분석하였고 그 결과 다음 몇 가지 결론을 얻을 수 있었다. 첫째, 한국도로용량편람을 비롯한 우리 나라 연구결과는 일반적으로 50km/hr 일 때 용량상태가 나타난다고 알려져 있으나 본 조사결과에 의하면 약 85km/hr 정도에서 용량상태가 발생함을 관측할 수 있었다. 둘째, 과포화구간에서 속도에 따른 통과교통량 증감추이는 대기행렬 증가시 급격한 속도-교통량의 감소가 있는 반면에 대기행렬해소시 속도-교통량의 증가는 완만하게 회복됨을 보였다. 셋째, Ontario 고속도로의 경우와 본 조사연구결과는 비교해본 결과 과포화시 한국의 경우 미국과 동일한 통행속도에서 더 많은 교통량이 통행하는 것으로 확인되었다.
본 논문에서는 속도 포화이후 채널에 발생한느 과잉 캐리어에 의한 채널전하으 발생과 그 영향에 대하여 설명하고 있다. 일반적으로 게이트의 길이가 짧은 GaAs MESFET에서 속도 포화지점에서 전류의 포화가 발생한다. 본 논문은 속도 포화이후 드레인 전압의 증가에 의하여 유입되는 캐리어와 유출되는 캐리어의 차에 의하여 발생하는 채널의 과잉 캐리어에 발생과 이로인해 채널에 쌓이는 채널의 전기적인 특성을 설명하고 있다.
Laboratory tests have revealed that the liquefaction resistance of sands depends strongly upon the degree of saturation, which is expressed in terms of the pore pressure coefficient, B. The velocity of compression waves(i.e. P-waves), which have been known to be influenced largely by the degree of saturation and can be measured conveniently in the field, appears as an indicator of saturation. In this paper, the Stokoe type torsional shear(TS) testing equipment is modified to saturate the specimen and measure the velocities of P-wave and S-wave and pore pressure buildup. The velocities of P-wave and S-wave for Toyoura sand from Japan is measured and compared at the various B-value (degree of saturation) which are partially saturated to fully saturated conditions. Additionally, the variation of the pore water pressure induced during undrained TS tests at the various B-value is measured and analyzed.
Park, Jung-Hee;Kang, Min-Gu;Seo, Sun-Young;Lee, Jong-Sub
KSCE Journal of Civil and Environmental Engineering Research
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v.32
no.6C
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pp.285-293
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2012
The surface tension, which is generated in the unsaturated soils, increases the stiffness of the soils. The objective of this study is to estimate the effect of the surface tension, which varies according to the temperature, on the shear wave velocity. Nine specimens, which have the different degree of saturation (0%, 2.5%, 5%, 10%, 20%, 40%, 60%, 80%, 100%), are prepared by using sand-silt mixtures. Experiments are carried out in a nylon cell designed for the measurement of shear waves. A pair of bender elements, which are used for the generation and detection of shear waves, is installed as a cross-hole type. The shear waves are continuously monitored and measured as the temperature of specimens decreases from $15^{\circ}C$ to $1^{\circ}C$. The results show that shear wave velocities of the fully saturated and fully dried specimens change a little bit as the temperatures of specimens decrease. However, the shear wave velocities of the specimens with the degree of saturations of 2.5%, 5%, 10%, 20%, 40%, 60% and 80% continuously increase as temperature decreases from $15^{\circ}C$ to $1^{\circ}C$. Furthermore, a fully saturated specimen is dried at the temperature of $70^{\circ}C$ in order to observe the shear waves according to degree of saturation. The shear wave velocities measured at the temperature of $70^{\circ}C$ are generally lower than those measured at temperature of $15^{\circ}C$. This study demonstrates that the dependence of shear wave velocities on the temperature according to the degree of saturation should be taken into account in both laboratory and field tests.
The mass density of the medium (ρ) used to calculate the maximum shear modulus (Gmax) of the saturated ground based on the shear wave velocity is unclear. Therefore, to determine the mass density, a verification formula and five scenarios were established. Laboratory tests were conducted, and the obtained results were compared. The mass density of the medium was assumed to be saturated (ρsat), wet (ρt), dry (ρdry), and submerged conditions (ρsub), and the Vs ratios of saturated to dry condition were obtained from each case. Assuming the saturated density (ρsat), the Vs ratio was consistent with the value from the resonant column test (RCT) results, and the value from the bender element test results was consistent with the wet density assumption (ρt). Considering the frequency range of earthquakes, it is concluded that applying the saturated density (ρsat) is reasonable as in the RCT results.
Proceedings of the Computational Structural Engineering Institute Conference
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2010.04a
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pp.674-677
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2010
본 논문에서는 지반에 매립된 파이프에서 전파되는 유도초음파의 종파 모드 특성을 분석하였다. 지상 배관과는 달리 매립 배관에서는 주변 매질로 유도초음파의 누설이 발생할 수 있으며, 이로 인하여 유도초음파의 감쇠가 상대적으로 커질 수 있다. 따라서 본 연구에서는 유도초음파의 여러 특성들 중 종파 모드의 감쇠 특성을 중점적으로 분석하였다. 감쇠에 영향을 미치는 지반의 파동 특성(밀도, 체적종파속도, 체적횡파속도)을 결정하기 위하여 포화도와 다짐을 고려하였다. 포화도가 증가할수록 지반의 체적종파속도와 체적횡파속도는 감소하며, 다짐된 지반은 밀도와 체적종파속도, 체적횡파속도를 증가시킨다. 이와 같은 조건으로 결정된 지반의 파동 특성치와 배관의 물성치를 바탕으로 유도초음파 종파 모드의 감쇠 곡선을 계산하고, 특성을 분석하였다. 결과적으로 포화도가 증가할수록 종파 모드의 감쇠는 감소하는 경향을 나타내었고, 다짐이 증가할 경우 감쇠는 전반적으로 증가하는 경향을 나타냄을 알 수 있었다.
단 채널 MOSFET 소자의 드레인 전압-드레인 전류 특성을 예측하기 위해서 caughey-thomas 이동도 모델을 수치적으로 구현하는 방법을 제안한다. 구현된 caughey-thomas 모델의 정확한 특성을 검증하기 위해서 0.5[.mu.m]의 설계규칙을 가즌 ASIC용 공정으로 n-MOSFET과 p-MOSFET을 제작하였다. 전자 및 정공의 포화속도 값이 각각 6.2*10/sup 6/[cm/sec] 과 1.034*10/sup 7/[cm/sec]인 경우에 채널길이가 0.5[.mu.m] 이상인 n-MOSFET과 p-MOSFET의 드레인 전압-드레인 전류특성의 모의실험 결과는 측정값에 비하여 10% 이내의 상대오차를 보였다.
We constructed a model test apparatus to evaluate the dependence of the saturation velocity (Vs) in soils on rainfall intensity (IR). The apparatus comprises a soil box, a rainfall simulator, and measuring sensors. The model grounds (60 cm × 50 cm × 15 cm) were formed by Joomunjin standard sand with a relative density of 75%. The rainfall simulator can control the rainfall intensity to reenact the actual rainfall in a soil box. Time Domain Reflectometer (TDR) sensors and tensiometers were installed in the soils to measure changes in the volumetric water content and matric suction due to rainfall infiltration. During the tests, the soil saturation was determined by raising the groundwater table, which was formed at the bottom of the soil box. [Please check that the correct meaning has been maintained.] The wetting front did not form at the ground surface during rainfall because the soil particles were uniform and the coefficient of permeability was relatively high. Our results show that the suction stress of the soils decreased with increasing volumetric water content, and this effect was most pronounced for volumetric water contents of 20%-30%. Based on a regression analysis of the relationship between rainfall intensity and the average saturation velocity, we suggest the following equation for estimating the saturation velocity in soils: Vsavg (cm/sec) = 0.068IR (mm/hr).
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.50
no.9
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pp.55-59
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2013
A new method using RF Ids determined from measured S-parameters is proposed to extract the gate-voltage dependent effective carrier velocity of bulk MOSFETs in the saturation region without additional dc Ids measurement data suffering parasitic resistance effect that becomes larger with continuous down-scaling to sub-$0.1{\mu}m$. This method also allows us to extract the carrier velocity in the saturation region without the difficult extraction of bias-dependent parasitic gate-source capacitance and effective channel length. Using the RF technique, the electron velocity overshoot exceeding the bulk saturation velocity is observed in bulk N-MOSFETs with a polysilicon gate length of $0.065{\mu}m$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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