• 대한기계학회논문집B
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• 제32권12호
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• pp.915-923
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• 2008

The performance experiments for a microchannel printed circuit heat exchanger (PCHE) of high-performance and high-efficiency on the two technologies of micro photo-etching and diffusion bonding were performed in this study. The microchannel PCHE were experimentally investigated for Reynolds number in ranges of 100 $\sim$ 700 under various flow conditions in the hot side and the cold side. The inlet temperatures of the hot side were conducted in range of $40^{\circ}C\;{\sim}\;50^{\circ}C$ while that of the cold-side were fixed at $20^{\circ}C$. In the flow pattern, the counter flow was provided 6.8% and 10 $\sim$ 15% higher average heat transfer rate and heat transfer performance than the parallel flow, respectively. The average heat transfer rate, heat transfer performance and pressure drop increases with increasing Reynolds number in all the experiment. The increasing of inlet temperature in the experiment range has not an effect on the heat transfer performance while the pressure drop decrease slightly with that of inlet temperature. The experimental correlations to the heat transfer coefficient and pressure drop factor as a function of the Reynolds number have been suggested for the microchannel PCHE.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1339-1340
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• 2007

본 연구에서는 이종 차원 나노선과 나노입자의 결합에 따른 단일 나노선 소자의 전기적 특성 및 메모리 효과를 연구하였다. 열증착법으로 성장 된 p 형 Si 나노선에 Atomic Layer Deposition (ALD) 방법으로 10nm의 $Al_{2}O_{3}$를 증착한 후 Low Precensure - Chemical Vapor Deposition (LP-CVD)를 이용하여 Polycrystalline Sicon(Poly-Si)을 Si 나노선 위에 5nm 증착하고 습식 에칭법을 이용하여 poly Si 내의 $SiO_x$를 제거하여 Si 나노입자를 Si 나노선 위에 형성시켰다. 그 후 포토리소그래피 공정을 이용하여 Top gate 형태의 나노선-나노입자 이종결합 Field-Effect Transistor (FET) 소자를 제작하여 게이트 전압에 따른 드레인 전류-전압($I_{DS}-V_{DS}$)의 변화를 측정하여 나노선의 전기 소자로서의 특성을 확인하고, 게이트 전압을 양방향으로 swing 하면서 인가하여 $I_{DS}$ 전류 특성이 변화하는 것을 통해 메모리 효과를 조사하였다. 또한 나노입자의 결합이 게이트 전압의 인가 시간에 따라 드레인 전류에 영향을 미치는 것을 확인하여 메모리 소자로서의 가능성을 확인하였다.

• 한국의학물리학회지:의학물리
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• 제25권2호
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• pp.116-121
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• 2014

본 본문은 Bio-MEMS 공정으로 제작한 마이크로 세포 분석 바이오칩을 사용하여 적혈구의 광학적 특성을 전압으로 측정한 실험이다. Bio-MEMS 공정을 이용하여 세포의 원활한 이동과 측정 분석에 사용되는 글라스에 채널 패턴 에칭을 위하여 포토리소그래피(photolithography)와 산화완충식각(BOE: buffered oxide etchant) 공정 조건, 세포 분석과 정보 전달에 사용되는 광섬유의 에칭을 위하여 산화완충식각 공정 조건, 세포나 유체를 칩과 외부의 전달 등에 사용되는 글라스의 홀을 위하여 전기화학방전(ECD: electro chemical discharge) 공정 조건, 글라스 접합을 위한 자외선반응접합(UVSA: ultraviolet sensitive adhesives) 공정 조건을 정립하였다. 또한 유체나 세포의 흐름 제어를 위한 라미나 흐름 조건, 적혈구세포에 대한 산란빔 파형을 측정하였다. 적혈구 실험을 통하여 출력 광섬유의 각도에 따른 산란빔이 출력측의 광섬유각도가 $0^{\circ}$일 때 약 17 V, 각도가 $5^{\circ}$일 때 약 10 V, 각도가 $10^{\circ}$일 때 약 6 V, 각도가 $15^{\circ}$일 때 약 4 V의 전압(Vpp)으로 측정되었다. 따라서 마이크로 세포 분석 바이오칩 제작의 소형화, 단순화, 공정신간 단축, 정량화하였고 적혈구의 광학적 특성을 측정을 측정함으로써 의공학(biomedical), 바이오칩공학(biochip), 반도체공학(semiconductor), 생물정보학(bioinformatics) 등의 응용과학 분야 발전에 기여할 것으로 기대한다.

• 감성과학
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• 제14권4호
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• pp.495-502
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• 2011

광섬유 직물 기반 스마트 의류가 국, 내외로 개발되고 있는 실정이며, 기존의 일반적인 광섬유는 직물화가 어렵고 내구성, 내수성이 결여되어 세탁 및 유지 관리의 한계로 인해 에칭된 광섬유사의 표면에 합성수지를 코팅 처리하는 '내수성 광섬유사 가공 기술'이 최근 개발 되었다. 본 연구에서는 제직 후 측광가공 된 유연 광섬유 직물을 대상으로 광섬유사 길이에 따른 특성과 광원 색채에 따른 발광 특성을 분석, 평가하여 디지털 컬러 의류의 적용 적합성을 파악하고자 한다. 이를 위하여 광섬유사 길이에 따른 총 4가지 유연 광섬유 직물시료를 제직하여, 이를 대상으로 광원 색채에 따른 유연 광섬유 직물의 휘도, 물리적 가시도, 지각적 가시도를 측정함으로써 발광특성을 분석하였다. 그 결과, 10cm인 유연 광섬유 직물과 녹색 광원을 사용한 경우가 최대가시거리 100m로 디지털 컬러 의류 즉, 안전보호 기능의 산악복 적용에 가장 적합한 발광효과를 보이는 것으로 나타났다. 그러므로 본 연구의 결과는 앞으로 유연 광섬유 직물 적용 의류 개발과 관련된 후속 연구의 자료로서 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제27권3호
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• pp.73-76
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• 2020

은 나노와이어는 금속 특유의 고전도 특성, 낮은 Percolation threshold 및 고투과 특성을 나타내어 차세대 투명전극 물질로 각광받고 있다. 이를 플렉서블 및 웨어러블 디바이스, 전자피부 디바이스 등과 같은 다양한 분야에 활용하기 위해서는 은 나노와이어 전극을 필요한 형태로 패터닝 하기 위한 기술이 필수적으로 요구된다. 일반적으로, 은 나노와이어를 패터닝하기 위한 공법으로는 포토리소그래피 및 에칭, 프린팅, 레이저 Ablation 등을 들 수 있으나, 이러한 패터닝 기술들은 공정 절차가 복잡하거나 높은 공정 비용 등의 단점이 있다. 이에 본 연구에서는 UV-curable 점착제 기반의 low-cost 은 나노와이어 패터닝 공법을 개발하고자 하였다. 은 나노와이어 네트워크가 형성된 폴리우레탄 필름에 UV 경화형 테이프를 부착하고, UV를 선택적으로 조사한 뒤, 다시 UV 경화형 테이프를 벗겨내는 3단계의 간단한 공정만으로 은 나노와이어 패턴을 성공적으로 형성할 수 있었으며, 간단한 구현 원리 및 분석 결과를 본 논문에서 보고하고자 한다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제5권5호
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• pp.1011-1016
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• 2001

본 논문에서는 교차 및 결합 선로를 갖는 마이크로스트립 개방루프 공진기를 이용한 협대역 대역통과 여파기를 설계.제작하였다. 이 여파기는 크기가 작고 경량이며, 협대역 타원함수 대역통과 특성과 같은 우수한 특성을 가지고 있다. 여파기는 두 개의 동일한 마이크로스트립 개방루프 공진기와 교차 및 결합선로로 구성되어 있다. 개방루프 공진기를 사용함으로서 여파기 크기는 링 공진기와 비교하여 50% 정도가 축소된다. 교차선로는 억제대역에서 두 개의 노치를 제공하므로, 통과대역에서 예리한 선택도를 가진다. 중심주파수 2.455GHz로 설계된 마이크로스트립 대역통과 여파기는 1.22%의 대역폭을 가지며, 이는 무선LAN의 응용에 매우 적합하다. 여파기는 포토 에칭법으로 제작하였다 제작된 대역통과 여파기는 2.458GHz대에서 0.85%의 대역폭을 가지며 크기는 $2.6cm\times1cm$이다.

• 공업화학
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• 제19권4호
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• pp.402-406
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• 2008

자유 라디칼 중합법으로 친 이산화탄소성 단량체인 퍼플로로데실메타크릴레이트(FDMA)와 산에 불안정한 단량체인 tert-부틸메타크릴레이트(TBMA)로 구성된 랜덤 공중합체를 합성하였다. 합성된 공중합체의 이산화탄소에 대한 용해도 특성 및 365 nm 노광에서의 포토레지스트 감도 특성에 관하여 조사하였다. 또한, 랜덤 공중합체를 이용하여 형성된 패턴을 플라즈마 에칭을 통해 전도성 고분자인 poly(styrenesulfonate): poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PSS : PEDOT)에 전사하여 미크론크기의 PSS : PEDOT 패턴을 제조할 수 있었다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제34권2호
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• pp.113-120
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• 2010

마이크로채널 열교환기에서 R-134a의 증발열전달 특성에 관하여 실험적 연구를 수행하였다. 마이크로채널은 금속박판인 SUS304에 포토에칭 공정으로 식각되었으며, 13개의 금속박판은 차례로 적층되어 확산접합공정을 통하여 접합되었다. 본 연구에서는 R-134a의 증발온도, 질량유속 그리고 물의 입구온도의 변화에 따른 열전달 특성을 대향류 조건에서 실험하였다. 실험결과 R-134a와 물의 입구온도차가 클수록 증발열전달량은 증가하였으며, 증발열전달계수는 0.67 kW/$m^2{\cdot}^{\circ}C$에서 6.23 kW/$m^2{\cdot}^{\circ}C$이었다. 아울러 마이크로채널 열교환기에서 R-134a와 물의 열교환에 따른 증발열전달 특성에 영향을 미치는 Reynold수와 무차원 온도비 $\Theta$를 도출하여 Nusselt수에 관한 실험적 상관식을 제안하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권4호통권37호
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• pp.275-280
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• 2005

나노 임프린트 (NIL)와 포토 리소그라피를 접목시킨 combined nanoimprint and photolithography (CNP) 기술을 이용하여 나노 미세 패턴을 형성하였다. 일반적인 UV-NIL 스탬프의 양각 패턴 위에 Cr 금속막을 입힌 hybrid mask mold (HMM)을 E-beam writing과 plasma etching으로 제작하였다. HMM 전면에는 친수성 물질인 $SiO_2$를 코팅하여 점착방지막 역할의 self-assembled monolayer(SAM) 형성을 용이하게 함으로써 HMM과 transfer layer의 분리를 용이하게 하여 패턴 손상을 억제하였다. 또한, transfer layer에는 일반적인 monomer resin 대신에 건식 에칭에 대한 저항력이 높은 negative PR을 사용하였다. Photo-mask 역할을 하는 HMM의 Cr 금속막이 UV를 차단하여 잔류하게 되는 PR의 비경화층(unexpected residual layer)은 간단한 현상 공정으로 제거하여 PR 잔류층이 없는 나노 미세 패턴을 transfer layer에 형성하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.348-348
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• 2014

차세대 디스플레이 구동 회로 소자를 위한 재료로서, Amorphous Oxide Semiconductor (AOS)가 주목받고 있다. AOS는 기존의 Amorphous Silicon과 비교하여 뛰어난 이동도를 가지고 있으며, 넓은 밴드 갭에 의한 투명한 광학적 특성을 가지고 있다. 이러한 장점을 이용하여, AOS 박막은 thin film transistor (TFT)의 active channel로 이용 되고 있다. 하지만, AOS를 이용한 TFT의 경우, 시간이 경과함에 따라 $O_2$ 및 $H_2O$ 흡착에 의해 전기적 특성이 변하는 현상이 있다. 이러한 현상은 소자의 신뢰성에 있어 중요한 문제가 된다. 이러한 문제를 연구하기 위해 본 논문에서는, AOS 박막을 이용하여 bottom 게이트형 TFT를 제작하였다. 이를 위해 먼저, p-type Si 위에 건식산화방식으로 $SiO_2$(100 nm)를 성장시켜 게이트 산화막으로 이용하였다. 그리고 Zn과 Sn이 1: 2의 조성비를 가진 ZnSnO (ZTO) 용액을 제조한 후, 게이트 산화막 위에 spin coating 하였다. Splin coating된 용액에 남아 있는 솔벤트를 제거하기 위해 10분 동안 $230^{\circ}C$로 열처리를 한 후, 포토리소그래피와 에칭 공정을 이용하여 ZTO active channel을 형성하였다. 그 후, 박막 내에 남아 있는 불순물을 제거하고 ZTO TFT의 전기적인 특성을 향상시키기 위하여, $600^{\circ}C$의 열처리를 30분 동안 진행 하여 junctionless형 TFT 제작을 완료 하였다. 제작된 소자의 시간 경과에 따른 열화를 확인하기 위하여, 대기 중에서 2시간마다 HP-4156B 장비를 이용하여 전기적인 특성을 확인 하였으며, 이러한 열화는 후처리 공정을 통하여 회복시킬 수 있었다. 열화의 회복을 위한 후처리 공정으로, 퍼니스를 이용한 고온에서의 열처리와 microwave를 이용하여 저온 처리를 이용하였다. 결과적으로, TFT는 소자가 제작된 이후, 시간에 경과함에 따라서 on/off ratio가 감소하여 열화되는 경향을 보여 주었다. 이러한 현상은, TFT 소자의 ZTO back-channel에 대기 중에 있는 $O_2$ 및 $H_2O$의 분자의 물리적인 흡착으로 인한 것으로 보인다. 그리고 추가적인 후처리 공정들에 통해서, 다시 on/off ratio가 회복 되는 현상을 확인 하였다. 이러한 추가적인 후처리 공정은, 열화된 소자에 퍼니스에 의한 고온에서의 장시간 열처리, microwave를 이용한 저온에서 장시간 열처리, 그리고 microwave를 이용한 저온에서의 단 시간 처리를 수행 하였으며, 모든 소자에서 성공적으로 열화 되었던 전기적 특성이 회복됨을 확인 할 수 있었다. 이러한 결과는, 저온임에도 불구하고, microwave를 이용함으로 인하여, 물리적으로 흡착된 $O_2$ 및 $H_2O$가 짧은 시간 안에 ZTO TFT의 back-channel로부터 탈착이 가능함과 동시에 소자의 특성을 회복 가능 함 의미한다.