• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권12호
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• pp.43-49
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• 2004

본 논문에서는 슈퍼하이델타(Super High Delta) 실리카 광도파로와 단일 모드 광섬유 사이의 결합손실을 줄이기 위한 모드 크기 변환기를 설계하였다. 새로운 모드 크기 변환기는 물리적 크기를 최소화하기 위해 주기적으로 분리된 테이퍼 도파로를 사용하였으며 공정을 간단히 하기 위해 수평형 테이퍼를 사용하였다. 또한 결합손실을 개선하기 위해 모드 크기 변환기 주변에 트렌치 구조를 삽입하였다. 최적의 모드 크기 변환기 설계에서 결합손실은 트렌치 구조가 삽입되지 않은 경우는 0.33dB/point 이며 트렌치가 삽입된 경우는 0.2dB/point이다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1406-1407
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• 2006

본 논문에서는 기존의 250V급 트렌치 전극형 파워 MOSFET을 구조적으로 개선하여, 600V 이상의 순방향 항복 전압을 갖는 파워 MOSFET을 설계 하였다. 본 논문에서 제안한 구조로 기존의 250V급 트렌치 전극형 파워 MOSFET에 비하여 더욱 높은 순방향 항복 전압을 얻었다. 또한, 기존의 LDMOS 구조로 500V 이상의 항복 전압을 얻기 위해서 $100{\mu}m$ 이상의 크기를 필요로 했던 반면에, 본 논문에서 제안한 소자의 크기(vertical 크기)는 $50{\mu}m$로서, 소자의 소형화 및 고효율화 측면에서 더욱 우수한 특성을 얻었다. 본 논문은 2-D 공정시뮬레이터 및 소자 시뮬레이터를 바탕으로, 트렌치 옥사이드의 두께 및 폭, 에피층의 두께 변화 등의 설계변수와 이온주입 도즈 및 열처리 시간에 따른 공정변수에 대한 시뮬레이션을 수행하여, 본 논문에서 제안한 구조가 타당함을 입증하였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제15권9호
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• pp.5813-5819
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• 2014

도시화로 인한 도시유역의 불투수면적 증가에 따른 우수유출수 증가를 저감하기 위해 저영향개발의 계획 및 적용이 활발하게 진행되고 있다. 본 연구에서는 LID 요소기술 중 침투트렌치의 국내 적용성 및 성능검증을 위해 침투트렌치 실험조건을 바탕으로 SWMM을 구축하여 유출량 및 비점오염원 저감효과를 분석하였다. SWMM의 침투트렌치 적용면적은 전체 유역면적의 5~15%의 면적에 적용하며 모의를 수행하였다. SWMM 모의결과 첨두유출량은 45.7~61.9%, 총유출량은 47.2~62.3%, BOD 부하량은 52.3~55.3%의 저감효율로 분석되었다. 실험결과와 비교하면 유출량의 경우 12~24% 크며, BOD 부하량의 경우 37~38% 작게 산정되었다. 추후 침투트렌치의 적용성 및 성능검증에 도움을 줄 수 있을 것으로 판단된다.

• 자원환경지질
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• 제37권3호
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• pp.277-290
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• 2004

인도네시아 자바 땅긍지역의 석영맥에 대한 정밀광상조사를 실시하여 그 연장부에 대한 트렌치 탐사를 수행하였다. 트렌치탐사와 주변 정밀광상조사에서 채취된 석영맥의 금ㆍ은 분석 등의 결과는 (1) Celak지역 :Au 21∼17,400ppb, Ag 2∼190 ppm, Cu 9∼3,340 ppm, Pb 60∼52,900 ppm, Zn 12∼13,950 ppm, (2) Cilangkap지역 : Au 24∼91,100 ppb, Ag 2∼41ppm, Cu 2∼l,600ppm, Pb 16∼2,960ppm, Zn 14∼1,520ppm이다. 또한 정밀지표지질조사를 실시하였으며, 석영맥에 대한 정밀광상조사를 실시하여 그 연장부에 대한 트렌치 탐사를 수행한 결과와 인공위성과 수치지형도해석 등의 모든 결과를 종합한 결과 금번 조사 지역 중 두 곳인 Mt. Subang 지역의 서남부에 위치하는 Celak 지역과 Mt. Cilankap 지역의 서남부에 해당하는 Cilangkap 지역에서 금광화작용이 있는 것으로 확인되었으며, 이 들 두지역의 금 품위가 아주 높게 나타나 이들 두 지역을 시추유망지역으로 선정하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.199-204
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• 2010

본 논문에서는 전력반도체의 내압을 유지하는데 있어서 가장 중요한 필드 링의 개선을 위해 새로운 구조의 필드 링을 제안하였다. 제안한 트렌치 필드 링은 기존의 일반 필드 링에 비해 10%이상 효율을 개선하였다. 트렌치 필드 링의 설계를 위해 5가지의 변수를 두고 최적화 시뮬레이션을 수행하였으며, 수행한 파라미터 결과를 가지고 마스크를 설계하여 제작을 진행하였다. 내압이 증가하면 증가할 수록 트렌치 필드링이 일반 필드 링보다 더 좋은 결과를 가져올 수 있었다. 이러한 결과는 앞으로 전력반도체 소자인 IGBT, Power MOS 및 MCT 소자의 설계에 충분히 활용할 수 있을 것으로 판단된다.

• 한국수자원학회:학술대회논문집
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• 한국수자원학회 2007년도 학술발표회 논문집
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• pp.1268-1271
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• 2007

트렌치 수로에서 동수압을 고려한 자유수면 흐름을 해석하고 난류 모형의 적용성을 제시하였다. 본 연구에 사용된 지배방정식으로 비정상 상태의 비압축성 유체에 대한 연속방정식과 비점성 Navier-Stokes 방정식을 사용하였다. 난류완결문제를 해결하기 위해서 $\kappa-\varepsilon$방정식을 사용하여서 난류 와점성을 구할 수 있다. 자유수면과 동수압을 고려하기 위하여 3단계로 나누어서 해석하였다. 제 1단계에서는 운동량방정식을 연직방향에 대해 음해적으로 차분하였다. 제2단계에서는 유속과 동수압 보정항으로 이루어진 식을 연속방정식에 대입하여 타원형 방정식인 동수압-포와송 방정식을 해석하여 얻어지는 유속은 질량보존법칙을 만족하게 된다. 마지막으로 자유수면과 최종유속을 보정 및 계산하였다. 본 연구에서 제시한 수치모형을 검증하기 위해서, 트렌치 수로에서 난류의 흐름에 변화를 고려하기 위해 수치모의를 하였다. 전반적으로 수치모의에 의한 결과와 실험 자료가 일치하는 경향을 보였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.17-19
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• 2004

트렌치 게이트 구조를 통해 순방향 전압 강하 손실 없이 기생 사이리스터 래치-업을 억제시키는 새로운 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (LIGBT)를 제안하였다. 제안된 소자의 베이스 션트 저항은 정공의 우회로 인하여 감소하였으며, 이에 따라 기생 사이리스터 래치-업이 억제되었다. 제안된 소자의 순방향 전압강하는 트렌치 구조에 의한 유효 채널 폭 증가로 감소하였다. 제안된 소자의 동작 원리 분석을 위해 ISE-TCAD를 이용한 3차원 시뮬레이션을 수행하였으며, 표준 CMOS 공정을 이용하여 소자를 제작 및 측정하였다. 제안된 소자의 순방향 전압 강하는 기존의 LIGBT에 비해 증가하지 않았으며, 래치-업 용량은 2배로 향상되었다. 제안된 소자의 포화 전류는 감소하였으며, 이로 인하여 소자의 강인성 (ruggedness)이 향상되었다.

• 한국조리학회지
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• 제15권4호
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• pp.9-17
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• 2009

광주 지역 하절기 동안 일식 레스토랑 10곳의 위생 평가를 위해 미생물 검사를 실시하였다. 일식 레스토랑의 설비 및 조리기구 표면에서 swab sampling 방법으로 스폰지로 200개의 도말 표본을 채취하였다. 총 균수, 대장균군, 대장균, 포도상구균, 살모네라균, 리스테리아균을 측정하였다. 그 결과, 대부분의 도말 표본이 미생물과 대장균군으로 오염된 것으로 입증되었다. 오염 정도는 샘플 채취 장소에 따라 달랐다. 심하게 오염된 곳은 바닥, 트렌치, 생선 취급 코너였고, 이러한 표본의 총 균수는 $10^4$ CFU/100 $cm^2$이 넘었다. 바닥, 트렌치, 나무 도마의 대장균군은 $10^3$ CFU/100 $cm^2$이 넘었다. 게다가 대장균군은 행주, 식기, 그리고 생선 및 채소 코너에서도 검출되었다. 대장균은 몇몇 식당의 바닥과 트렌치에서 검출되었다. 포도상구균은 몇몇 식당의 도마, 행주, 바닥, 트렌치에서 발견되었다. 살모넬라균과 리스테리아균은 모든 표본에서 검출되지 않았다. 이러한 결과는 일식 레스토랑에서 위생관리와 소독이 필요함을 보여준다.

• 한국진공학회지
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• 제13권3호
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• pp.120-126
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• 2004

트렌치 소자 제조시 게이트 산화막 성장과 내압 강하의 원인이 되는 식각손상 회복과 코너 영역의 구조를 개선하기 위해 수소 분위기 열처리를 하였다. 열처리시 수소 원자에 의한 환원 반응을 이용하여 표면 에너지가 높은 코너 영역에서는 원자들의 이동에 의한 결정면 재배열, 산화막 측벽에서의 실리콘 원자 적층, 표면 거칠기의 개선 효과 등을 전자현미경 관찰을 통해 확인하였다. 실리콘 원자의 이동을 방해하는 식각 후 잔류 산화막을 수소 가스의 환원성 분위기에서 열처리함으로써 표면 에너지를 낮추는 방향으로 원자의 이동이 일어나 concave 영역, 즉 트렌치 bottom corner에서는 (111), (311) 결정면 재분포 현상이 일어남을 확인할 수 있었다. 또한 convex comer에서의 원자 이동으로 인해 corner 영역에서는 (1111) 면의 step 들이 존재하게 되고 원자 이동에 의해 산화막 측벽에 이르러 이동된 원자의 적층이 일어나며, 이는 열처리시 표면 손상 회복이 원자이동에 의함을 나타낸다. 이러한 적층은 표면 상태가 깨끗할수록 정합성을 띄어 기판과 일치하는 에피 특성을 나타내고 열처리 온도가 높을수록 표면 세정 효과가 커져 식각손상 회복효과가 커지며, 이를 이용하여 이후의 산화막 성장시 균일한 두께를 코너영역에서 얻을 수 있었다

• 한국광학회지
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• 제27권4호
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• pp.127-132
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• 2016

본 논문에서는 다채널 가변광감쇠기에서 발생하는 열간섭 효과를 차단하여 광효율을 높이기 위하여 펨토초 레이저를 이용하여 트렌치를 가공하였다. 채널간 열간섭으로 인한 광감쇠 제어효율 하락을 막기 위하여, 가변광감쇠기 채널 사이에 펨토초 레이저로 트렌치의 폭과 깊이를 다르게 하여 가공하였고, 적용된 각 칩을 모듈화하여 전류에 따른 광감쇠율 변화를 관찰하였다. 그 결과 광감쇠를 위해 가해진 열이 주변채널에 영향을 매우 작게 미치는 것을 확인하였고, 뿐만 아니라 작은 전류에 광감쇠율이 민감하게 변화하는 것을 확인할 수 있어 효율적인 소자로서 개발 가능함을 확인하였다.