• Electrical & Electronic Materials
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• v.1 no.3
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• pp.243-250
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• 1988

530A의 질화막과 23A의 엷은 산화막두께로 제작된 MNOS 소자의 기억트랩분포와 기억특성을 TSC방법과 C-V방법으로 조사하였다. 소자는 전기적으로 기억갱신이 가능하며 무전압유지가 반영구적임을 확인하였다. 기억트랩에 해당하는 TSC곡선을 분석하는데는 공간적, 에너지적인 트랩의 분포모형을 가정하고 best fitting법을 사용하였다. 그 결과 기억트랩은 질화막-산화막 계면에서 질화막안으로 10A 깊이로 분포되었으며 에너지준위는 질화막전도대 하단에서 2.35-2.38eV로 분포되어 있음을 밝혔다. 또한 방전기구는 산화막층을 통한 직접터널링과 열적여기를 함께 고려하여 설명할 수 있었다.

• The Journal of the Acoustical Society of Korea
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• v.10 no.3
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• pp.19-30
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• 1991

The surface properties such as energy gap, exciton, shallow trap level, deep trap level, type inversion with annealing and metastable state of $EL_2$ level of SI GaAs wafers and the conductivity distribution of 2 inch Cr doped GaAs wafer were investigated using nondestructive TAV(transverse acoustoelectric voltage) technique. The TAV is generated when SAW and semiconductor interact. We also have tried newly SAW oscillator technique to investigate the surface properties of semiconductor wafers and we have shown the validity of this technique.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.5 no.6
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• pp.60-67
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• 1996

The interfacial electrical properties of InSb MIS structure with low temperature remote PECVD $SiO_{2}$ have been characterized. The interlace-state density at mid-bandgap of the MIS structure was about $1{\sim}2{\times}10^{11}\;cm^{-2}eV^{-1}$, when the $SiO_{2}$ film was deposited at $105^{\circ}C$. However, large amount of interlace states and trap states were observed in the MIS structure fabricated at temperatures above $105^{\circ}C$. The time constant of $10^{-4}{\sim}10^{-5}\;sec$ of interface states was extracted from G- V measurement. As the deposition temperature increased, the hysteresis of C- V curves were increased due to the high trap density.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.1 no.3
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• pp.269-277
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• 1988

P형 Si(100)로 제작한 MOS 커패시터에 $Co^{60}$-.gamma.선을 주사한 후 고주파 C-V특성 곡선으로 부터 방사선 조사에 의해 유발된 산화막안의 트랩전하의 거동 및 Si- $SiO_{2}$계면에서의 트랩밀도 분포의 변화를 검토하였다. 산화막 느랩전하는 .gamma.선 흡수선량 증가와 더불어 증가하다가 $10^{7}$ rad 부근에서부터 서서히 포화하는 경향이 나타났으며 게면트랩밀도의 분포모양은 흡수선량의 증가와 더불어 전형적인 이그러진 W자형에서 넓혀진 V자형 분포로 변화하였으나 최소값은 항상 진성페르미준위( $E_{i}$)부근에 있었으며 그 밀도는 1.0*$10^{11}$~7.5*$10^{11}$[개/$cm^{2}$/eV]로 계산되었다. 또한, 일정 바이어스전압하에서의 조사선량에 따른 $V_{fb}$ 의 변화는 현저하지는 않았으나 바이어스 전압을 +12V로 인가할 때 변화방향의 반전상태가 관측되었다. 그 이유로는 Si측의 계면 부근에서 일어난 눈사태 전자가 산화막내로 주입됨에 따라 도너형 양전하의 수가 감소되기 때문으로 추정되었다.되었다.

• Journal of IKEEE
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• v.26 no.2
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• pp.306-312
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• 2022

We investigated electrical properties and deep level traps in 4H-SiC merged PiN Schottky (MPS) diodes with different barrier heights by different PN ratios and metallization annealing temperatures. The barrier heights of MPS diodes were obtained in IV and CV characteristics. The leakage current increased with the lowering barrier height, resulting in 10 times larger current. Additionally, the deep level traps (Z_1/2 and RD_1/2) were revealed by deep level transient spectroscopy (DLTS) measurement in four MPS diodes. Based on DLTS results, the trap energy levels were found to be shallow level by 22~28% with lower barrier height It could confirm the dependence of the defect level and concentration determined by DLTS on the Schottky barrier height and may lead to incorrect results regarding deep level trap parameters with small barrier heights.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.28 no.4
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• pp.251-258
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• 1984

The mechanism of photosensitization and the affect of binder on dye-sensitized ZnO have been studied by surface photovoltage spectroscopy. It has been found that the value of energy trapping level $E_{t1}$ on ZnO is 1.12eV (${\lambda$ = 1,100nm) and that of energy trapping level $E_{t2}$ on dye-sensitized ZnO is 0.99eV (${\lambda$ = 1,250nm) which is shifted towards a longer wavelength. The effect of binder on ZnO has been increased the efficiency of surface photovoltage, but it does not effect the values of energy trapping level. The acid-type dyes agree well with the prediction based on an electron transfer mechanism. The desensitization of the Na salt-type dyes for the intrinsic photoresponse of zinc oxide can be explained by energy transfer mechanism. It has been obtained that the dye-sensitized ZnO indicates the possibility of electrophotographic photosensitizer for the infrared range of light.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.7 no.1
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• pp.7-14
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• 1994

Structural and optical characteristics in $SnO_2$/a-Se/Al sample by aging variation and applying constant voltage had been investigated. a-Se was varied with monoclinic structure and its surface was greatly exchanged. Its capacitance was first decreased and then increased and its photo-current, photo-voltage and photo-capacitance were increased gradually with day and applying voltage. From the results, crystallization of a-Se and dopant trap level formation had been identified. Also, it was acknowledged $SnO_2$/a-Se/Al sample is useful in photovoltaic and solid thin film cell.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.163-163
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• 2010

중적외선 영역 ($3{\sim}5\;{\mu}m$)은 공기 중에 존재하는 이산화탄소나 수증기에 의해 흡수가 일어나지 않기 때문에 군사적으로 중요한 파장 영역이며, 야간에 적을 탐지하는데 응용되고 있다. InSb는 77 K에서 중적외선 파장 흡수에 적합한 밴드갭 에너지 (0.228 eV)를 갖고 있으며, 다른 화합물 반도체와 달리 전하 수송자 이동도 (전자: $10^6\;cm^2/Vs$, 정공: $10^4\;cm^2/Vs$)가 매우 빠르기 때문에 적외선 화상 감지기 재료로 매우 적합하다. 또한 현재 중적외선 영역대에서 널리 사용되는 HgCdTe (MCT)와 대등한 소자 성능을 나타냄과 동시에 낮은 기판 가격, 소자의 제작 용이성 때문에 MCT를 대체할 물질로 주목 받고 있다. 하지만, 기판과 절연막의 계면에 존재하는 결함 때문에 에너지 밴드갭 내에 에너지 준위를 형성하여 높은 누설 전류 특성을 보인다. 따라서 InSb 적외선 소자의 구현을 위하여 고품질의 절연막의 연구가 필수적이라고 할 수 있겠다. 절연막의 특성을 알아보기 위해, n형 InSb 기판에 플라즈마 화학 기상 증착법 (PECVD)을 이용하여 $SiO_2$, $Si_3N_4$를 증착하였으며, 증착 온도를 $120^{\circ}C$에서 $240^{\circ}C$까지 $40^{\circ}C$ 간격으로 변화하여 증착온도가 미치는 영향에 대하여 알아보았다. 절연막과 기판의 계면 특성을 분석하기 위하여 77 K에서 커패시턴스-전압 (C-V) 분석을 하였으며, 계면 트랩 밀도는 Terman method를 이용하여 계산하였다 [1]. $Si_3N_4$를 증착하였을 경우, $120{\sim}240^{\circ}C$의 증착 온도에서 $2.4{\sim}4.9{\times}10^{12}\;cm^{-2}eV^{-1}$의 계면 트랩 밀도를 가졌으며, 증착 온도가 증가할수록 계면 트랩 밀도가 증가하는 경향을 보였다. 또한 모든 증착 온도에서 flat band voltage가 음의 전압으로 이동하였다. $SiO_2$의 경우 $120{\sim}200^{\circ}C$의 증착온도에서 $7.1{\sim}7.3{\times}10^{11}\;cm^{-2}eV^{-1}$의 계면 트랩 밀도 값을 보였으나, $240^{\circ}C$ 이상에서 계면 트랩밀도가 $12{\times}10^{11}\;cm^{-2}eV^{-1}$로 크게 증가하였다. $SiO_2$ 절연막을 사용함으로써, $Si_3N_4$ 대비 약 25% 정도 낮은 계면 트랩 밀도를 얻을 수 있었으며, 모든 증착 온도에서 양의 전압으로 flat band voltage가 이동하였다. 두 절연막에 대한 계면 트랩의 원인을 분석하기 위하여 XPS 측정을 진행하였으며, 깊이에 따른 조성 분석을 하였다. 본 실험에서 최적화된 $SiO_2$ 절연막을 이용하여 InSb 소자의 pn 접합 연구를 진행하였다. Be+ 이온 주입을 진행하고, 급속열처리(RTA) 공정을 통하여 p층을 형성하였다. -0.1 V에서 16 nA의 누설 전류 값을 보였으며, $2.6{\times}10^3\;{\Omega}\;cm^2$의 RoA (zero bias resistance area)를 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.225.1-225.1
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• 2013

지난 수년간 태양전지의 광전변환 효율을 높이기 위해 자가 조립된 InAs 또는 GaSb 와 같은 양자점을 GaAs 단일 p-n 접합에 적용하는 연구를 개발해 왔다. 그러나 양자점의 흡수 단면적에 의한 광흡수도는 양자점층을 수십 층을 쌓으면 증가하지만 활성층에 결함을 생성시킨다. 생성된 결함은 운반자 트랩으로 작용하여 태양전지의 광전변환 효율을 감소시킨다. 본 실험에서는 양자점이 적용된 태양전지와 적용되지 않은 태양전지의 광전변환 효율을 비교하고, 깊은준위 과도용량 분광법을 이용하여 결함상태를 측정하고 및 비교함으로써, 활성층 내부에 생성된 결함이 광전변환 효율에 미치는 영향을 분석하였다. 소자구조는 분자선 증착 방법을 이용하여, 먼저 n-형 GaAs 기판위에 n-형 GaAs를 300 nm 증착한 후, 도핑이 되지 않은 GaAs 활성층을 3.5 ${\mu}m$ 두께로 증착하였다. 마지막으로 p-형 GaAs를 830 nm 증착함으로써 p-i-n구조를 형성하였다. 여기서, n-형 GaAs 과 p-형 GaAs의 도핑농도는 동일하게 $5{\times}1018\;cm^{-3}$ 로 하였다. 또한 양자점 및 델타도핑 층을 각각 태양전지에 적용하기 위해 활성층내에 양자점 20층 및 델타도핑 20층을 각각 형성하였다. 이때, 양자점 태양전지, 델타도핑 태양전지와 양자점이 없는 태양전지의 광전변환 효율은 각각 4.24, 4.97, 3.52%로 나타났다. 태양전지의 전기적 특성을 측정하기 위해 소자구조 위에 Au(300nm)/Pt(30nm)/Ti(30nm)의 전극을 전자빔 증착장치로 증착하였으며, 메사에칭으로 직경 300 ${\mu}m$의 p-i-n 접합 다이오드 구조를 제작하였다. 정전용량-전압 특성 및 깊은준위 과도용량 분광법을 이용하여 태양전지의 결함분석 및 이에 따른 광전변환 효율의 상관관계를 논의할 것이다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.37 no.12
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• pp.29-34
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• 2000

The effects of electrical stress on MILC(Metal Induced Lateral Crystallization) poly-Si TFT were studied. After the electrical stress was applied on the TFT’s which were fabricated by MILC process, off-state(VG<0V) current was reduced by $10^2{\sim}10^4$ times. However, when the device on which electrical stress was applied was annealed in furnace, the off-state current increased as annealing temperature increased. From the dependence of off-state current on the post-annealing temperature, activation energy of the trap states in MILC poly-Si thin films was calculated to be 0.34eV.