• 한국결정성장학회지
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• 제7권3호
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• pp.465-472
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• 1997

본 연구는 전기 장에서 광여기 탈착과 이온화에 근거한 표면연구의 새로운 장치를 개발하고 시험한 결과를 보고한다. 실험장치의 분해능을 테스트 하기 위해 텡스텐(110)면에서 흡착기체 $H_2$ 와 He 가스를 조사하였으며, 팁의 온도는 80 K이었다. 장세기가 10 V/nm에서 50 V/nm사이에서 사용한 파장은 193 nm이였으며, 텡스텐(110)면에 가스가 흡착되었을때 레이저빔의 전자적인 여기로 부터 흡착가스와 팁에서 여러종류의 이온들이 형성되었다($H_2^+, CO^+, H_2O^+, He^+, W^{3+}$ 그리고 $W^{2+}$). 전체 mass spectrum의 기록은 Transient recorder가 가능하게 한다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제9권1호
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• pp.23-31
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• 1991

Laser beam weldability of zircaloy-4was investigated using a pulsed Nd: YAG laser of 200W average power. Mechanical properties of laser and GTA bead-on-plate welded zircaloy-4 test specimens were compared. The influence of plasma generated during laser welding was analyzed and optimum laser welding parameters were investigated.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권1호
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• pp.1-4
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• 2003

The SiH$_4$soak step is widely used to prevent the WF$_{6}$ attack to the underlayer metal using the chemical vapor deposition (CVD) method. Reduction or skipping of the SiH$_4$soak process time if lead to optimizing W-plug deposition process on via. The electrical characteristics including via resistance and the structure of W-film are affected by the time of SiH$_4$soak process. The possibility of elimination of SiH$_4$soak process is confirmed In the case of W- film grown on the stable Ti/TiN underlayer.

• 자원리싸이클링
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• 제27권6호
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• pp.3-10
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• 2018

텅스텐은 고융점금속으로 주로 초경합금으로 사용되고 있다. 알칼리용액에서 텅스텐은 $WO{_4}^{2-}$로 존재하는데 용액의 pH가 감소함에 따라 중합반응이 일어나며 텅스텐산으로 침전된다. 따라서 원광석 및 2차 자원으로부터 텅스텐 회수를 위한 습식 제련 기술은 산침출과 알칼리침출로 대별된다. 2차 자원에 함유된 금속의 종류와 함유량 및 텅스텐의 소재화를 고려해서 2차 자원으로부터 텅스텐을 고순도로 회수하기 위한 공정을 선택해야 한다.

• 한국재료학회지
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• 제25권6호
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• pp.274-278
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• 2015

The possibility of using the chemical precipitation method of up-cycled ammonium paratungstate (APT) was studied and compared with the thermal decomposition method. $WO_3$ particles were synthesized by chemical precipitation method using a 1:2 weight ratio of APT: Di-water. For thermal decomposition, APT powder was heated for 4h at $600^{\circ}C$ in air atmosphere. The reaction products were characterized by X-ray diffraction (XRD), X-ray fluorescence spectrometer (XRF), particle size analyzer (PSA), and field emission-scanning electron microscopy (FE-SEM). Thermogravimetric analysis (TGA) of the up-cycled APT allowed for the identification of the sequence of decomposition and reduction reactions that occurred during the heat treatment. TGA data indicated a total weight loss of 10.78% with the reactions completed in $658^{\circ}C$. The XRD results showed that APT completely decomposed to $WO_3$ by thermal decomposition and chemical precipitation. The particle size of the synthesized $WO_3$ powders by thermal decomposition with 2 h of planetary milling was around $2{\mu}m$ During the chemical precipitation process, the particle size of the synthesized $WO_3$ powders showed a round-shape with ${\sim}0.6{\mu}m$ size.

• 한국융합학회논문지
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• 제12권4호
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• pp.87-94
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• 2021

의료기관의 방사선 차폐체의 차폐물질이 친환경소재로 변화되면서 기존 납의 일반된 차폐특성보다 차폐물질의 특성에 따른 방사선 방어가 중요한 요소로 대두되고 있다. 납과 유사한 차폐물질로 대표적인 텡스텐과 황산바륨은 친환경 소재로 시트나, 섬유 형태로 제작되어 사용되고 있다. 이테르븀은 치과 방사선영역에서 불투과성 물질로 불소화합물로 사용되었으며, 에너지대별 차폐특성과 기존 친환경소재의 차폐특성과 비교하여 x-선 차폐영역에서 차폐성능을 평가하고자 한다. 동일한 공정과 조건하에 세 종류의 차폐시트를 제작하여 실험하였으며, 의료방사선 영역에서 텅스텐과 약 5 % 차폐성능 차이가 나타났으며, 황산바륨보다 우수한 차폐성능을 보였다. 차폐시트의 단면 구조에서는 인자의 배열이 일정하지 못하는 큰 단점을 보였다. 따라서 산화이테르븀은 의료방사선 차폐물질로 충분한 가능성을 보였으며, 입자배열 구조와 입자크기 조절로 차폐성능을 향상시킬 수 있을 것으로 사료된다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제19권1호
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• pp.603-608
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• 2018

전압 인가식 제전방식이 반도체나 디스플레이 산업에는 가장 많이 사용되고 있지만, 방전에 의한 주변 미세 먼지의 흡착 및 전극핀의 오염으로 불량 발생의 원인을 제공하므로, 주기적인 관리 비용이 발생하게 된다. 전극핀의 오염 문제는 코로나 방전으로 인하여, 주변 공기의 미세한 입자를 축적함으로 생성된다. Fuzz ball의 생성은 전극핀의 마모를 촉진 시키고, 또한 정전기 제거 장치의 성능을 저하시킨다. 오염물 제거 방법은 수동 브러쉬 및 자동 브러쉬를 이용하여 기계적인 세척 방법이 효과적이지만, 추가적인 기계부품이나 사용자의 관리를 요구한다. 일부의 경우에는 이미터에 축척된 오염물이 웨이퍼나 제품에 전이될 수도 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 제전기의 외부로 돌출되는 전극핀을 없애고, 이온탱크 내부에 위치한 텡스텐 전극선을 이용하여 주위 기체 분자를 직접 이온화할 수 있는 청정 환경에 적합한 정전기 제거 장치를 개발하였다. 한국기계연구원에서 시험인증한 결과, 오염 입자는 평균 $0.7572particles/ft^3$이고, 제전 시간은 2초 이하 이며, 잔류 전위는 7.6V로 만족할 만한 결과를 얻었다.