• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.3 no.2
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• pp.39-50
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• 1996

본 연구에선 주어진 조성의 알루미나 green sheet에 대하여 텅스텐의 입경 및 산화 물의 조성을 변화시키므로써 수축률을 제어하여 camber를최소화하여 결합강도를 최대로 하 는 텅스텐 페스트조성을 찾아내는 것을 목적으로 하였다. 본 실험에서 사용한 텅스텐 분말 의 입경은 0.35$\mu$m, 0.6$\mu$m, 0.72$\mu$m, $1.5\mu$m, 1.9$\mu$m, 3.2$\mu$m이며 frit는 Al2O3, MgO, SiO2 와 Al2O3, CaO, SiO2를 사용하여 각각의 조성에 따라 함량을 변화시키며 실험하였다. 소성 은 154$0^{\circ}C$로 습윤 수소분위기에서 시행하였으며 사용된 알루미나 green sheet의 알루미나 중심 입경은 2.8$\mu$m이었다. 분석은 주사전자 현미경으로 미세구조를 관찰하였고 EPMA Line Profile로 원소 분석을 하였으며 잔류응력을 측정하기 위하여 XRD분석을 하였다. Frit 을 함유하지 않은 경우 텅스텐 분말의 입경이 1.9$\mu$mdlfEo 최대 접합 강도를 나타내었다. Frit을 함유한 경우 Mgo계 frit조성에서는 MgO/Al2O3/SiO3=1/1/1일 때 CaO계 frot 조성에 서는 CaO/Al2O3/SiO2=1/2/1일 때 최대 접합 강도를 나타내었다. Frit 함량을 변화시킨 경우 MgO계는 10wt%함유하였을 때 CaO 계는 5wt%함유하였을 때 최대 접합강도를 나타내었 다. Frit 함량을 변화시킨 경우 MgO계는 10wt%함유하였을 때, CaOr계는 5wt%함유하였을 때 최대 접합강도를 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.205.1-205.1
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• 2016

핵융합로에서 고온, 고에너지 플라즈마에 장기간 노출되는 플라즈마 대면재는 고속 입자와 중성자에 의한 열화 및 침식과 높은 열부하를 견뎌야 하므로 높은 수준의 재료기술과 표면 코팅기술의 개발이 필요하다. 텅스텐은 용융점이 높고, 스퍼터링(Sputtering) 현상이 적으며, Tritium 재침적 현상이 제한되는 우수한 특성 때문에 핵융합로 대면제에 적용하기 위한 다양한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 VPS(vacuum plasma spray) 장비를 이용하여 5, 10, $25{\mu}m$ 크기의 텅스텐 분말을FM(ferritic-martenitic) steel 기판에 용사 코팅하였다. 입자 크기를 달리하여 제작한 3종의 시편은 시편 전후 두께 및 무게 변화, 현미경이미지, 비커스 경도, 3D 표면 형상, XRD를 이용하여 코팅층의 특성을 평가하였으며, $10{\mu}m$ 크기의 텅스텐 분말 시편이 가장 우수한 특성을 나타내는 것을 확인하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.3
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• pp.360-367
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• 1993

텅스텐 박막 증착의 메카니즘을 밝히기 위하여 먼저 SiH4와 WF6의 열분해 반응에 관한 열역학적 결과들과 표면 촉매 반응에 대한 이론적인 결과들을 고찰하였다. 실험적으론 저압 화학기상 증착법을 이용하여 WF6를 SiH4로 환원시켜 텅스텐 박막을 Si(100) 기판위에 증착하였으며 증착반응 중의 기판 표면의 변화를 in-situ로 측정하였다. 증착 메카니즘을 밝히기 위하여 반응기체를 WF6, SiH4, WF6＋SiH4, WF6$\longrightarrow$SiH4$\longrightarrow$WF6＋SiH4로 달리하여 반응시켰으며 그 때의 박막 특성과 표면 및 단면 형상을 측정하였다. 이론적인 고찰과 실험적인 결과들로부터 텅스텐 박막은 먼저 Si 기판에 의한 WF6의 환원반응으로 인한 증착과 이어서 SiH4에 의한 WF6의 환원으로 증착됨을 밝혔다.

• Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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• 1998.10a
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• pp.31-31
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• 1998

제트베인을 이용한 추력방향 제어장치를 개발하여 평균추력 2950 lbf, 평균 압력 714 psig, 연소시간 4.8초, 노즐 출구직경 약 100mm인 추진기관에 장착하고 이를 시험하고 분석하였다. 재질에 따른 제트베인의 삭마성을 알아보기 위하여 텅스텐과 구리(W/Cu), 지르코늄산화물과 텅스텐(ZrO$_2$/W), 지르코늄 산화물과 몰리브덴(ZrO$_2$/Mo)의 3가지 재질의 베인을 사용하였다 시험된 제트베인 재질 중 지르코늄 산화물과 몰리브덴(ZrO$_2$/Mo)의 합금을 사용한 베인이 내열성 및 삭마성에서 가장 우수하였으며(삭마량 27.65% 삭마율 5.7mm/sec), 지르코늄 산화물과 텅스텐(ZrO$_2$/W), 텅스텐과 구리(W/Cu)의 순서이었다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.154-154
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• 2004

초기 직경이 500$\mu\textrm{m}$인 텅스텐 봉을 전해에칭을 통하여 끝단 직경이 수 $\mu\textrm{m}$인 텅스텐 팁으로 가공하였다. 그리고, 적절한 전처리 과정을 거친 다증벽 탄소나노튜브를 제작된 텅스텐 팁 끝에 적절한 매니퓰레이션을 통하여 부착하였다. 이렇게 제작된 나노 팁(텅스텐 팁과 탄소나노튜브로 구성)은 매우 긴 탄소나노튜브의 길이 때문에 나노 팁으로 사용하기에 부적절한 경우가 많다. 즉, 나노 그리퍼로서 사용하기에는 적합하지 않은 경우가 있다. 이러한 점을 극복하기 위하여 전해에칭을 이용하여 나노 팁의 길이를 나노 그리퍼로 사용하기에 적합하도록 조절하였다.(중략)

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.1 no.1
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• pp.183-189
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• 1992

The characteristics of N/O(SiOz/SisN4) film on WSi2 are compared with storage node Poly-Si. Leakage current and breakdown voltage are improved and storage capacitance is decreased. The oxidation rate of WSiz is more rapid than polycrystalline silicon. Thus the thick bottom oxide on the WSiz causes to the decrease of capacitance. The out diffusion of dopant impurity in polycrystalline silicon through the silicide leads to the formation of a depletion region in the polycrystalline silicon and the decrease of depletion capacitance. That results in the decrease of the overall storage capacitance.

• Solar Energy
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• v.16 no.2
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• pp.87-96
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• 1996

Electochromic tungsten oxide thin films were prepared on the ITO coated glass by rf magnetron sputtering from a compressed powder tungsten oxide target in an argonoxygen atmosphere. The influence of the preparation conditions, especially the substrate temperature, on the chemical stability of film was investigated. These films were cycled in 0.6M $LiClO_4$ and 0.6M $H_2SO_4$ electrolyte respecitively, and exhibited electrochromic behavior upon the electrochemical insertion and extraction of ion. Among these tungsten oxide thin films, films prepared at a substrate temperature of $150^{\circ}C$ were found to be most stable in terms of cyclic durability.

• ETRI Journal
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• v.13 no.4
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• pp.88-93
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• 1991

본 연구에서는 게이트의 Schottky 접촉을 먼저 만들고 옴 접촉 공정을 그후에 하는 자기정렬 공정 (self-aligned process) 에서 다이오드의 특성 저하를 막기위하여, 내열성 금속 (refractory metal) 을 사용하여 두께와 온도에 따른 각각의 특성을 알아보았다. 내열성 금속으로는 텅스텐을 사용하였으며, 텅스텐이 게이트 금속인 Au 나 AlGaAs 에 대해 어느정도 확산에 대한 barrier의 역할을 하는 지에 대하여 알아보았다. 전류-전압 측정자료와 Auger 분석을 통하여 옴 접촉조건($480^{\circ}C$)에서 텅스텐의 두께가 30nm 이하에서는 barrier 의 역활이 어려운 것으로 나타났다. 그리고 30~60 nm 사이에서 트랜지스터의 특성에 있어서 많은 변화가 있음을 알 수가 있었으며, 90 nm 이상에서는 $530^{\circ}C$ 이상의 온도에서 Au에 대해 좋은 barrier 의 역활을 할 수 있는 것으로 나타났다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2000.11a
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• pp.129-129
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• 2000

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 2003.04a
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• pp.42-42
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• 2003