Chemical Stability of The Electrochromic Tungsten oxide Thin Films

전기적 착색 텅스텐 산화물 박막의 화학적 안정성

  • Lee, G.D. (Department of Physics, Kyonggi University)
  • Published : 1996.06.30

Abstract

Electochromic tungsten oxide thin films were prepared on the ITO coated glass by rf magnetron sputtering from a compressed powder tungsten oxide target in an argonoxygen atmosphere. The influence of the preparation conditions, especially the substrate temperature, on the chemical stability of film was investigated. These films were cycled in 0.6M $LiClO_4$ and 0.6M $H_2SO_4$ electrolyte respecitively, and exhibited electrochromic behavior upon the electrochemical insertion and extraction of ion. Among these tungsten oxide thin films, films prepared at a substrate temperature of $150^{\circ}C$ were found to be most stable in terms of cyclic durability.

아르곤-산소분위기에서 텅스텐산화물 표적을 사용한 rf 마그네트론 스파타링 방법으로 전기적 착색 텅스텐산화물 박막이 ITO가 피복된 유리기판 위에 제작되었다. 사파타링에 의한 제작 조건 중 특히 기판온도가 막의 화학적 안정성에 미치는 영향이 연구되었다. 박막은 리듐퍼코로라이트와 황산 전해질 속에서 전기화학적으로 이온의 주입과 추출 과정이 반복되었으며 또한 착색성을 나타내었다. 착색성을 나타낸 텅스텐 산화물박막들 중에서 기판 온도가 $150^{\circ}C$에서 제작된 막의 내구성이 가장 안정되었다.

Keywords