• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.21-22
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• 2007

내환원성을 가지는 (Ca,Sr)(ZrTi)$O_3$계 C0G 원료와 코어 쉘 구조를 가지는 $BaTiO_3$계 X7R 원료를 적용하여 고압용 적층 칩 캐패시터를 제작하여 내부전극 형상 및 원료에 따른 신뢰성 밑 전기적 특성을 연구하였다. C0G 특성의 원료는 X7R 원료에 비해 단위 두께당 내전압이 감소하는 경향이 적었으며 내전압 특성도 우수하게 나타났다. 또한, 내부 전극 설계에 있어 floating에 따른 영향은 C0G, X7R 특성 원료 모두 향상된 전기적 특성과 신뢰성을 가짐을 확인 할 수 있었다.

• 한국정밀공학회지
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• 제11권6호
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• pp.179-184
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• 1994

In this study a nondimensional parameter, feed/land length(F/L) was introduced, and using this parameter, cutting performance and chip breaking characteristics of the groove and the land angle type chip formers were assessed. Specific cutting energy consumed and shape of broken chip with its breaking cycle time were appraised to find out the ranges of F/L value where efficient cutting and effective chip breaking could be achieved. C type chip was found out to be the most preferable in terms of cutting efficiency.

• 대한기계학회논문집B
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• 제36권9호
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• pp.901-905
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• 2012

본 논문에서는 다수의 전기장 분포가 생성되는 단일 미세유로를 이용한 폐암세포 전기천공 및 활성도 분석칩을 제안하였다. 종래의 세포 전기천공 분석칩은 다수의 전기장 분포를 형성하기 위해 다수의 전극패턴 또는 다수의 미세유로를 필요로 하여 구조가 복잡하였다. 반면, 제안된 세포 전기천공 및 활성도 분석칩은 한 쌍의 전극 사이에서 계단 형상으로 폭이 변화하는 단일 미세유로를 이용하여 다수의 전기장 분포를 형성함으로써 간단한 구조로 세포 전기천공 및 활성도를 분석할 수 있다. 제안된 세포 전기천공 및 활성도 분석칩은 0.3kV/cm에서 0.5kV/cm까지 5단계의 전기장이 발생되도록 설계하였다. A549와 H23의 두 종류의 비소세포 폐암세포주를 이용한 성능실험 결과, 활성을 유지하면서 전기천공된 세포의 비율이 0.4kV/cm의 전기장에서 각각 $26.6{\pm}0.7%$ 및 $51.4{\pm}3.0%$로 가장 높은 값을 보였다. 제안된 세포 전기천공 및 활성도 분석칩은 세포의 형질주입 연구를 위한 집적화된 세포칩으로 응용될 수 있다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제9권4호
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• pp.35-45
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• 2002

열하중에 의한 언더필/칩 계면의 응력을 유한요소법을 이용하여 구하였다. 먼저 실리카 입자의 부피 분율이 언더필 재료의 물성에 미치는 영향을 알아보기 위하여 세 가지 재료 세트에 대하여 실리카 입자의 부피 분율에 따른 영계수, 포아슨비, 영팽창 계수를 Mori-Tanaka방법을 이용하여 계산하였고, 언더필과 칩이 형성하는 edge및 wedge에 대한 singularity를 계산하였다. 그 다음에는 앞에서 계산한 재료물성치를 가지고 실리카 입자의 부피 분율에 따른 언더필/칩 계면의 응력을 몇 가지 플립칩 형상에 대하여 살펴보았다. 언더필이 균일한 재료라는 가정과 플립칩 어셈블리를 구성하고 있는 재료들이 선형탄 성적거동을 하고 등방성을 보이며 그들의 성질이 온도에 무관하다는 가정 하에 다섯 가지의 플립칩 어셈블리 모델이 고려되었다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2008년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.925-926
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• 2008

• 대한기계학회논문집
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• 제13권4호
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• pp.726-733
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• 1989

본 연구에서는 전력 다이오드 칩이 방산판에 부착되어 있는 형상을 기준하여 열전달 모형을 설정하고 해석적 해가 존재하는 단수형상으로 이상화하여 국부적 온도 상승을 일으키는 조건을 파악하고 실제형상의 모형에 대하여 유한요소해석에 의한 온도분포 계산결과를 제시한다.또한 발열체가 인접해 있는 경우에 대한 온도 집중 현상의 결과도 아울러 검토한다.

• 한국정밀공학회지
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• 제17권11호
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• pp.55-62
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• 2000

The poor machinability material such as austenite stainless steel(STS304) is emphasized on the wide use of HSSE for the tapping operation. The difficulty can be entirely to tapping torque due to chip formation through the hole of tap. The object of this study is to investigate tap geometry affecting the tapping torque from a practical point of view. The study shows that the optima tapping torque is affected by the tap geometry and cutting condition for STS304.

• 한국터널지하공간학회 논문집
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• 제21권1호
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• pp.127-136
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• 2019

TBM 터널공사 시 스크류컨베이어의 배토 거동에 대한 이해는 굴진율 향상을 위한 중요한 요소이다. 본 연구에서는 지반에서 디스크 커터에 의해 생성되는 암반칩의 형상에 따라 스크류컨베이어 내부에서의 이동 및 배토 거동에 대한 연구를 수행하였다. 입자기반의 DEM 수치해석기법을 이용하여, 6가지의 대표적인 모양에 대한 암반칩을 클러스터로 형성하였다. 또한, 실제 스크류컨베이어의 3D 축소모델을 형성한 후, 다른 모양의 암반칩의 시간당 배토량을 측정 하였다. 시뮬레이션 결과, 스크류컨베이어의 경사각이 $0^{\circ}$일 때, 동일한 암반에서 암반칩의 형상과 부피와 상관없이 10 RPM 속도에서의 스크류컨베이어 배토량은 스크류컨베이어 최대 배토량의 약 20%로 나타났다(표준편차: 1.3%). 본 연구 결과는 암반용 TBM 설계 및 암반에서의 TBM 굴착 시 스크류컨베이어 운용에 참고할 수 있는 자료로 사용될 수 있을 것으로 예상된다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제18권3호
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• pp.59-65
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• 2011

소형화, 박형화 및 집적화의 경향에 따라 FCBGA가 휴대폰과 같은 전자제품에 활발히 사용되고 있다. 그러나, 플립칩은 전기적 저항에 의한 열이 필연적으로 발생하며, 발생된 열은 패키지의 소형화에 따라 열의 분산 면적 감소로 인하여 발열의 증가가 나타나게 된다. 발열은 온도와 응력에 민감하게 반응하는 소자의 수명을 저해하고, 시스템에 있어 고장의 발생을 가져올 수 있다. 따라서 본 논문에서는 플립칩의 발열문제를 해결하기 위하여 Comsol 3.5a의 heat transfer module을 이용하여 FCBGA의 발열 특성을 정량적으로 분석하였다. 그리고 열 문제를 해결하기 위하여 시뮬레이션을 통한 새로운 마이크로 구조가 부착된 플립칩을 제안하였다. 또한 마이크로 패턴 구조의 형상, 높이, 간격에 대한 열 소산을 분석함으로써, 기존 플립칩에 비하여 열소산 특성이 18% 향상됨을 확인하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제22권2호
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• pp.27-31
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• 2015

고성능 소자의 전력밀도가 증가함에 따라 소자의 열 관리는 주요 핵심 기술로 부각되었고, 기존의 heat sink나 TIM(thermal interface material)으로는 소자의 열 문제를 해결하는데 한계가 있다. 이에 최근에는 열 유속(heat flux)을 증가시키고자 액체 냉각 시스템에 관한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 본 연구에서는 TSV(through Si via)와 microchannel을 이용하여 칩 레벨 액체 냉각 시스템을 제작하고 시스템의 냉각 특성을 분석하였다. TSV와 microchannel은 Si 웨이퍼에 DRIE(deep reactive ion etching)을 이용하여 공정하였고, 3가지 다른 형상의 TSV를 제작하여 TSV 형상이 냉각 효율에 미치는 영향을 분석하였다. TSV와 microchannel 내 액체흐름 형상은 형광현미경으로 관찰하였고, 액체 냉각에 대한 효율은 실온에서 $300^{\circ}C$까지 시편을 가열하면서 적외선현미경을 이용하여 온도를 측정 분석하였다.