• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2004.06a
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• pp.176-178
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• 2004

디스플레이 매체의 발전에 따라 TV나 컴퓨터 모니터 또는 TFT-LCD, PDP, EL 등의 평판 디스플레이장치들의 대형화, 고화질, 고정밀도가 요구되어지고 있다. 이러한 디스플레이 장치들은 영상표시를 위해 유리를 사용하고 있는데, 사용되는 유리의 형상과 두께는 디스플레이 장치들의 성능에 영향을 준다. 특히 장치가 대형화되면서 대형 평판 유리의 변형된 형상과 균일하지 않은 두께는 디스플레이 장치들의 고화질, 고정밀도를 막는 주요한 요인이 되고 있다. 이러한 이유로 디스플레이 장치용 평판 유리의 형상 및 두께를 측정하는 센서의 요구가 많아지고 있다. 그러나 아직 유리의 형상과 두께를 측정하는 센서 및 시스템은 고가이고. 측정 방법 또한 많은 문제점을 가지고 있다. 본 논문에서는 이러한 문제점들을 해결하기 위하여 하나의 센서로 유리의 형상과 두께를 동시에 고속으로 측정이 가능한 저가의 비접촉식 광센서를 개발하기로 한다. 이 논문에서 개발된 광센서에는 CD-player에 사용되는 홀로그램 레이저를 사용함으로써 고정밀 형상측정, 저가의 광센서, 센서의 소형화를 이룰 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.197-197
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• 1999

Gate oxide 의 두께 감소는 gate의 캐패시턴스를 증가시켜 트랜지스터의 속도를 빠르게 하며, 동시에 저전압 동작을 가능하게 하기 때문에 gate oxide 두께는 MOS 공정 세대가 진행되어감에 따라 계속 감소할 것이다. 이러한 얇은 산화막은 device design에 명시된 두께의 특성을 나타내야 한다. Gate oxide의 두께가 작아질수록 gate oxide와 crystalline silicon간의 계면효과가 박막의 두께의 결정에 심각한 영향을 주기 때문에 정확한 두께 계측이 어렵다. 이러한 영향과 계측방법에 따라서 두께 계측의 차이가 나타난다. XTEM은 사용한 parameter에, Ellipsometer는 refractive index에, MEIS(Medium) Energy Ion Scattering)은 에너지 분해능에, Capacitor-Voltage 측정은 depletion effect에 의해 영향을 받는다. 우리는 계면의 원자분해능 분석에 통상 사용되어온 High Resolution TEM을 이용하여 약 30~70$\AA$ SiO2층의 두께와 계면 구조에 대한 분석을 하여 이를 MEIS와 0.015nm의 고감도를 가진 SE(Spectroscopy Ellipsometer), C-V 측정 결과와 비교하여 가장 좋은 두께 계측 방법을 찾고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.583-583
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• 2013

화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition)이나 플라즈마 식각(Etch) 등의 반도체 공정에서 챔버 내벽의 상태에 대한 모니터링은 매우 중요하다. 챔버 벽면에 증착된 유기 또는 무기 물질이 다시 떨어져 나와 불순물 입자 형성의 원인이 되며, 플라즈마를 원하지 않는 상태로 바꾸어 놓아 공정 조건이 달라질 수도 있기 때문에 반도체 제조 수율 저하를 초래하기도 한다. 본 연구에서는 챔버 벽면이 증착되는 환경에서 평판형 탐침을 삽입하여, 증착된 박막의 두께측정 기술을 개발하였다. 전기적으로 부유된 평판 탐침에 정현파 전압을 인가하고 이 경우 플라즈마로부터 들어오는 전류의 크기 및 위상차 측정을 통해 대략적인 증착 박막 두께를 측정 하였다. 플라즈마와 챔버 벽 사이에 존재하는 쉬스의 회로 모델을 적용하여 플라즈마 상태에 무관하고, 가스 종류 및 유량, 입력 전력, 챔버 내부 압력등의 외부 변수에도 독립적으로 측정이 가능하였다. 본 연구는 반도체 장비에서 내벽 모니터링을 통해, PM 주기 조정을 최적화 시키는 잣대의 역할을 할 수 있을 것이다. 더 나아가, 반도체생산 수율 향상에 많은 도움이 될 것이다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07c
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• pp.1388-1389
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• 2006

금속의 전기비저항 측정은 4단자 방법, van der Pauw 방법, Four Point Probe(FPP) 방법 등이 있으며, 이들의 정확한 측정방법을 고찰하고, 그 중 FPP 방법에 의한 비저항의 두께효과를 비교 분석하기 위하여 비자성 금속 SUS 316을 두께별로 가공한 후 실험하였다. 그 결과 4단자 및 van der Pauw 방법으로 측정된 도전율은 각각 2.273 %IACS으로 나타났으며, FPP방법으로 측정된 도전율은 probe spacing 5.0 mm, dc current 10 A에서 시료의 두께가 2 mm일 때 2.288 %IACS, 3 mm일 때 2.271 %IACS로서 상기 두 방법으로 측정한 결과와 0.5 %이내에서 일치하였으나, 시료가 5mm 및 11 mm 에서는 매우 큰 오차를 나타냈다.

• The Journal of the Acoustical Society of Korea
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• v.41 no.5
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• pp.557-563
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• 2022

The cortical bone thickness of the tibia is related to fracture risk and overall bone status. The present study aims to investigate the feasibility of two different ultrasonic methods for measuring the cortical bone thickness in bovine tibia in vitro. In the reflection technique, the tibial cortical thickness was determined from ultrasonic reflections from the periosteum and the endosteum producing specific peaks in the signal envelope. In the axial transmission technique, the tibial cortical thickness was determined from ultrasonic guided wave velocities measured along the axial direction of the tibia. The cortical bone thickness determined by using the reflection technique correlated significantly with that measured by using a caliper, with a Pearson's correlation coefficient of r = 0.97 (p < 0.0001). In contrast, the correlation coefficients for the axial transmission technique were r = 0.92 (p < 0.0001) for the first arriving signal method and r = 0.89 (p < 0.0001) for the slow guided wave method. Clinical feasibility should be demonstrated with an in vivo application to address the question whether the ultrasonic methods presented here could be useful as a screening tool for osteoporosis and potentially could be applied to other skeletal sites such as the femur and the radius.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.22 no.2
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• pp.134-138
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• 2021

Various types of precision plastic thin films are used widely in high-performance displays, such as smartphones. For plastic thin-films manufactured by the Roll-to-Roll process, the film thickness must be measured and managed while moving. In the Roll-to-Roll process, wrinkles are generated when tension is applied to the film, which causes an inclination on the optical axis of the thickness gauge, resulting in a loss of accuracy. Therefore, this study attempted to develop an optical interference tomography measurement system. In this study, the tilt angle of the film was measured to correct the measurement value error in the thickness gauge caused by the tilt of the film. The system was constructed so that the laser was irradiated on the tilted film, and the laser reflected from the film was formed on the PSD. The relationship between the tilt angle of the film and the output value of the PSD was obtained experimentally. Using this, a device to measure the tilt angle of the film was constructed, and angle measurements were taken at a speed of 250,000Hz.

• Journal of the Korean Society for Marine Environment & Energy
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• v.16 no.4
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• pp.263-267
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• 2013

In this research, a novel optical measuring methodology for the measurement of oil thickness in seawater is suggested by evaluating the light absorption which is occurred in the process of penetrating through oil layer on seawater. Laser having monochromatic wave is used as a light source and photodiode which can convert the intensity of the light into an electrical signal is applied to measure the intensity of the penetrating light through the oil-water mixtures. In the experiment, bunker C and lubricating oil are used, and three different lasers having different wavelengths are applied and compared for the selection of an optimal light source. As a result, it is observed that in the case of blue laser, the intensity of the light on the optical sensor decreases with an increase in the oil thickness. Through this relation, both the presence of oil and the thickness of oil can be determined.

• Journal of Periodontal and Implant Science
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• v.35 no.3
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• pp.537-548
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• 2005

1. 목적 이 연구의 목적은 기존의 평가기준에 따라 관찰자에 의해 주관적으로 판단된 치은형과 실제 치은두께와의 상관관계를 규명하고 임상검사 시에 측정할 수 있는 변수들과 치은두께의 연관성을 평가하는 것이다. 2 방법 211명의 치과대학생(22-43세, 평균 24.7세)을 연구대상으로 하여 상악중절치부위에서 국소마취하에 근관 치료용 파일을 치은에 삽입하여 두께를 측정하고 임상검사를 통해 치주낭깊이, 치태지수, 치은지수, 치은퇴축, 체형 및 비만도, 피부형, 치경부의 형태, 관측자가 임의로 판단한 치은형을 기록하였다. 임상사진으로 치관의 폭경과 길이의 비율, 치은외형의 만곡정도를 조사하고 평행촬영법을 이용한 방사선사진으로 치아의 장평비율 및 치아의 치관 폭경과 치경부 폭경의 비율을 조사하였다. 전체 대상을 치은의 두께를 기준으로 평균두께보다 얇은 군과 두꺼운 군의 두 개의 군으로 분류하여 임상검사 사에 측정한 변수들이 각 군 간에 유의할 만한 차이를 보이는지와 임의로 판단한 치은형이 실제 치은두께와 연관이 있는지를 알아보았다. 통계처리는 Student t-test를 이용하였다. 3. 결과 치주낭 깊이, 치은지수, 체형 및 비만도, 피부형, 치아의 형태, 치경부의 형태, 치아의 장평비율의 경우 실제 측정하여 얻은 치은의 두께와의 상관관계는 통계적으로 유의성이 없었다. 치은의 형태는 치은의 두께와 상관성은 보이고 있으나 통계적으로 유의하지 않았다. 관측자가 임의로 평가한 치은형과 실제 측정치도 유의할만한 일치를 보이지 않고 있다. 4. 결론 치은의 형태는 치은의 두께를 예상하는데 약간의 도움이 될 수 있으나 실제 치은의 두께는 임상적으로 간단히 측정할 수 있는 겸사지수들과 직접적인 상관관계를 보이지 않았다. 따라서 치료결과의 예측에 있어서 치은형을 분류하여 예상하는 것은 큰 도움이 되지 않는다고 할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.350-350
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• 2012

본 연구에서는 Oxide 두께가 각각 4, 6 nm인 Symmetric NMOSFET의 전기적 특성 분석에 관한 연구를 진행하였다. 게이트 전압에 따른 Drain saturation current (IDSAT), Threshold Voltage(VT) 및 드레인 전압에 따른 Off-states 특성 변화를 분석하였다. 소자 측정 결과 oxide 두께가 4 nm인 경우 Vt는 0.3 V, IDSAT은 73 ${\mu}A$ (@VD=0.05)로, oxide 두께가 6 nm인 경우 Vt는 0.65 V, IDSAT은 66 ${\mu}A$ (@VD=0.05)로 각각 측정되었다. 이는 oxide 두께가 얇은 경우 게이트 전압 인가 시 Electric field 증가에 따른 것으로 판단된다. 또한 드레인 전압 인가에 따른 소자 특성 분석 결과 oxide 두께가 4nm인 경우 급격한 Gate leakage 증가를 보였으며, 이에 따라 Off-state에서의 leakage current가 증가함을 확인하였다. 본 연구는 Oxide 두께에 따른 MOSFET 소자의 전기적 특성 분석을 위해 진행되었으며, 상기 결과와 같이 oxide 두께 가변은 Idsat, Vt, leakage current 등의 주요 파라미터에 영향을 주어 NMOSFET 소자의 전기적 특성을 변화시킴을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.107-107
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• 2000

최근 반도체 소자의 고집적화 및 대용량화의 경향에 다라 MOSFET 소자 제작에 이동되는 게이트 산화막의 두께가 수 nm 정도까지 점점 얇아지는 추세이고 Giga-DRAM급 차세대 UNSI소자를 제작하기 위해 5nm이하의 게이트 절연막이 요구된다. 이런 절연막의 두께감소는 게이트 정전용량을 증가시켜 트랜지스터의 속도를 빠르게 하며, 동시에 저전압동작을 가능하게 하기 때문에 게이트 산화막의 두께는 MOS공정세대가 진행되어감에 따라 계속 감소할 것이다. 따라서 절연막 두께는 소자의 동작 특성을 결정하는 중요한 요소이므로 이에 대한 정확한 평가 방법의 확보는 공정 control 측면에서 필수적이다. 그러나, 절연막의 두께가 작아지면서 게이트 산화막과 crystalline siliconrksm이 계면효과가 박막의 두께에 심각한 영향을 주기 때문에 정확한 두께 계측이 어렵고 계측방법에 따라서 두께 계측의 차이가 난다. 따라서 차세대 반도체 소자의 개발 및 양산 체계를 확립하기 위해서는 산화막의 두께가 10nm보다 작은 1nm-5nm 수준의 박막 시료에 대한 두께 계측 방법이 확립이 되어야 한다. 따라서, 본 연구에서는 습식 산화 공정으로 제작된 3nm-7nm 의 게이트 절연막을 현재까지 알려진 다양한 두께 평가방법을 비교 연구하였다. 절연막을 MEIS (Medim Energy Ion Scattering), 0.015nm의 고감도를 가지는 SE (Spectroscopic Ellipsometry), XPS, 고분해능 전자현미경 (TEM)을 이용하여 측정 비교하였다. 또한 polysilicon gate를 가지는 MOS capacitor를 제작하여 소자의 Capacitance-Voltage 및 Current-Voltage를 측정하여 절연막 두께를 계산하여 가장 좋은 두께 계측 방법을 찾고자 한다.다. 마이크로스트립 링 공진기는 링의 원주길이가 전자기파 파장길이의 정수배가 되면 공진이 일어나는 구조이다. Fused quartz를 기판으로 하여 증착압력을 변수로 하여 TiO2 박막을 증착하였다. 그리고 그 위에 은 (silver)을 사용하여 링 패턴을 형성하였다. 이와 같이 공진기를 제작하여 network analyzer (HP 8510C)로 마이크로파 대역에서의 공진특서을 측정하였다. 공진특성으로부터 전체 품질계수와 유효유전율, 그리고 TiO2 박막의 품질계수를 얻어내었다. 측정결과 rutile에서 anatase로 박막의 상이 변할수록 유전율은 감소하고 유전손실은 증가하는 결과를 나타내었다.의 성장률이 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 줄어들어 성장률이 Silane가스량에 의해 지배됨을 볼 수 있다. UV-VIS spectrophotometer에 의한 비정질 SiC 박막의 투과도와 파장과의 관계에 있어 유리를 기판으로 사용했으므로 유리의투과도를 감안했으며, 유리에 대한 상대적인 비율 관계로 투과도를 나타냈었다. 또한 비저질 SiC 박막의 흡수계수는 Ellipsometry에 의해 측정된 Δ과 Ψ값을 이용하여 시뮬레이션한 결과로 비정질 SiC 박막의 두께를 이용하여 구하였다. 또한 Tauc Plot을 통해 박막의 optical band gap을 2.6~3.7eV로 조절할 수 있었다. 20$0^{\circ}C$이상으로 증가시켜도 광투과율은 큰 변화를 나타내지 않았다.부터 전분-지질복합제의 형성 촉진이 시사되었다.이것으로 인하여 호화억제에 의한 노화 방지효과가 기대되었지만 실제로 빵의 노화는 현저히 진행되었다