• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.130-130
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• 2010

고출력 레이저 다이오드는 광 디스크, 고체 레이저 여기, 광섬유 증폭기, 레이저 프린터, 위성 간 통신 등의 여러분야에 응용되고 있고. 고효율, 저가격, 초소형등과 같은 장점으로 수요가 점점 증가하고 있다. 최근 레이저 다이오드의 광출력 향상 및 열적 안성성를 위해 양자점(Quantum Dot) 응용에 대해 많은 연구가 진행되고 있다. 양자점 기반 레이저 다이오드는 전자가 3차원으로 구속되어 있어 열적 안정성이 우수할 뿐만 아니라 낮은 문턱전류밀도로 인해 열 발생이 적어 광출력 감소 현상을 지연시킬 수 있다. 또한 발광면에서의 재결합 확률이 낮아 표면재결합에 의한 신뢰성 열화 문제를 해결할 수 있어 고신뢰성의 레이저 다이오드를 개발할 수 있다. 고출럭 808 nm 양자점 레이저 다이오드 개발을 위해서는 레이저 다이오드의 활성 영역인 양자점 구조에 대한 연구가 필수적이다. 본 연구에서는 최적화된 고출력 808 nm 양자점 레이저 다이오드 에피 성장을 위해 에피 구조에 대한 2D 시뮬레이션을 수행하였고, 양자점 밀도 및 에피층 변화에 따른 최적 양자점 구조에 대한 연구를 수행하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.07a
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• pp.78-80
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• 2018

본 논문은 용량성 결합 플라즈마 응용 시스템을 위한 전류형 토폴로지 기반의 전력 변환장치 구조를 제안한다. 제안된 시스템은 독립적으로 제어된 두 개의 고 정밀 펄스 전류를 부하로 출력하는 병렬 연결된 전류형 전력 변환장치로 구성된다. 전체 회로 토폴로지는 네 가지 세부 부분; 바이어스 전류 발생기, 바이어스 전류 모듈레이터, 슬롭 전류 발생기, 슬롭 전류 모듈레이터로 구성되어 있다. 제안된 시스템은 빠른 과도 특성을 위해 1200V/90A급 SiC MOSFET 스위치를 사용하였다. 제안된 전력 변환장치는 4.5kV의 출력전압, 40A급 출력전류와 100ns급 전류 상승/하강 특성을 충족시키도록 설계되었다. 본 연구는 펄스 전류형 전력 변환회로를 제안함으로써 전압형 전력 변환장치에 비해 전압 스파이크 및 전압 파형 왜곡을 줄여 보다 정확한 출력 전압을 발생시킴으로써 용량성 결합 플라즈마 시스템의 안정도 및 정밀도를 향상시킬 수 있다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.254-256
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• 2019

본 논문은 파워셀 구조를 기반으로 설계된 양극성 펄스 전원장치에 대하여 소개한다. 파워셀은 풀브릿지 구조를 기반으로 설계되었으며, 833V를 출력하는 각 셀이 직렬로 연결되어 고전압을 생성하는 구조를 갖는다. 모든 파워셀의 방전 스위치를 구동하기 위해서 절연된 전력과 신호의 동시공급이 가능한 게이트 회로 구동방안이 제안되었다. 양극성 펄스 출력을 위한 파워셀의 각 래그의 단락을 방지하기 위한 게이트 회로가 설계되었다. 설계된 양극성 펄스 파워 모듈레이터의 동작을 검증하기 위해 테스트 회로가 구현되었다. 시험회로는 출력전압, 펄스 폭, 반복률 가변 조건에서 테스트 되었으며, 이를 통해 제안하는 양극성 펄스 파워 모듈레이터의 구조 및 게이트 구동회로의 신뢰성이 검증되었다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2000.09a
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• pp.573-576
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• 2000

현재 사용되고 있는 CDMA 시스템에서는 기지국 내에 사용되는 고출력 증폭기(high power. amplifier)의 비선형 특성으로 인해, 시스템의 송신 신호는 심각한 비선형 왜곡을 겪게되고 이는 결국 시스템의 성능을 크게 악화시키는 요인으로 작용한다. 이러한 고출력 증폭기의 비선형성은 출력 신호 레벨을 선형 영역으로 충분히 backing-off 시킴으로써 감소시킬 수 있으나, 이는 송신 신호의 출력을 과도하게 감소시키게 되어 결국 fade margin을 감소시키는 결과를 가져온다. 본 논문에서는 이러한 고출력 증폭기에서 발생하는 비선형 왜곡을 보상할 수 있는 디지털 사전왜곡기를 하드웨어적으로 직접 구현하여 고출력 증폭기의 특성이 변할 때,LMS 알고리듬을 이용하여 LUT의 값을 갱신함으로써 보다 효과적인 적응 사전왜곡기를 설계하는데 목적이 있다.

• The Journal of the Korea Contents Association
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• v.9 no.1
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• pp.123-130
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• 2009

When we apply MLPs(multilayer perceptrons) to pattern classification problems, we generally allocate one output node for each class and the index of output node denotes a class. On the contrary, in this paper, we propose to increase the number of output nodes per each class for performance improvement of MLPs. For theoretical backgrounds, we derive the misclassification probability in two class problems with additional outputs under the assumption that the two classes have equal probability and outputs are uniformly distributed in each class. Also, simulations of 50 isolated-word recognition show the effectiveness of our method.

• The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.11 no.4
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• pp.26-38
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• 2000

전파 방해장치(jammer)의 핵심 부품이라 할 수 있는 광대역 고출력 증폭기는 초소형화, 초고주파화 및 초고출려고하하는 다양성을 각각 다른 형태의 증폭장치에서 실현하고 있다. 이 논문에서는 먼저 진공 고출력 증폭기를 반도체 증폭기와 비교하며 각각의 영향권에서 대해 비교하였다. 본론에서는 첫째로 초소형화되어가는 광대역 TWT와 MMIC와 같은 반도체소자와 연합하여 효율이 높은 초소형 고출력(>100W CW) 증폭기의 혁신을 일으키는 MPM(Microwave Power Module)을 소개하였고 둘째로는 고출력(>kW)으로 초고주파화(밀리미터파) 되어가는 Gyro-TWT를 소개하였다. 세째로 원리적으로는 현재 무기체계의 전면적인 수정을 불가피하게 할지 모르는 초고출력화(>GW) 되어가는 HPM(High Power Microwaves)이 소개되었다. 마지막으로 한국에서의 고출력 증폭기에 관련된 연구개발 상황과 TWT국산화에 대한 현황이 소개되었다.

• 프린팅코리아
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• s.45
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• pp.158-163
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• 2006

다양해지는 디지털 이미지의 응용과 입력 장치의 보편화로 인해 정확한 컬러 표현의 필요성이 날로 높아지고 있다. 그러나 출력 장치인 모니터를 통해 디스플레이 되는 이미지들은 입력 및 출력장치들의 장치 의존적 컬러 신호의 차이와 입력 신호값에 대한 출력 신호 값의 비선형적인 변환으로 인해 원고와 최종 출력물의컬러에 색상의 차이가 발생한다. 정확한 색재현을 위해서는 올바른 색변환이 이뤄져야 하며 이를 위해서는 필요한 CMS의 도입이 무엇보다 중요하다. 그러나 현재 이에 대한 활용도는 매우 저조한 실정이다. 이에 본지에서는 얼마전 국내 최초 여성인쇄공학박사로 탄생된 조가람씨의 학위논문을 통해 입.출력 장치의 색변환 방법과 장치의 특성에 대해 살펴보는 자리를 마련했다. 다음은 조가람 씨가 박사학위 논문으로 제출한 '전자출판에서 입.출력 장치의 컬러 관리에 관한 연구'를 요약, 정리한 것으로 이번이 두번째이다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.37 no.9
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• pp.847-855
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• 2000

80$0^{\circ}C$에서 작동하는 중온형 SOFC(Solid Oxide Fuel Cell) 단전지의 제조공정을 확립하고 그 출력특성을 평가하였다. 중온형 SOFC에서 문제가 되는 전해질 성분에 의한 출력 감소를 최소화하기 위해 음극기판 위에 7-15$\mu\textrm{m}$ 두께의 얇은 YSZ막을 입히는 음극지지형 SOFC를 구성하였다. 산화, 환원 반응이 일어나는 전극에서는 전극반응에 필요한 유효면적을 최대화하여 분극 저항을 줄일 수 있도록 음극으로는 Ni-YSZ 복합체를, 양극으로는 LSM-YSZ 복합체를 사용하였다. 출력특성 평가를 위한 단전지 홀더는 Inconnel을 가공하여 사용하였으며 80$0^{\circ}C$에서 최적의 밀봉효과를 나타낼 유리밀봉재를 개발하여 사용하였다. 제조한 단전지의 단면적은 5$\times$5$\textrm{cm}^2$, 10$\times$10$\textrm{cm}^2$ 두 종류였으며 운전 시험결과 5$\times$5 단전지의 경우는 최고 0.2W/$\textrm{cm}^2$, 10$\times$10 단전지의 경우는 0.12W/$\textrm{cm}^2$ 정도의 출력밀도를 나타내었다. 단전지의 출력 및 장기 안정성은 전극구조의 변화 및 단전지 홀더의 산화에 따른 접촉 저항 변화에 크게 영향을 받는 것으로 나타났으며 운전중의 연료공급 및 작동온도 변화 등에 의한 영향도 큰 것으로 나타났다.

• Convergence Security Journal
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• v.15 no.3_1
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• pp.99-105
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• 2015

A typical SRAM-based PUF is used in random number generation and key exchange process. The generated out puts should be preserved, but the values are changed owing to the external environment. This paper presents a new D-PUF logic employing a dual anti-fuse OTP memory to the SRAM-based PUF. The proposed PUF can enhance the reliability of the logic since it can preserve the output values. First, we construct the OTP memory using an anti-fuse. After power up, a SRAM generates the random values owing to the mismatch of cross coupled inverter pair. The generated random values are programed in the proposed anti-fuse ROM. The values that were programed in the ROM at once will not be changed and returned. Thus, the outputs of the proposed D-PUF are not affected by the environment variable such as the operation voltage and temperature variation, etc. Consequently, the reliability of the proposed PUF will be enhanced owing to the proposed dual anti-fuse ROM. Therefore, the proposed D-PUF can be stably operated, in particular, without the powerful ECC in the external environment that are changed.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.48 no.1
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• pp.50-54
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• 2011

In this article, the linearity of single power amplifier is improved by suppress $2^{nd}$ and $3^{rd}$ harmonics at output port of high power amplifier and by cancelling of $3^{rd}$ IMD. The matching network in order to suppress harmonics consists of metamaterial like the CRLH. The $2^{nd}$ and $3^{rd}$ harmonics are suppressed over 27 dBc, respectively. A phase of generated $3^{rd}$ IMD at output of DPA (drive power amplifier) has changed in order to offset the $3^{rd}$ IMD of HPA (high power amplifier). The harmonics of the proposed PAM suppress over 6 dB than single HPA. The PAM has a 36.98 dBm of the output power, 21.6 dB of the power gain and 29.4 % of the PAE. The harmonics is a -53 dBc about PAM. This result indicate that a harmonic level is lower 20 dB than reference power amplifier.