• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.33 no.1
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• pp.176-185
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• 2016

Yeonsan Ogae has been known as supporting health and high efficacy of treatment. In recent days, as the efficacy of functional peptides has known, the optimization of oligo peptides production and its characteristics from Ogae legs has been performed. Response surface method was used to perform the optimizaion of enzyme hydrolysis. The range of processes was temperature ( 40, 50 and $60^{\circ}C$), pH( pH 6.0, 7.0 and 8.0 ), and enzyme( 1, 2 and 3% ). The degree of hydrolysis, amino acids, molecular weight of products were analyzed. The optimum process of enzyme hydrolysis were determined as temperature $58^{\circ}C$, pH 7.5, and enzyme concentration 3%. At optimum conditions, the degree of hydrolysis after 2 h reaction was 75-80%. The amino acid and were 168.131 mg/100 g, respectively. The molecular weight of products by using MALDI-TOF was ranged from 300 to 1,000 Da.

• Journal of Hydrogen and New Energy
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• v.14 no.1
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• pp.81-95
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• 2003

본 연구는 압력균등화 공정이 추가된 2 컬럼 6 스뎁의 활성탄 PSA공정을 이용하여 비단열, 비등은 조건에서 메탄(80%)과 수소(20%)의 2성분계로부터 수소분리에 관한 연구이다. 공급가스의 압력, 흡착시간, 공급속도와 P/F 비율이 PSA공정에 미치는 영향에 대하여 평가했고 전산모사를 통해 최적조건을 구했다. 전산모사에 의한 최적 조건은 공급속도 17 LPM, 흡착압력 11 atm, P/F 비율이 0.07~0.1로 나타났으며, 이 조건으로부터 순도 99%, 회수율 85% 이상의 수소가스를 얻을 수 있었다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.5 no.4
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• pp.367-370
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• 2004

We fabricated SiGe BiCMOS devices, which are important for ultra high speed RF IC chips, by employing $0.35\mu{m}$ CMOS process. To meet with the requirement of low noise level with linear base leakage current at low VBE region, we try to minimize polysilicon/ silicon interface traps by optimizing capping silicon thickness and EDR(emitter drive-in RTA) temperature. We employed $200\AA$and $300\AA$-thick capping silicon, and varied the EDR process condition at temperature of $900-1000^\circ{C}$, and time of 0-30 sec at a given capping silicon thickness. We investigated current gain behavior at each process condition. We suggest that optimum EDR process condition would be $975^\circ{C}$-30 sec with $300\AA$-thick capping silicon for proposed $0.35\mu{m}$-SiGe HBT devices.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.251-251
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• 2004

이 연구에서는 주단조 공정을 자동차 부품인 low control arm 제조에 적용하였다. Al6061에 주단조 공정을 적용함므로써 재료비 감소와 기존의 스틸제품보다 경량화 효과를 얻을 수 있다는 것을 증명하기 위함이다. 첫째로 단조 재료인 A16061의 최적 주조조건을 찾기 위하여, 주조 실험은 알루미늄의 주입온도, 금형온도, 주입시간을 조절함으로써 수행되어졌다. 최적주조조건은 주입온도 $700^{\circ}C$, 금형온도 30$0^{\circ}C$, 주입시간 10초로 정하여졌다. 각각의 미세조직을 관찰하고 응력-변형률곡선을 구하기 위하여 열가단조실험은 빌렛온도, 변형률속도와 감소율을 기초로 하여 수행되어졌다.(중략)

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.171-171
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• 2016

Metal mesh는 ITO를 대체한 물질의 85%를 차지하는 신소재로서 저비용 고전도도를 갖고 있어 그 활용도가 높으며, Metal mesh를 활용한 투명 LED 디스플레이는 기존 ITO 투명 디스플레이보다 유지보수가 용이하고, 자원절약뿐만 아니라 경제적이다. 따라서 본 연구는 Metal mesh가 경제적인 활용 및 시장 확대가 가능할 수 있도록 연구하는데 목적이 있다. 본 연구는 Metal mesh를 공정 상 더 쉽게 생산 가능하게 하는 Metal master를 제작하였다. 마스터의 제작 시 문제가 되는 경도를 해결하기 위해 도금액을 개발하여 적용시켰고 노광시간, 선폭, 현상시간의 조절을 통해 상호간의 영향 관계를 규명하고 최적조건을 찾아 Photolithography공정에 적용하였다. 또한 미세패턴 형성의 최적조건을 찾고 니켈 전기도금을 진행하였다. Metal mesh의 문제점인 Visibility, Moire 현상을 해결하기 위해 Metal master의 선폭을 $2.5{\mu}m$까지 낮췄으며, 그 결과, 선폭 $2.5{\mu}m$, 깊이 $8{\mu}m$, 두께 $100{\mu}m$의 Ni master를 제작하였다. 이 마스터를 이용하여 도금부터 전사하는 단계까지 도금공정의 전반적인 내용을 다루었다.

• Proceedings of the Korean Environmental Sciences Society Conference
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• 2006.11a
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• pp.345-349
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• 2006

수용성 안료인 RhB를 대상으로 광-펜톤 공정의 최전 운전조건을 구하고, 광-펜톤 공정을 구성하는 개별 공정을 비교한 결과 다음의 결론을 얻었다. 광-펜톤 공정의 최적 $Fe^{2+}$와 $H_2O_2$ 투입량은 각각 0.0031 mmol과 0.625 mmol이었으며, 최적 pH는 3으로 나타났으나, 7이하의 pH 범위에서는 RhB 색 감소에 큰 영향을 미치지 않는 것으로 나타났다. 초기 반응 속도에 가장 큰 영향을 주는 인자는 UV 광 전력 > $H_2O_2$> 철염의 순으로 나타났다. 80분간의 반응시간 경과 후 최종 RhB 농도를 고찰한 결과 UV 광 전력이 낮을 경우 색도가 다 제거되지 않기 때문에 광-펜톤 공정에서 UV 광 전력이 색 제거에 대한 가장 큰 인자라고 사료되었다. 광-펜톤 공정의 개별 공정인 UV, $H_2O_2$, 펜톤을 이용하여 RhB의 농도감소를 고찰한 결과 초기 반응속도상수는 펜톤 공정의 빠른 초기 반응로 인해 펜톤 > UV >$H_2O_2$로 나타났으나, 최종 RhB 농도를 고려할 경우 UV> 펜톤 > $H_2O_2$로 나타났다.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.5 no.1
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• pp.81-87
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• 2010

In this paper, we have fabricated $SiO_2$ oxidation thin films by HDP-CVD(high density plasma-chemical vapor deposition) method for passivation layer or barrier layer of OLED(organic light emitting diode). We have control and estimate the deposition rate and relative index characteristics with process parameters and get optimized conditions. They are gas flow rate($SiH_4:O_2$=30:60[sccm]), 70 [mm] distance from source to substrate and no-bias. The WVTR(water vapor transmission rate) is 2.2 [$g/m^2$_day]. Therefore fabricated thin film can not be applied as passivation layer or barrier layer of OLED.

• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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• 1996.04a
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• pp.58-59
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• 1996

기체 막분리 공정은 상업적으로 많은 개발의 여지를 가지고 있지만 RO, UF, MF 등과 같은 수처리분야 정도로 공정의 개발 및 실제 응용분야는 매우 미약한 형편이다. 이와 같은 현실에서 최근 청정 에너지로 각광을 받고 있으며 화학공정의 주원료로 잠재적인 수요를 가지고 있는 수소 기체와 지구 온난화 물질 중 가장 대표적인 물질로 주목받고 있는 이산화탄소의 분리를 목적으로 공정 개발의 타당성 연구를 전산모사를 통해서 수행하였다. 본 전산모사의 목적은 공정 형태별 최적의 공정조건 선정을 위한 타당성 연구를 목적으로 하고 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.157-157
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• 2015

전기화학 성능이 우수하고 고내구성 고속 구리 전해도금용 DSE를 개발하기 위해 전기화학적 특성이 좋은 백금족 산화물의 조성비, 전처리 등의 공정으로 전극을 제조한 후, 고 전류밀도 조건에서 구리 전해도금을 실시하여 유기첨가제 소모율을 측정하여 최적의 전극제조 공정 조건을 확보하였다. 최적조건의 전극과 시제품 전극들을 비교분석한 결과, 상용 DSE와 비슷하거나 상회하는 내구수명을 가지는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2004.06a
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• pp.62-64
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• 2004

초고속 RF IC의 핵심소자인 SiGe에피텍시층을 가진 이종양극트란지스터 (hetero junction bipolar transistor: HBT)를 0.35um급 CMOS공정으로 제작하였다. 이때 IOW $V_{BE}$영역에서의 Current Gain의 선형성을 향상시키기 위하여 Capping 실리콘의 두께를 200과 300${\AA}$으로 나누고 EDR (Emitter Drive-in RTA)의 온도와 시간을 900$\~$1000C, 0$\~$30sec로 각각 변화시키면서 최적조건을 알아보았다. 실험범위 내에서의 최적공정조건은 300${\AA}$의 capping 실리콘과 975C-30sec의 EDR조건이었다.