• Title/Summary/Keyword: 채널 길이

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IGZO 박막트랜지스터의 동작특성 (Operation characteristics of IGZO thin-film transistors)

  • 이호년;김형중
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제11권5호
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    • pp.1592-1596
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    • 2010
  • IGZO (indium gallium zinc oxide) 박막트랜지스터는, 활성층 채널의 폭과 길이의 비가 고정된 경우에도, 채널 길이가 길어지면 게이트전압에 대한 드레인 전류의 특성곡선이 양의 전압 방향으로 이동하고 전계효과이동도는 낮아졌다. 채널의 길이와 폭이 고정된 상태에서는, 드레인이 전압 높은 경우에 전계효과이동도가 낮고 문턱아래 기울기가 큰 특성을 보였다. 이러한 현상은 IGZO 채널층의 일함수가 커서 소스/드레인 전극과 채널층의 접합부 띠굽음이 규소반도체의 경우와 반대방향으로 나타나는 것에 기인하는 것으로 해석된다.

10 nm 이하 DGMOSFET의 항복전압과 채널도핑농도의 관계 (Relation of Breakdown Voltage and Channel Doping Concentration of Sub-10 nm Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제21권6호
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    • pp.1069-1074
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    • 2017
  • 항복전압의 감소는 채널길이 감소에 의하여 발생하는 심각한 단채널 효과이다. 본 논문에서는 10 nm 이하 채널길이를 갖는 이중게이트 MOSFET에서 채널크기의 변화를 파라미터로 하여 채널도핑에 따른 항복전압의 변화를 고찰하였다. 이를 위하여 해석학적 전위분포에 의한 열방사 전류와 터널링 전류를 구하고 두 성분의 합으로 구성된 드레인 전류가 $10{\mu}A$가 될 때, 드레인 전압을 항복전압으로 정의하였다. 결과적으로 채널 도핑농도가 증가할수록 항복전압은 크게 증가하였다. 채널길이가 감소하면서 항복전압이 크게 감소하였으며 이를 해결하기 위하여 실리콘 두께 및 산화막 두께를 매우 작게 유지하여야만 한다는 것을 알 수 있었다. 특히 터널링 전류의 구성비가 증가할수록 항복전압이 증가하는 것을 관찰하였다.

10 nm 이하 DGMOSFET의 도핑농도에 따른 항복전압 (Breakdown Voltage for Doping Concentration of Sub-10 nm Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2017년도 춘계학술대회
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    • pp.688-690
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    • 2017
  • 항복전압의 감소는 채널길이 감소에 의하여 발생하는 심각한 단채널 효과이다. 트랜지스터 동작 중에 발생하는 단채널 효과는 트랜지스터의 동작범위를 감소시키는 문제를 발생시킨다. 본 논문에서는 10 nm 이하 채널길이를 갖는 이중게이트 MOSFET에서 채널크기의 변화를 파라미터로 하여 채널도핑에 따른 항복전압의 변화를 고찰하였다. 이를 위하여 해석학적 전위분포에 의한 열방사 전류와 터널링 전류를 구하고 두 성분의 합으로 구성된 드레인 전류가 $10{\mu}A$가 될 때, 드레인 전압을 항복전압으로 정의하였다. 결과적으로 채널 도핑농도가 증가할수록 항복전압은 크게 증가하였다. 채널길이가 감소하면서 항복전압이 크게 감소하였으며 이를 해결하기 위하여 실리콘 두께 및 산화막 두께를 매우 작게 유지하여야만 한다는 것을 알 수 있었다. 특히 터널링 전류의 구성비가 증가할수록 항복전압이 증가하는 것을 관찰하였다.

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후막 감광제를 이용한 구리 모재의 초소형 히트 파이프 제작 (Fabrication of Copper Micro Heat Pipes Using JSR Negative Photoresist)

  • 장병현;윤현중;양상식
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.242-244
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    • 2002
  • 고집적 반도체 소자에서 발생하는 열의 효과적인 전달을 위한 구리 모재의 초소형 히트파이프를 제작하였다. 제작된 초소형 히트 파이프는 높이 100 ${\mu}m$의 채널 어레이가 형성되어 있는 하부 구리 기판과 그것을 덮는 상부 구리 기판으로 구성된다. 채널의 개수는 44개이고. 길이는 24 mm이다. 하부 구리 기판 위에 음성 후막 감광제 JSR THB 151N을 도포하고 사진 현상 공정으로 미세 채널 몰드를 형성한 후, 구리 전기 도금을 이용하여 채널 격벽을 제작한다. 미세 채널 몰드는 습식 방법으로 완전하게 제거된다. 제작된 하부 구리 기판은 에폭시로 상부 구리 기판과 부착 후 옆면에 구리 전기 도금으로 완전히 접합한다.

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다양한 감쇄 채널에 대한 B-FWA 상향링크 Equalization 시스템 (B-FWA Uplink Equalization System for Various Attenuation Channels)

  • 이연우;조광문
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
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    • 한국산학기술학회 2007년도 추계학술발표논문집
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    • pp.241-244
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    • 2007
  • 본 논문에서는 B-FWA의 상향링크에 적용할 수 있는 equalization 시스템 중에서 pre-equalization 시스템에 대해서 다양한 감쇄 채널에 대해서 성능을 분석하였다. 고려한 감쇄채널은 세가지의 강우감쇄 채널에 (rain, intermittent light rain and thundershower) 대해서 분석하였다. 본 논문에서 제안하는 pre-equalization 시스템에 적용된 adaptive 알고리즘은 LMS와 RLS로서, 각각의 트레이닝 시퀀스의 길이 대비 채널환경에 따른 성능을 평가하였다. 실험결과, LMS 알고리즘을 사용하는 equalization 알고리즘은 알고리즘의 복잡도를 어느 정도 허용되는 범위에서 delay에 심한 부분에 적합하는 것으로 결론지었고, RLS 알고리즘은 짧은 트레이닝 시퀀스로 빠른 송신이 가능한 곳에 성능이 우수함을 확인하였다.

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군집 소실 채널 상에서의 인터리빙된 짧은 코드의 성능 분석 (Performance Analysis of Interleaved Short Length Codes over Burst Erasure Channel)

  • 장재윤;장민;김상효;이성준
    • 한국방송∙미디어공학회:학술대회논문집
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    • 한국방송공학회 2009년도 추계학술대회
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    • pp.281-283
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    • 2009
  • 본 논문에서는 군집 소실 채널 상에서 동작할 수 있는 짧은 길이의 인터리빙 된 코드들의 성능을 분석한다. 먼저 좋은 성능을 갖는 짧은 길이의 그래프 부호와 해밍부호를 설계한다. 이 후 군집 소실에 잘 대응하기 위하여 인터리빙 기능을 채널 부호화 방법에 적용한다. 생성된 짧은 코드에 적용한 인터리빙 부호를 군집 소실에 최적의 성능을 보이는 Reed-Solomon (RS) 부호와 성능을 비교한다. 짧은 길이의 부호이므로, ML(Maximum Likelihood)방법과 BP(Belief propagation)의 두 가지 복호 방법들을 이용한 경우 성능의 차이 또한 비교해 본다.

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채널 길이에 따른 20nm 이하 MOSFET의 전달컨덕턴스 특성 분석 (Analysis of sub-20nm MOSFET Transconductance characteristic by Channel Lenght)

  • 한지형;정학기;이재형;정동수;이종인;권오신
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2009년도 추계학술대회
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    • pp.935-937
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    • 2009
  • 본 논문에서는 MicroTec을 이용한 채널 길이에 따른 20nm이하 MOSFET의 전달컨덕턴스의 특성을 분석하였다. 전달컨덕턴스는 게이트 전압의 변화에 의한 드레인 전류의 변화이다. MicroTec의 이동도 모델중 Lombardi, Constant, Yamaguchi 모델을 선택하여 이동도 모델에 따른 gm(전달컨덕턴스)를 비교하였다. 인가전압은 소스 0V, 기판 0V, 드레인 0.1V, 게이트는 -2.5V에서 4.5V까지 증가시켰다. 채널의 길이가 줄어들수록 gm(전달컨덕턴스)의 최대값과 드레인 전류가 증가함을 알 수 있었다.

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비대칭 DGMOSFET의 상하단 산화막 두께비에 따른 터널링 전류 분석 (Analysis of Tunneling Current of Asymmetric Double Gate MOSFET for Ratio of Top and Bottom Gate Oxide Film Thickness)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제20권5호
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    • pp.992-997
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    • 2016
  • 본 논문에서는 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 산화막 두께비에 대한 터널링 전류의 변화에 대하여 분석하고자 한다. 채널길이가 5 nm까지 감소하면 차단전류에서 터널링 전류의 비율이 크게 증가하게 된다. 이와 같은 단채널효과는 상하단 게이트 산화막 구조를 달리 제작할 수 있는 비대칭 이중게이트 MOSFET에서도 발생하고 있다. 본 논문에서는 상하단 게이트 산화막 두께비 변화에 대하여 차단전류 중에 터널링 전류의 비율 변화를 채널길이, 채널두께, 도핑농도 및 상하단 게이트 전압을 파라미터로 계산함으로써 단채널에서 발생하는 터널링 전류의 영향을 관찰하고자 한다. 이를 위하여 포아송방정식으로부터 해석학적 전위분포를 구하였으며 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)근사를 이용하여 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 상하단 산화막 두께비에 의하여 터널링 전류가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 채널길이, 채널두께, 도핑농도 및 상하단 게이트 전압 등의 파라미터에 따라 매우 큰 변화를 보이고 있었다.

OFDM에서 채널 응답 길이를 고려한 효율적인 채널추정 방법 (An effective channel estimation method considering channel response length in OFDM systems)

  • 전형구;최원철;이현
    • 한국통신학회논문지
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    • 제30권9A호
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    • pp.755-761
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    • 2005
  • 본 논문에서는 OFDM 시스템에서 단위 임펄스 신호 열을 이용한 채널 추정 방법을 제안하였다. 제안된 방법은 채널의 응답을 구하기 위하여 시간영역에서 한 개의 OFDM 심볼 구간을 4개의 동일 간격으로 나누고, 각 구간에서 단위 임펄스 신호가 나오도록 훈련신호를 설계하였다. 송신단에서 발생시킨 단위 임펄스 신호들은 한 OFDM 심볼 동안에 전송된다. 수신단에서는 각 구간별 임펄스 응답 신호를 모두 더한 후 평균을 취한다. 평균된 임펄스 응답에서 채널의 최대 응답 길이 이후의 데이터는 잡음 신호이므로 zero padding을 하여 제거하고 FFT를 수행하여 채널의 주파수 응답을 추정한다. 제안된 채널 추정방법을 이용한 OFDM 시스템의 BER성능은 IEEE802.11a에서 사용하는 긴 훈련신호(long preamble)를 이용한 기존의 채널 추정 방법에 비해 약 3dB 성능 향상을 보인다.