• 한국진공학회지
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• 제21권6호
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• pp.354-361
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• 2012

유기 메모리 절연막 제작을 위해 일반적으로 사용되어지는 습식법이 아닌 건식법 중 플라즈마 중합법을 이용하였다. 유기 절연 박막으로 사용된 단량체는 Styrene과 MMA을 사용하고, 터널링 박막은 MMA를 사용하며, 메모리 박막은 열기상증착법을 이용한 Au 박막을 사용하였다. 최적화된 소자의 구조는 Au의 메모리층의 두께를 7 nm, Styrene 게이트 절연막의 두께를 400 nm, MMA 터널링 박막의 두께를 30 nm로 증착하여 제작된 부동 게이트형 유기 메모리 소자는 40/-40 V의 double sweep시 27 V의 히스테리시스 전압을 얻을 수 있었다. 이 특성을 기준하여 유기 메모리의 전하 포집 특성을 얻을 수 있었다. 유기 재료 중 MMA 대비 Styrene의 전하 포집 특성이 좋은 것으로 보아 향후 부동 게이트인 Au 박막을 유기 재료인 Styrene으로 대체하여 플렉시블 소자의 가능성을 기대한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.816-818
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• 1998

In this paper Polyimide(PI) thin film are fabricated by vapor deposition polymerization(VDP) of dry process which are easy to control the film's thickness and hard to pollute due to volatile solvent. The FT-IR spectrum show that PAA thin films fabricated by VDP are changed to PI thin film by thermal curing. From AFM(Atomic Force Microscopy) experimental as the higher curing temperature. the thin film thickness decreases and roughness decresse.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.399-399
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• 2010

Polyethylene glycol(PEG)은 강력한 단백질 및 세포흡착 억제력을 가지고 있어 다양한 생물학적 연구에 사용되고 있으나, 기판과의 결합력이 무척 약해 기판 위에 박막을 형성하기가 매우 어렵다는 문제점이 있다. 이번 연구에서는 capacitively-coupled plasma chemical vapor deposition(CCP-CVD)를 이용하여 PEG를 유리 기판 위에 플라즈마 중합하여 plasma-polymerized PEG(PP-PEG) 기판을 만들었다. PP-PEG 박막은 FT-IR, XPS, ToF-SIMS 분석을 통하여 PEG와 매우 유사한 화학적 조성을 가지고 있음을 확인할 수 있었다. 또한 PP-PEG 기판은 photolithography 방법을 이용하여 표면에 photoresist를 패턴한 뒤 아민작용기를 가지는 plasma-polymerized ethylenediamine (PPEDA)를 증착하여 표면이 amine/PEG로 패턴화된 박막 기판을 만들었다. 패턴된 기판에 단백질 및 세포를 고정화하였을 때, 아민 작용기가 노출된 부분에만 고정화가 나타나고 PP-PEG 영역에는 단백질 및 세포의 흡착이 효율적으로 억제되는 것을 형광측정 및 ToF-SIMS chemical imaging 방법을 이용하여 확인하였다. 이러한 바이오칩 제작기술은 단백질 및 세포 칩을 포함한 여러 분야에서 폭넓게 응용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.195.2-195.2
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• 2013

플라즈마 중합 증착기술을 이용하여 ppMMA (plasma polymerized methyl methacrylate) 및 ppS (plasma polymerized styrene) 박막을 제작하고, ppMMA를 게이트 절연층, polymer electret인 ppS를 메모리층으로 한 전계효과트랜지스터 기반 유기 메모리 소자를 제작하였다. 메모리층인 ppS의 두께를 각각 30, 60, 90 nm로 달리한 유기 메모리 소자가 C-V 및 I-V 특성에서 나타내는 히스테리시스 현상을 분석하여 메모리 특성을 평가했으며, 메모리층의 두께 변화에 따른 유기 메모리 소자의 성능을 비교분석하였다.

• 전자공학회논문지T
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• 제36T권2호
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• pp.1-7
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• 1999

본 연구는 진공증착중합법에 의해 폴리이미드를 제작하고 박막의 절연파괴특성을 자기절연회복법에 의해 측정하였다. PMDA(Pyromellitic dianhydride)와 DDE(4,4'-diaminodiphenyl ether)를 증착 중합하여 Polyamic-acid(PAA)를 형성하고 이를 열처리함으로서 폴리이미드를 제조하였다. 제조된 박막의 특성을 조사하기 위해 주사형 전자현미경(SEM), 적외선분광장치(FT-IR) 및 오저전자분광장치(AES)를 사용하였다. 절연파괴특성 실험은 동일 시료에서 50회를 반복하였으며 25회 이상에서 절연파괴전계는 포화되었다. 열처리 온도를 200${^\circ}C$, 250$^{\circ}C$, 300$^{\circ}C$ 및 350${^\circ}C$로 변화했을 때 절연파괴전계는 1.21MV/cm, 3.94MV/cm, 4.61MV/cm, 4.55MV/cm로 변화하였다.

• 폴리머
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• 제31권6호
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• pp.469-473
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• 2007

본 연구에서는 OTFT의 유기물 반도체 층으로 쓰일 수 있는 oligo(3-methylthiothiophene)를 전이금속 촉매인 palladium 촉매를 이용한 커플링 중합법을 이용하여 합성하였다. Thiophene 올리고머의 단량체를 합성하기 위해서 metal halogen exchange reaction에 의하여 3-methylthiothiophene를 합성하였고, thiophene 구조의 2, 5번의 위치에 brome기를 도입함으로써 최종적으로 2,5-dibromo-3-methylthiothiophene를 합성하였다. 합성된 단량체와 올리고머는 $^1H-NMR$, ATR 분석을 통하여 그 구조를 확인하였으며, TGA로 열적 안정성을 관찰하였고 진공 증착법(thermal evaporation)을 이용하여 기판상에 증착시켜 OTFT 소재로서의 적용 가능성을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1995년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1171-1173
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• 1995

Polyimide thin films were fabricated through the vapor deposition polymerization method, and the structure and capacitance characteristics of them were investigated in detail. It was found that the chemical structure and uniformity of the film could be stabilized with curing. The peaks of $720cm^{-l},\;1380cm^{-1}\;and\;1780cm^{-1}$ show C=O stretch mode, C-N stretch mode and carbonyl stretch mode, and those of polyimide which cured over $300^{\circ}C$ were fixed. It was found that capacitance was changed in proportion to temperature.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1997년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.293-296
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• 1997

The experimental system used for vapor deposition polymerization (VDP) from PMDA (Pyromellitic dianhydride) and DDE (4, 4-diaminodiphenyl ether) were changed to PI (polyimide) thin films by thermal curing. The curing temperatures were 20$0^{\circ}C$, 25$0^{\circ}C$, 30$0^{\circ}C$, 35$0^{\circ}C$. When test number was 40, the electric breakdown strengths of PI were 1.21MV/cm, 3.94MV/cm, 4.61MV/cm, 4.55MV/cm according to curing temperatures.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1624-1626
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• 1996

PoIyimide thin films fabricated at substrate temperature $20^{\circ}C$, $40^{\circ}C$and $70^{\circ}C$ by vapor deposition polymerization method were confirmed by FT-IR spectra. It is found that deposition rate decreas according as increasing substrate temperature. Defusion depth of evaporation Al at which thin films be used for an insulating films between layers of semiconductor were about $300{\AA}$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.154-157
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• 1996

The thin films are fabricated by VDPM and its heat resistant characteristics are investigated using Thermogravimetry. About polyimide, there is a wide difference between 5% weight loss temperature of TG curve and 20,000hr. of life time by methode of ASTM D2307. Therefore, TGI can be obtained by thermogravimetric analysis of NEMA std. pub. NOREI-1974. The TGI was got 670, 674 and 585 at 20$^{\circ}C$, 40$^{\circ}C$ and 70$^{\circ}C$, respectively.