0.1$\mu$ m InGaAs/InAlAs Metamorphic High Electron Mobility Transistor(MHEMT)에서의 온도에 따른 수송 현상 분석
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- 한국진공학회:학술대회논문집
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- 한국진공학회 2008년도 제34회 동계학술대회 초록집
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- pp.325-325
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- 2008