0.1$\mu$m InGaAs/InAlAs Metamorphic High Electron Mobility Transistor(MHEMT)에서의 온도에 따른 수송 현상 분석

• Gang, Su-Hyeon ;
• Lee, So-Hyeong ;
• Kim, Yong-Min ;
• Jeong, Gyu-Ho ;
• Im, Hyeon-Sik ;
• Jeong, Ung ;
• Kim, Hyeong-Sang ;
• Baek, Yong-Hyeon ;
• Baek, Tae-Jong ;
• Lee, Jin-Gu

• 강수현 (반도체 과학과, 동국대학교) ;
• 이소형 (반도체 과학과, 동국대학교) ;
• 김용민 (반도체 과학과, 동국대학교) ;
• 정규호 (반도체 과학과, 동국대학교) ;
• 임현식 (반도체 과학과, 동국대학교) ;
• 정웅 (반도체 과학과, 동국대학교) ;
• 김형상 (물리학과, 동국대학교) ;
• 백용현 (밀리미터파 연구센터(MINT), 동국대학교) ;
• 백태종 (밀리미터파 연구센터(MINT), 동국대학교) ;
• 이진구 (밀리미터파 연구센터(MINT), 동국대학교)

• Published : 2008.02.14

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