• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.10a
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• pp.233-234
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• 2009

증착된 silicon nitride (Sin) 박막의 수명 시간을 예측하는 신경망 모델을 개발하였다. SiN 박막은 플라즈마 화학기상 증착방식을 이용하여 증착되었다. 증착 공정은 통계적인 실험계획표를 이용하여 수행되었고, 신경망 모델의 예측 성능은 유전자 알고리즘을 이용하여 최적화하였다. 수명시간은 다른 박막특성 (굴절률, 증착률, 전하밀도)의 영향을 상당히 받았으며, 특히 굴절률과 전하밀도는 높은 증착률에서 증가시킬 때 수명시간을 최대화할 수 있었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.13 no.5
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• pp.247-253
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• 2003

In this study, a numerical analysis of the deposition of gallium arsenide from TMGa and arsine in a horizontal MOCVD reactor is performed to investigate the effect of inlet diffuser shape of reactor on the flow and deposition characteristics. The effects of two geometric parameters (diffuser angle, diffuser shape) on the growth rate, growth rate uniformity, flow uniformity and pressure loss are presented. As a results, it is found that the optimum linear diffuser angle is in the range of $50^{\circ}$∼$55^{\circ}$ and parabolic diffuser in the range of $40^{\circ}$∼$45^{\circ}$ from the viewpoint of growth rate uniformity, flow uniformity and average growth rate. It is also found that variation of diffuser angle has greater impact on growth rate uniformity than average growth rate particularly in parabolic diffuser.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.16 no.3
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• pp.181-186
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• 2007

We have investigated and analyzed the effects of the evaporation rate of MgO films on the MgO properties and the discharge characteristics of a plasma display panel(PDP). The MgO properties such as the crystal orientation, the surface roughness, the film structure, and cathode-luminescence (CL) spectra were inspected using XRD (X-ray diffraction), AFM(atomic force microscopy). And the discharging characteristics of the PDP such as the firing voltage, discharging current, and luminescence were measured using a vacuum chamber with oscilloscope (TDS 540C), current probe (TCP-312A), color meter (CS-100A) and etc. From the experiments results we confirmed the optimum evaporation rate at $5{\AA}/sec$, the MgO properties were shown to be strongly dependent on the evaporation rate, and the MgO properties had an effecton the optical and electrical characteristics. In other words, if the evaporation rates increase than $5{\AA}/sec$, the intensity of (200) orientation and cathode-luminescence (CL) spectra reduce, and the firing vlotage was increased. So the luminuous efficiency grows worse.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.309-309
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• 2010

Silicon Nitride(SiN) 박막을 펄스드 플라즈마 응용화학기상법을 이용하여 저 소스전력의 $SiH_4-N_2$ 플라즈마에서 증착하였다. Duty ratio의 변화에 따른 이온에너지와 굴절률의 변화를 고찰하였다. 저이온에너지는 증착률과 강한 상관성을 보였다. 이온에너지 변수의 증착률에의 영향은 신경망 모델을 이용하여 고찰하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.19 no.3
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• pp.230-235
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• 2010

In this paper, we controlled the deposition rate and reflective index with process conditions that are TCP power, gas flow ratio and bias for optical properties of $SiO_2$ thin film using TCP-CVD equipment. We obtained a excellent $SiO_2$ thin film which has a excellent uniformity (<1 [%]), deposition rate (0.28 [${\mu}m$/ min]) and reflective index (1.4610-1.4621) within 4" wafer with process conditions ($SiH_4:O_2$=50 : 100 [sccm], TCP power 1 [kW], bias 200 [W]) at [$300^{\circ}C$].

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.123-124
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• 2011

플라즈마 화학적 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition)공정 중 NH3 gas flow rate, RF power, SiH4 gas flow rate을 고정시키고 N2O gas flow rate을 0 sccm부터 250 sccm까지 변화시키는 조건 하에 SiON박막을 증착한 후 그 투과율, 굴절률을 측정하고 분석하였다. N2O gas flow rate조건별 시편들은 증착율을 계산하여 350 nm 두께로 동일하게 SiON을 증착하였고, borofloat위에 SiON을 증착한 샘플은 투과율을, 실리콘기판 위에 SiON을 증착한 샘플로는 굴절률을 측정하였다. 투과율의 경우는 UV/Vis spectrometer를 이용해 633 nm, 1550 nm 두 가지 파장 대 모두에서 N2O gas flow rate이 가장 큰 250 sccm일 때 가장 높은 것을 알 수 있었고 N2O gas flow rate이 낮아질수록 투과율 또한 작아지는 경향을 보였다. 굴절률은 ellipsometer를 이용해 측정하였으며 633 nm 파장에서 N2O gas flow rate가 가장 낮은 0 sccm일 때 굴절률이 가장 큰 값을 가지고 N2O gas flow rate이 커질수록 굴절률은 지수함수적으로 감소되었다(n=1.837~1.494). 이는 N2O gas flow rate이 낮을수록 SiN계열에 커질수록 SiO2계열에 가까워지는 현상으로 이해된다. 이러한 실험분석 결과는 향후 실리카 도파로의 설계 및 최적화를 위해 사용될 수 있다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.7 no.3
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• pp.214-220
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• 1998

We have studied the factors influencing the growth rate of TiN deposited from TDEAT using a bubbler. The growth rate of TiN was primarily dependent on the bubbler temperature, deposition temperature, gas delivery line conductance and carrier gases. In addition, the heating of the gas line through which carrier gas was delivered to the bubbler increased the growth rate slightly. Also heating of the delivery gas line between the bubbler and the chamber caused the increase of the growth rate of TiN, Showing the Arrehenius behaviour with the activation energy of 0.2 eV.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.90-90
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• 1998

전계 에미터 어레이(FEA)는 진공에서 전계률 인가하여 전극으로부터 전자률 방출시키는 전자원으로서, 마이크로파 소자 및 명판 디스플레이, 센서 둥에 이용된다 .. Transfer Mold 법 은 뾰족한 에미터 립과 게이트 절연막 및 게이트 전극 충올 형성한 후 유리와 같은 기판에 이전 시키는 방법으로, 이러한 방법은 Mold 형태 위에 코탱 충의 두께 조절과, 게이트와 립 높이 조절이 가능하며, 그리고 유리 기판 위에 접착하여 대면적의 평판 디스플레이를 제작 할 수 었다는 장점이 있다[1,2]. 본 연구에서는 일반적으로 사용되는 실리콘 기판올 습식 식 각하여 Mold률 제작하는 방법 대선에, 측벽 스페이스 구조률 이용한 새로운 방법의 Mold 형태률 이용하여 게이트률 가진 에마터 립올 제작하였다. 먼저 실리콘 기판 위에 산화막올 증착하고 그 위에 게이트 전극파 게이트 절연막을 LPCVD 방법으로 증착하여 구명 형태로 패터닝 한 후, BPSG(Boro Phospher Silicate Glass) 박막올 증착하여 고온에서 훌러 내려 뾰족한 형태의 주형(Mold)률 제작한 후 TiN율 증착하여 정전 접합(an여ic bon벼ng)이나 레 진(resine)둥으로 유리률 접합한 후 KOH 용액으로 실리콘 기판옵 뒷면부터 식각해 낸다. 그 다옴, 립과 게이트 위에 있는 절연막올 제거한 후 뾰족한 전계 에미터 어레이륭 제조하 였다. 자세한 제조 공정 및 제작된 에미터 립의 특성은 학회에서 발표될 예정이다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1995.06a
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• pp.84-93
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• 1995

간섭필터 제작시 고굴절률 박막으로 많이 사용되는 TiO2 박막을 이온빔 보조증착 방법으로 제작하여 광학적, 기계적 특성을 연구하였다. 보조증착용 이온초으로는 End-Hall 형 이온총을 자체제작하여 사용하였다. 증착속도, 이온빔의 전류빌도, 산소 주입량 등을 주요 증착변수로 하여 TiO2 박막의 광학상수와, 기계적 성질에 미치는 영향을 조사하였다. 그 결과 박막의 조밀도와 굴절률이 증가하여, 대기중에 노출시 파장이동이 없는 고품질의 간섭필터 제작에 사용할 수 있음을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.164-164
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• 2012

저진공 (＞100 mTorr)에서 냉음극 변압기 전원 소스를 이용하여 플라즈마를 발생시키는 시스템을 개발하였다. 또한 이 장치를 이용하여 Tetraethylorthosilicate (TEOS)를 기화시켜 이산화규소 ($SiO_2$) 박막 증착 기술을 연구하였다. 공정 압력은 400~1,000 mT이었다. 증착된 박막의 박막 두께, 굴절률 등의 측정을 실시하였다. 결과를 요약하면, 플라즈마 공정 압력이 증가함에 따라 박막 증착 속도는 약 200~300 A/min이었다. 또한 전압이 1,100에서 2,100 V로 증가함에 따라 산화막의 증착 속도는 약 300에서 40 nm/min으로 증가하였다. TEOS만을 사용하였을 때 굴절률은 약 1.5~1.6정도였다. 그러나 TEOS에 산소를 추가하면 자연 산화막의 굴절률인 1.46을 쉽게 얻을 수 있었다. 초기 연구 결과를 정리하면 냉음극 변압기 플라즈마 장치는 향후 실용적인 산화막 플라즈마 증착 연구 장치로 사용될 수 있을 것으로 생각된다.