Abstract
In this paper, we controlled the deposition rate and reflective index with process conditions that are TCP power, gas flow ratio and bias for optical properties of $SiO_2$ thin film using TCP-CVD equipment. We obtained a excellent $SiO_2$ thin film which has a excellent uniformity (<1 [%]), deposition rate (0.28 [${\mu}m$/ min]) and reflective index (1.4610-1.4621) within 4" wafer with process conditions ($SiH_4:O_2$=50 : 100 [sccm], TCP power 1 [kW], bias 200 [W]) at [$300^{\circ}C$].
본 논문에서는 TCP-CVD를 이용하여 실리콘 산화막 형성에서 산화막의 특성에 영향을 미치는 전력, 가스 유량, 기판 바이어스 등의 공정조건에 따른 증착률과 굴절률을 제어하고자 한다. 그 결과 기판온도 300 [$^{\circ}C$], $SiH_4$ : $O_2$=50 : 100 [sccm], TCP power 1 [kW], 기판 바이어스 200 [W]를 인가한 조건에서 매우 우수한 균일도(<1 [%]) 및 증착률(0.28 [${\mu}m$/min])과 굴절률 (1.4610-1.4621)을 나타내는 안정된 $SiO_2$ 산화박막을 제조할 수 있었다.
