• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.22 no.3
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• pp.68-76
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• 1985

A charge-coupled device (CCD) area image sensor has been demonstrated with an experi-mental 16$\times$16 prototype. The prototype is a vertical frame transfer charge.coupled imager using two-phase gate electrode structures. In this device, ion-implanted barriers are used for two -phase CCD, and NMOS process has been adopted. The total imaging setup consisting of optical lens, clock generators, clock drivels, staircase signal generators, and oscilloscope is easily achieved with the aid of PROM . English alphabets are displayed on the oscilloscope screen using the total imaging set-up. We measure charge transfer inefficiency and dark current for the fabricated devices.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.05a
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• pp.58.1-58.1
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• 2009

나노 임프린트 리소그래피 기술은 기존의 노광 장비를 이용하는 기존의 리소그래피 공정에 비해 저렴한 공정으로 대면적 패터닝이 가능한 차세대 리소그래피 기술이다. 나노 임프린트 리소그래피는 기존의 나노 리소그래피 기술과는 다르게 기능성 무기물 물질을 직접 패터닝 할 수 있는 기술이다. 본 연구에서는 $TiO_2$ 나노 패턴을 를 기존의 증착, 리소그래피, 식각 등의 공정을 거치지 않고, sol-gel법과 나노 임프린트 리소그래피를 이용하여 직접 전사하는 기술에 대해 연구 하였다. 본 연구에서는 Tetrabutylorthotitanate를 precusor로 하는 ethanol 기반의 $TiO_2$ sol을 제작하여 이용하였다. PDMS mold를 임프린팅용 몰드로 사용하였으며, 이러한 PDMS mold는 노광 기술과 반응성 이온 식각을 이용하여 제작된 master mold로 부터 복제되었다. 제작된 sol을 Si wafer에 spin coating하여 넓게 도포한 후, wafer위에 PDMS mold를 밀착 시킨다. 이후, 5 bar의 압력과 $200^{\circ}C$의 온도에서 나노 임프린트 리소그래피 공정을 진행하여 $TiO_2$ gel 패턴을 형성한다. gel 상태의 $TiO_2$ 패턴을 anealing 공정을 통해 다결정질 TiO2 나노 패턴으로 제작하였다. 제작된 패턴을 scanning electron microscope(SEM)를 이용하여 확인하고, XRD 및 EDX를 이용하여 분석하였다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.3 no.2
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• pp.126-130
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• 2002

This paper presents the basic concept of new solid freeform fabrication system using rapid prototyping method. The system could fabricate an arbitrary ceramic form by laser cutting, transferring, stacking, and sintering of each slide. The system consists mainly of laser apparatus. X-Y table, a slide transferring system, and electric oven. The system could fabricate an object that has smooth surface with comparatively short period of time. The system is effective in terms of its direct fabrication capability without second mechanical process. The fabricated shape could directly be used as part of a whole assembly and therefore its method could be applied to various application areas.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.185-185
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• 2010

유기물과 무기물이 혼합된 나노 복합재료는 저전력 동작을 요구하는 휘어짐이 가능한 차세대 전자소자 응용에 대단히 유용한 소재이다. 간단하고 저렴한 제조 공정과 휘어짐이 가능한 유기물과 무기물이 혼합된 나노 복합재료를 사용한 비휘발성 메모리 소자의 제작과 전기적 특성은 연구되었다. 최근에 간단한 방법으로 고집적화된 휘어짐이 가능한 유기 쌍안정성 소자의 제작에 대한 연구가 진행되고 있다. 그러나 유기 쌍안정 소자의 기억 메커니즘에 대한 연구는 비교적 적게 연구되었다. 유기 쌍안정성 소자의 기억 메커니즘에 대한 연구는 효율과 신뢰성을 증진하기 위하여 대단히 중요하다. 본 연구에서는 polymethyl methacrylate (PMMA) 층에 콜로이드 ZnO 양자점을 혼합하여 제작한 유기 쌍안정성 소자의 전기적 성질과 기억 메커니즘에 대한 것을 연구하였다. 본 연구에 사용된 콜로이드 ZnO 양자점은 dimethylformamide를 사용한 환원법을 이용하여 제작하였다. 소자를 제작하기 위하여 PMMA에 대한 콜로이드 ZnO 양자점의 조성비가 1.5 wt% 가 되도록 dimethylformamide에 녹여 혼합한 용액을 하부 전극인 ITO가 증착된 유리기판위에 스핀코팅 방법을 이용하여 박막을 형성하였다. 콜로이드 ZnO 양자점을 포함한 PMMA 박막위에 상부전극으로 Al을 증착하였다. 복합 소재에 대한 투과 전자 현미경 상은 콜로이드 ZnO 양자점이 PMMA 층 안에 형성되어 있음을 보여주었다. 측정된 전류-전압(I-V) 특성은 쌍안정성 특성을 나타내었으며 이 결과는 콜로이드 ZnO 양자점에서 전하 포획, 저장과 방출 과정에 의한 것이다. 콜로이드 ZnO 양자점을 포함한 PMMA 박막을 저장 영역으로 사용한 유기 쌍안정성 소자의 I-V 측정결과를 바탕으로 전하 수송 모델과 전자적 구조를 사용하여 기억 메커니즘을 논하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.217-217
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• 2010

유기물/무기물 나노 복합재료는 고온과 저전력에서 동작해야하는 차세대 전자 소자와 광소자 제작에 대단히 유용한 소재이다. 간단하고 저렴한 제조 방법과 휘어짐이 가능한 특성을 이용하여 유기물/무기물 나노 복합재료를 사용한 비휘발성 메모리 소자의 제작과 메모리 특성에 대한 연구가 수행되었으나, SnO2 나노 입자가 삽입된 고분자 박막을 기반으로 제작한 저항 구조의 비휘발성 메모리 소자인 유기 쌍안정성 소자에 대한 연구는 상대적으로 미흡하다. 본 연구에서는 poly(methyl methacrylate) (PMMA) 박막 안에 분산된 SnO2 나노 입자를 사용하여 제작한 유기 쌍안정성 소자의 메모리 특성을 관찰하였다. 소자를 제작하기 위해 나노 입자의 전구체인 Tin 2-ethylhexanoate을 dibutyl ether에 용해시킨 후, 화학적 방법을 사용하여 용매 안에서 SnO2 나노 입자를 합성하였다. 합성한 SnO2 나노 입자와 PMMA를 클로로벤젠에 용해하여 고분자 용액을 제작하였다. 전극인 indium-tin-oxide가 증착된 유리 기판 위에 제작한 고분자 용액을 스핀 코팅하고, 열을 가해 용매를 제거하여 SnO2 나노 입자가 분산되어 있는 PMMA 나노복합체를 형성하였다. 그 위에 Al 전극을 증착하여 유기 쌍안정성 소자를 완성하였다. 제작된 소자에 전압을 인가하여 전류를 측정한 결과 유기 쌍안정성 소자에서는 동일 전압에서 높은 전류 (ON 상태)와 낮은 전류 (OFF 상태)가 흐르는 쌍안정성 특성을 나타냈다. 그러나 SnO2 나노 입자가 없는 PMMA 박막으로 형성된 소자에서는 전류-전압 측정에서 쌍안정성 특성이 나타나지 않았다. 따라서 PMMA 박막 안에 삽입된 SnO2 나노 입자가 유기 쌍안정성 소자의 메모리 효과를 나타내는 원인임을 알 수 있었다. 전류-시간 측정 결과는 소자의 ON 상태 및 OFF 상태 전류가 시간에 따른 큰 변화 없이 1000 사이클 이상 지속적으로 유지 하고 있음을 보여 줌으로써 유기 쌍안정성 소자를 장시간 사용할 수 있음을 확인시켜 주었다.

• Journal of the Korean Association of Geographic Information Studies
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• v.12 no.3
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• pp.143-151
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• 2009

Forest type map is a main forest thematic map which shows forest type, age class, diameter class and density. This map has been used as a base data in various fields such as forest policy decision-making, land suitability assessment and eco map production etc. But the existing map had many kinds of errors and no metadata because there was no standard for digital map production. On this study, we developed standard for digital forest type map production consisting of 33 unit processes including DB schema design, mapping process, quality control and metadata input process. Based on this standard, country-wide digital forest type map can be produced with consistent quality and standard metadata.

• Proceedings of the Korea Concrete Institute Conference
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• 2008.11a
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• pp.285-288
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• 2008

A model for the effective moment of inertia $I_{\epsilon}$ as expressed in Branson's equation, in which reduction of the flexural rigidity of RC beams due to cracking are aptly taken into accoun,t is presented. However, KCI Code isn`t considered tension stiffening as it is in debonding of reinforcing bar. Therefore, this equation need to set up suitable to our design Code. The experimental work consisted of casting and testing a total of 6 simply supported reinforced concrete beams and a total of 4 continuos reinforced concrete beams under two point concentrated loads. Main parameters are concrete strength, coverage, bond between concrete and reinforcing bars, are known as have an effect on deflection and tension stiffening. Every test beams had the same $250{\times}350$mm rectangular section, with a simply supported clear span of 4,400 mm and a continuos clear span of 6,500 mm. Comparison of the test results with values obtained using the KCI Code equation of the effective moment of inertia showed a noticeable difference.

• Journal of Dental Rehabilitation and Applied Science
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• v.26 no.3
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• pp.323-337
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• 2010

The objective of this study was to examine the availability of the new impression coping by comparing with conventional coping in implant pick-up impression technique. Five implant fixtures were installed on #14, 21, 23, 25, 27 in acrylic resin model. That model with 5 fixtures was standard model, which was divided 3 groups; using new flag type impression coping, conventional impression coping splinted with self-curing resin, conventional impression coping without splinting. We made metal circular cones for calculation 3-dimensional coordinates by attaching to implant fixtures or analogs. Three-dimensional relationships of each model were calculated. Data was analyzed by multiple ANOVA and Bonferroni. The accuracy of impression between using new flag type impression coping and conventional impression coping did not show differences in 3 - dimensional analysis.Within limitations of this study, the new flag type impression coping is available in implant pick-up impression technique.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.26 no.7B
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• pp.907-915
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• 2001

본 논문에서는 차세대 이동통신인 IMT-2000 (하향: 1.885GHz∼2.025GHz) 주파수대역에서 동작하는 정사각형 적층구조 마이크로스트립 안테나를 설계 및 제작 측정하였다. 송/수신 주파수대역이 서로 상이한 IMT-2000 주파수대역에서 동작하도록 하기 위해 시뮬레이터를 사용하여 이중공진 안테나를 설계하였으며 최적화된 파라미터를 가지고 실제 제작 및 측정하였다. 측정된 결과는 다음과 같다. 공진주파수는 1.8475GHz, 2.2GHz에서 각각 나타났으며 대역폭은 각각 10.2%와 7.8%에 이르는 결과를 얻었다. 그리고 반사계수는 -18dB, -27dB로 나타났다. 이득은 시뮬레이터를 이용한 결과를 보면 8dB∼10dB의 높은 이득을 얻을 수 있음을 알 수가 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.323-323
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• 2016

솔루션 공정을 이용하여 제작된 유기물 나노 입자를 포함한 유기물 나노 복합재료를 기반으로 제작한 비휘발성 메모리 소자들은 저렴한 가격, 간단한 공정, 저전력 소비의 장점으로 차세대 메모리 소자로서 많은 연구가 진행 되고 있다. 비휘발성 메모리 소자는 poly(3-hexylthiophene) (P3HT) 층과 polymethylsilsesquioxane (PMSSQ)와 graphene quantum dots (GQD)를 혼합한 층을 사용 하여 구성하였다. 세척된 indium-tin-oxide (ITO) 기판 위에 혼합된 PMSSQ/GQD를 스핀코팅 방법으로 증착한 후 열처리 하였다. Chlorobenzene 속에서 혼합된 P3HT를 스핀코팅 방법으로 증착한 후 열처리 하였다. 알루미늄 전극을 상부 전극으로 증착하였다. 제작된 소자의 300 K에서의 전류-전압을 측정 결과는 윈도우 마진이 크게 나오는 것을 알 수 있었다. 누설전류의 감소와 내구성 및 유지성에 대한 성질을 특정한 결과 소자가 안정적으로 동작하는 것을 확인할 수 있었다.