Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Design Fabrication and Operation of the 16$\times$16 charge Coupled Area Image Sensor Using Double Polysilicon Gates

다결정 실리콘 이중전극 구조를 이용한 16$\times$16 이차원 전하결합 영상감지소자의 설계, 제작 및 동작

  • Jeong, Ji-Chae (Semiconductor Materials Lab. Korea Institute of Science & Technology) ;
  • O, Chun-Sik (Dept. of Electrical Eng. and Electronic Eng., Korea advanced Institute of Science and Technology) ;
  • Kim, Chung-Gi
  • 정지채 (한국과학기술원 반도체 재료연구실) ;
  • 오춘식 (한국과학기술원 전기 및 전자공학과) ;
  • 김충기
  • Published : 1985.05.01
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Abstract

A charge-coupled device (CCD) area image sensor has been demonstrated with an experi-mental 16$\times$16 prototype. The prototype is a vertical frame transfer charge.coupled imager using two-phase gate electrode structures. In this device, ion-implanted barriers are used for two -phase CCD, and NMOS process has been adopted. The total imaging setup consisting of optical lens, clock generators, clock drivels, staircase signal generators, and oscilloscope is easily achieved with the aid of PROM . English alphabets are displayed on the oscilloscope screen using the total imaging set-up. We measure charge transfer inefficiency and dark current for the fabricated devices.

전하 결함 소자를 이용한 16×16 이차원 영상 감지 소자가 제작되었다. 제작된 소자는 2상(two-Phase)의 전극 구조로 제작 되었고 프레임 이동(frame transfer) 방식으로 동작한다. 표면 전위차를 얻기위해 이온 주입을 했고 NMOS공정을 따라 제작되었다. 영상을 얻기위한 시스템은 광학 렌즈 클럭 발생 및 구동 회로, 계단형 신호 발생기로 이루어지는데, EPROM을 사용하여 클럭 발생회로를 간단하게 하였다. 영상 시스템을 사용하여 오실로스코프 화면에 알파베트를 표시할 수 있었다. 소자의 특성으로 전하 이동 손실률과 암전류를 측정하였다.

Keywords