• Title/Summary/Keyword: 정전 소자

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Electrical characteristics of 4H-SiC MIS Capacitors With Ni/CNT/SiO2 Structure (Ni/CNT/SiO2 구조의 4H-SiC MIS 캐패시터의 전기적 특성)

  • Lee, Taeseop;Koo, Sang-Mo
    • Journal of IKEEE
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    • v.18 no.4
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    • pp.620-624
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    • 2014
  • In this study, the electrical characteristics of Ni/CNT/$SiO_2$ structures were investigated in order to analyze the mechanism of carbon nanotubes in 4H-SiC MIS device structures. We fabricated 4H-SiC MIS capacitors with or without carbon nanotubes. Carbon nanotubes were dispersed by isopropyl alcohol. The capacitance-voltage (C-V) is characterized at 300 to 500K. The experimental flat-band voltage ($V_{FB}$) shift was positive. Near-interface trapped charge density and oxide trapped charge density values of Ni/CNT/$SiO_2$ structure were less than values of reference samples. With increasing temperature, the flat-band voltage was negative. It has been found that its oxide quality is related to charge carriers or defect states in the interface of 4H-SiC MIS capacitors. Gate characteristics of 4H-SiC MIS capacitors can be controlled by carbon nanotubes between Ni and $SiO_2$.

코어-쉘 나노 입자를 포함한 고분자 나노복합체를 사용하여 제작한 비휘발성 메모리의 쉘에 의한 메모리 특성 변화

  • Lee, Min-Ho;Yun, Dong-Yeol;Jeong, Jae-Hun;Kim, Tae-Hwan;Yu, Ui-Deok;Kim, Sang-Uk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.218-218
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    • 2010
  • 유기물과 무기물이 결합한 유기물/무기물 나노복합체는 차세대 전자 소자 제작에 있어 저전력 및 높은 생산성으로 인해 유용한 소재로 각광받고 있다. 유기물/무기물 나노복합체에 사용되는 물질 중에서 코어-쉘 구조의 나노 입자를 사용한 나노복합체는 나노 입자의 쉘에 의한 메모리 특성의 변화로 인해 차세대 메모리 소자에 응용하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 코어-쉘 나노 입자가 분산되어 삽입된 고분자 박막 구조를 사용한 비휘발성 메모리의 쉘에 의한 메모리 특성 변화에 대한 연구는 비교적 미미하다. 본 연구에서는 CdTe-CdSe 나노 입자가 Poly(9-vinylcarbazol) (PVK) 박막에 분산된 구조를 기억층으로 사용하는 비휘발성 메모리 소자의 제작과 CdSe 쉘 층에 의한 메모리 특성의 변화에 대한 관찰을 수행하였다. 코어-쉘 나노입자에서 쉘의 역할을 알기 위하여 CdTe-CdSe 나노 입자와 CdTe 나노 입자를 각각 PVK에 톨루엔을 사용하여 녹여 나노 입자가 분산된 용액들을 제작하였다. 두 용액을 p-Si 기판 위에 스핀 코팅으로 도포한 후에 열을 가해 나노복합체를 형성하고 Al을 게이트 전극으로 증착한다. 제작된 두 가지 Al/CdTe-CdSe나노 입자+PVK/p-Si 소자와 Al/CdTe나노 입자+PVK/p-Si 소자는 정전용량-전압 (C-V) 측정 결과 히스테리시스 특성이 관찰되었다. CdTe-CdSe 나노 입자를 포함한 소자의 C-V 곡선의 flatband voltage shift는 0.5 V이고, CdTe 나노입자를 포함한 소자의 C-V 곡선의 flatband voltage shift는 1.1 V이다. CdTe-CdSe 나노 입자가 포함된 소자와 CdTe 나노 입자가 포함된 소자의 flatband voltage shift의 차이가 나타나는 원인에 대하여 에너지 밴드 대역도를 사용하여 설명하였다. 본 연구결과는 코어-쉘 나노 입자를 사용하는 비휘발성 메모리 소자에서 쉘에 의한 메모리 특성 변화에 대한 정보를 제공할 것이다.

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Accurate Extraction of the Effective Channel Length of MOSFET Using Capacitance Voltage Method (Capacitance - Voltage 방법을 이용한 MOSFET의 유효 채널 길이 추출)

  • 김용구;지희환;한인식;박성형;이희덕
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.41 no.7
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    • pp.1-6
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    • 2004
  • For MOSFET devices with nanometer range gate length, accurate extraction of effective gate length is highly important because transistor characteristics become very sensitive to effective channel length. In this paper, we propose a new approach to extract the effective channel length of nanometer range MOSFET by Capacitance Voltage(C-V) method. The effective channel length is extracted using gate to source/drain capacitance( $C_{gsd}$). It is shown that 1/$\beta$ method, Terada method and other C-V method are inadequate to extract the accurate effective channel length. Therefore, the proposed method is highly effective for extraction of effective channel length of 100nm CMOSFETs.s.

정전기수력학 인쇄방법에 있어서 잉크 액적의 전하량 및 인가 전기장에 따른 거동 연구

  • Lee, Hyeon-Ju;Lee, Gyeong-Il;Lee, Cheol-Seung;Kim, Seon-Min;Kim, Seong-Hyeon;Byeon, Sang-Eon;Jo, Jin-U;Choe, Yeong-Jin
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.187-187
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    • 2011
  • 최근 디스플레이 산업과 태양전지 등의 이차 전지 산업이 발달함에 따라 원가절감과 공정단계의 단순화를 위하여 다이렉트 패터닝 인쇄에 대한 연구가 관심을 받고 있으며, 나노전자부품 제작이 요구되는 전기/전자 소자들은 수백 nm에서부터 수십 ${\mu}$m 수준까지 다양한 해상도의 패턴으로 구성되므로 미세패턴이 가능한 정전수력학 잉크젯프린팅 방식은 기존의 인쇄 방식과 달리, 정전기력을 이용하여 인쇄를 하는 방식으로, 수KV의 고전압을 인가하여 잉크를 대전시키고, 대전된 잉크는 대부의 전기적 반발력에 의해 액적이나 액실로 분열하게 된다. 전하를 띤 액적 또는 액실은 정전기력을 받아 기판 쪽으로 이동을 하게 되는데, 이때 액적의 전하량에 의해 액적의 이동속도와 이동경로가 영향을 받게 된다. 본 연구에서는 잉크의 전기전도도에 따른 액적의 전하량을 계산하여 전기전도도와 액적의 전하량과의 관계를 ANASYS 시뮬레이션과 운동경로 분석을 통해 확인하였다. 전기전도도가 0.307s/m~5.6s/m인 잉크에 따른 액적의 전하량을 계산하였으며, 전기전도도가 변화에 따라. 전하량이 $0.5{\times}10^{-13}C{\sim}2.5{\times}10^{-13}C$ 으로 변화하는 것을 확인하였다.

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인체친화적 $CuInS_2$-ZnS 코어-쉘 나노입자가를 포함한 Poly(methylmethacrylate) 박막을 사용하여 제작한 비휘발성 메모리 소자에 대한 전기적 안정성

  • Yun, Dong-Yeol;Kim, Tae-Hwan;Kim, Seong-U;Kim, Sang-Uk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.336-336
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    • 2012
  • 유기물/무기물 하이브리드 나노 복합체를 사용하여 제작한 비휘발성 유기 메모리 소자는 공정의 간편성과 휘어짐이 가능한 장점을 가지고 있어 많은 연구가 활발히 진행되고 있으나 대부분의 좋은 전기적 성능을 갖는 소자에 포함되는 나노 입자는 독성을 가지거나 가격이 비싸다는 단점을 갖고 있다. 인체진화적이며 가격이 저렴한 나노입자를 이용한 비휘발성 메모리 소자에 대한 전기적 성능의 안정성에 대한 연구는 미미한 상황이다. 이에 본 연구에서는 인체친화적 $CuInS_2(CIS)$-ZnS 코어-쉘 나노 입자가 분산되어 있는 poly (methylmethacrylate) (PMMA) 박막을 사용하여 비휘발성 메모리 소자를 제작하여 전기적 성능과 안정성에 대한 연구를 하였다. 인체친화적 CIS-ZnS 나노입자를 포함한 PMMA 용액을 Al 하부전극을 가진 p-Si (100) 기판 위에 스핀코팅 방법으로 균일하게 도포 하였다. 남아 있는 용매를 완전히 제거하기 위해 열을 가해 CIS-ZnS 나노입자가 분산되어 있는 PMMA 나노 복합체를 형성하였다. CIS-ZnS 나노입자를 포함한 PMMA 박막 위에 금속 마스크를 사용하여 Al 상부전극을 열 증착 방법으로 형성하여 비휘발성 메모리 소자를 완성하였다. 정전용량-전압 (C-V) 측정을 하여 평탄 전압 이동을 관찰하였고, CIS-ZnS 나노입자의 역할을 알아보기 위해 나노입자가 없는 PMMA 박막을 갖는 소자를 제작하여 동일한 조건에서 C-V 측정을 하였다. 소자의 안정성을 알아보기 위해 평탄 전압-유지 시간 (Vth-t) 측정을 수행하였다. Vth-t 측정은 CIS-ZnS 나노입자가 전하 포획 장소로 사용할 수 있는 것과 전기적 안정성을 갖고 있는 것을 확인하였다. C-V와 Vth-t 측정결과 및 에너지 대역도를 사용하여 CIS-ZnS 나노입자가 분산되어 있는 PMMA 박막을 포함한 나노 복합체를 사용하여 제작한 이용한 비휘발성 메모리 소자에서 전하수송 메커니즘을 설명하였다.

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Capacitor-Diode Current-Balancing Circuit for Multi-Channel LED Backlight System (다중채널 LED 백라이트를 위한 Capacitor-Diode 전류평형 회로)

  • Park, Sung-Han;Jung, Young-Jin;Hong, Sung-Soo;Han, Sang-Kyoo
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2011.07a
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    • pp.222-223
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    • 2011
  • 최근 저전력 소모와 얇은 두께, 무 수은, 다양한 색 표현력, 빠른 응답 속도 등의 다양한 장점을 가진 LED(Light Emitting Diode)를 광원으로 이용하는 LCD(Liquid Crystal Display) TV가 큰 주목을 받고 있다. 이러한 LCD TV의 화면을 균등한 휘도로 표현하기 위해 기존의 구동회로는 다 채널의 LED를 정전류로 제어하는 DC/DC 컨버터가 채널마다 각각 적용되었고, 이는 원가 상승 및 효율 저하의 원인이 되었다. 이를 해결하기 위하여 본 논문에서는 각 LED 채널에 적용되는 DC/DC 컨버터 없이 트랜스포머, 커패시터, 다이오드를 이용하여 모든 LED 채널의 정전류 제어가 가능한 저가격형 구동회로를 제안한다. 이는 전력변환 효율과 전력밀도를 획기적으로 개선할 수 있고 수동소자만을 사용하므로 높은 신뢰성을 확보할 수 있다. 본 논문에서는 제안된 회로에 대한 이론적 해석과 실험을 통해 제안 회로의 타당성을 검증한다.

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Evaluation of Crosstalk-Induced Variation of Interconnect Capacitance for High Speed Semiconductor Devices (고속 반도체 소자에서 배선 간의 Crosstalk에 의한 Capacitance 변화 평가)

  • 이희덕;김용구;박성형
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 2003.07b
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    • pp.1225-1228
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    • 2003
  • 본 논문에서는 Coupling capacitance 변화량이 Static coupling capacitance 값보다 클 수 있다는 것을 새로운 테스트 회로를 이용하여 실험적으로 증명하였다. 테스트 회로는 배선의 지연시간이 배선의 저항보다는 배선의 정전용량에만 의존하도록 하여 배선의 지연시간을 평가함으로써 배선의 정전용량의 변화 즉, Coupling capacitance 의 변화량을 정확히 평가할 수 있도록 하였다. 0.15 ㎛ CMOS 기술을 이용하여 실험한 결과 In-phase crosstalk 인 경우에는 변화량이 Static coupling capacitance 보다 작았지만 Anti-phase 인 경우에는 Static coupling capacitance 보다 크게 나타남을 보여주고 있다. 따라서 배선에 의한 정확한 지연시간 평가를 위해서는 Crosstalk 이 발생한 경우의 Coupling capacitance 변화량을 정확히 반영하는 것이 매우 필요함을 알 수 있다.

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A study of the formation of the liner $\lambda$-DNA bridge using the electrostatic interactions on the gold nanoelectrodes (금 나노 전극위에 정전기적 상호작용을 이용한 선형 $\lambda$-DNA 브리지 형성에 관한 연구)

  • Kim, Hyung-Jin;Yi, In-Sun;Roh, Yong-Han;Hong, Byung-You
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2004.04b
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    • pp.64-67
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    • 2004
  • 본 논문에서는 DNA를 이용한 나노 소자에 응용하기 위하여, photo-lithograpy를 사용하여 나노크기(<100)의 간격을 갖는 금 전극을 제작하였다. 그리고 제작되어진 되어진 나노 전극위에 2-Amino ethanthiol(AET)를 코팅하여 AET와 $\lambda$-DNA 사이의 정전기적 상호 작용을 이용, 금 나노전극 사이에 간단하고 고착율을 높이는 실험을 하였다. SEM(Scanning Electron Microscope) 분석을 통해 나노 크기의 전극 간격을 확인하였고, 두 전극사이에 연결되어진 $\lambda$-DNA는 AFM(Atomic force microscope)을 확인하였다.

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Design and Implementation of High Efficiency 3.3kW On-Board Battery Charger for Electric Vehicle (전기자동차용 고효율 3.3kW On-Board 배터리 충전기 설계 및 제작)

  • Kim, Jong-Soo;Choe, Gyu-Yeong;Jung, Hye-Man;Lee, Byoung-Kuk;Cho, Young-Jin
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2010.07a
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    • pp.190-191
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    • 2010
  • 본 논문은 전기자동차 (Electric Vehicles, EVs) 및 플러그인 하이브리드 자동차 (Plug-In Hybrid Electric Vehicles, PHEVs)용 리튬 이온 (Li-Ion) 배터리 충전을 위한 3.3 kW급 차량 탑재형 (On-Board) 충전기 하드웨어의 설계 및 제작에 대하여 기술한다. 차량 실장 특성을 고려하여 부하직렬공진형 dc-dc 컨버터를 적용하고, 80-130kHz의 고주파 스위칭 및 ZVS (Sero-Voltage Switching) 기법을 통해 수동소자의 크기를 최적화하여 5.84L, 5.8kg의 저부피, 경량을 달성한다. 전자부하를 대상으로 정전류 (Continuous Current, CC) 및 정전압 (Continuous Voltage, CV) 제어를 수행하여 93%의 고효율 획득 및 성능을 검증한다.

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CC-CV Optimization for 3-Phase Full-Bridge Converter for Battery Pack Testing System (배터리 팩 시험기 용 3상 양방향 풀브릿지 컨버터 CC-CV 제어 최적 설계)

  • Kwon, Yong-Hoon;seong, Ho-Jae;Hyun, Seung-Wook;Won, Chung-Yuen
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2017.07a
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    • pp.443-444
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    • 2017
  • 본 논문에서는 배터리 팩 시험기에 사용되는 토폴로지인 3상 양방향 풀 브릿지 컨버터의 CC-CV 최적 설계에 대해 제안한다. 대용량 배터리 팩 시험기를 구성하는 소자들은 높은 정격이 요구되고 그에 따라 부피가 커지는 단점이 있다. 이러한 단점을 3상 양방향 풀 브릿지 컨버터를 사용하여 보완을 할 수 있지만 까다로운 회로 해석이 요구된다. 이 배터리 팩 시험기에 사용되는 복잡한 토폴로지를 스위칭 방식에 따라 간단하게 모델링하고, 그에 맞게 정전류 및 정전압 제어 시뮬레이션을 수행하여 얻은 결과를 통해 타당성을 검증하였다.

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