• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.174-175
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• 1998

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.11-11
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• 2004

나노기술은 크게 2가지 접근방법을 가진다. 하나는 위에서 아래로(Top-Down)라는 관점으로 벌크물질로부터 이온빔 등을 이용해 이를 작게 잘라가는 방식이며, 다른 하나는 아래에서 위로(Bottom-Up) 방식으로 재질을 구성하는 분자를 재구성해 원하는 물성 및 특성을 가지도록 만드는 방법이다. 이 두 가지 접근 방법은 원하는 결과를 얻기 위해 상호 보완적으로 사용되기도 한다. Top-Down방식의 대표적인 기기로는 접속이온빔 장치(FIB, Focused Ion Beam)를 등 수 있으며, Bottom-Up방식의 대표적인 기기로는 SPM(Scanning Probe Microscope)을 들 수 있다.(중략)

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1992.05a
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• pp.72-72
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• 1992

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1995.02a
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• pp.0107-108
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• 1995

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1992.05a
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• pp.71-71
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• 1992

• ETRI Journal
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• v.11 no.1
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• pp.75-88
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• 1989

액체금속 이온원에서 추출된 이온빔을 웨이퍼 위에 접속하기 위한 이온광학계에 있어서 축대칭 판형 전극의 전위분포를 계산하는 해석적인 방법을 제시하였다. 이 방법은 이온궤적, 수차 및 이온빔 직경등의 광학 특성을 보다 빠르게 계산할 수 있는 computer code의 개발에 이용되었다. 계산된 광학특성은 Burghard의 결과와 잘 일치하였으며, 기존의 Orloff.lens,Kurihara lens의 aperture 직경을 변화시켜 색수차를 줄이면 이온빔의 직경이 20% 정도 감소되었다. 또한 두개의 렌즈로 이루어진 이온광학계에 대한 전산모사를 통하여 일반적으로 collimated mode가 crossovered mode에 비해 작은 빔직경을 가지며, 5KeV, 50keV의 빔에너지에서 각각 Orloff lens/Orloff-reversed lens, Kurihara lens/Orloff-reversed lens로 조합된 경우가 빔직경의 관점에서 유리함을 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.28 no.1
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• pp.19-23
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• 2011

Recently, focused ion beam (FIB) applications have been investigated for the modification of VLSI circuit, the MEMS processing, and the localized ion doping, A multi aperture FIB system has been introduced as the demands of FIB applications for high speed and large area processing increase. A liquid metal ion source has problems, a large angular divergence and a metal contamination into a substrate. In this study, a gas ion source was introduced to replace a liquid metal ion source. The gas ion source generated inductively coupled plasma (ICP) in a quartz tube (diameter: 45 mm). Ar gas fed into the quartz was ionized by a 2 turned radio frequency antenna. The Ar ions were extracted by 2 extraction grids. The maximum extraction voltage was 10 kV. A numerical simulation was used to optimize the design of extraction grids and to predict an ion trajectory. As a result, the maximum ion current density was 38 $mA/cm^2$ and the spread of ion energy was 1.6 % for the extraction voltage.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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• v.50 no.1
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• pp.6-10
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• 2001

In this study, we investigated the optical properties of sub-wavelength a-Si thin film transmission gratings, especially the polarization effect, the phase difference and the birefringence by using linearly polarized He-Ne laser beam (632.8nm). The a-Si transmission grating of the thickness $of < 0.1 \mum$ with four-type period($\Lambda = 0.4 \mum and 0.6 \mum$ for sub-wavelength and $\Lambda = 1.0 \mum and 1.4 \mum$ for above-wavelength) on quartz substrates have been fabricated using 50 KeV Ga+ Focused-Ion-Beam(FIB) Milling and $CF_4$Reactive-Ion-Etching(RIE) method. Finally, we obtained the trating array of a-Si thin film with a period $0.4 \mum, 0.6 \mum, 1.0 \mum, 1.4 \mum$ which have nearly equal finger spacing and width, sucessfully. Especially, for gratings with $\Lambda = 0.6 \mum(linewidth=0.25 \mum, linespace=0.35\mum), the \etamax at \theta_в=17.0^{\circ}$ is estimated to be 96%. As the results, we believe that the sub-wavelength grating arrayed a-Si thin film has the applicability as the optical device and components.