• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1992.11a
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• pp.123-127
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• 1992

When MOS devices is exposed to radiation, radiation effects of P-type MOS capacitor can cause modulation and/or degradation in devices characteristics and its operating life. The oxide layer is grown in $O_2$+T.C.E. and its thickness ranges from 40 to 80 nm. Irradiations on MOS capacitor were performed by Cobalt-60 gamma ray source and total dose ranges from $10^4$ to $10^8$ rads. The radiation effect on electrical conduction characteristics(I-V) in MOS capacitor was measured as a function of gate oxide thickness and total dose. From the experimental result, I-V characteristics is found to be influenced strongly by total dose in irradiated p-type MOS capacitors. The ohmic current is dependant on of total dose in irradiated P-type MOS capacitors. This results are explained using surface states at interface radiation-induced traps.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.02a
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• pp.312-313
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• 2000

공간솔리톤(spatial soliton)은 빔이 매질을 진행할 때 자기집속 효과(self-focusing effect) 와 자기확산 효과(self-defocusing effect)에 의해서 회절이 보상되어 형성된다. Kerr 매질에서는 굴절률의 변화가 빔의 세기에 비례하하므로 솔리톤을 발생시키기 위해서는 수 MW/$ extrm{cm}^2$ 이상인 빔의 세기가 요구된다. 광굴절 매질은 광굴절효과에 의해서 굴절률의 변화로 공간솔리톤을 발생시킨다. 비균일한 빔이 매질에 입사되면 전도대로 여기된 free carrier가 분포 차이에 의해서 확산이 일어나게 된다. 그리고 외부에서 걸어준 전기장 및 광기전력 효과로 인한 drift가 일어나게 되고 이것에 의해 생긴 공간 전하장(space charge field)에 의하여 굴절률의 변화가 생긴다. (중략)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.218-218
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• 2010

기존의 비휘발성 메모리 소자는 터널 절연막으로 $SiO_2$ 단일 절연막을 이용하였다. 그러나 소자의 축소화와 함께 비휘발성 메모리 소자의 동작 전압을 낮추기 위해서 $SiO_2$ 단일 절연막의 두께도 감소 시켜야만 하였다. 하지만 $SiO_2$ 단일 절연막의 두께 감소에 따라, 메모리의 동작 횟수와 데이터 보존 시간의 감소등의 문제점들로 인해 기술적인 한계점에 이르렀다. 이러한 문제점들을 해결하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있는 가운데, 최근 high-k 물질을 기반으로 하는 Tunnel Barrier Engineered (TEB) 기술이 주목 받고 있다. TBE 기술이란, 터널 절연막을 위해 서로 다른 유전율을 갖는 유전체를 적층함으로써 쓰기/지우기 속도의 향상과 함께, 물리적인 두께 증가로 인한 데이터 보존 시간을 향상 시킬 수 있는 기술이다. 따라서, 본 연구에서는 적층된 터널 절연막에 이용되는 $HfO_2$를 FGA (Forming Gas Annealing)와 RTA (Rapid Thermal Annealing) 공정에 의한 열처리 효과를 알아보기 위해, 온도에 따른 전기적인 특성을 MIS-Capacitor 제작을 통하여 분석하였다. 이를 위해 먼저 Si 기판 위에 $SiO_2$를 약 3 nm 성장시킨 후, $HfO_2$를 Atomic Layer Deposition (ALD) 방법으로 약 8 nm를 증착 하였고, Aluminum을 약 150 nm 증착 하여 게이트 전극으로 이용하였다. 이를 C-V와 I-V 특성을 이용하여 분석함으로 써, 열처리 공정을 통한 $HfO_2$의 터널 절연막 특성이 향상됨을 확인 하였다. 특히, $450^{\circ}C$ $H_2/N_2$(98%/2%) 분위기에서 진행한 FGA 공정은 $HfO_2$의 전하 트랩핑 현상을 줄일 뿐 만 아니라, 낮은 전계에서는 낮은 누설 전류를, 높은 전계에서는 높은 터널링 전류가 흐르는 것을 확인 하였다. 이와 같은 전압에 대한 터널링 전류의 민감도의 향상은 비휘발성 메모리 소자의 쓰기/지우기 특성을 개선할 수 있음을 의미한다. 반면 $N_2$ 분위기에서 실시한 RTA 공정에서는, 전하 트랩핑 현상은 감소 하였지만 FGA 공정 후 보다는 전하 트랩핑 현상이 더 크게 나타났다. 따라서, 적층된 터널 절연막은 적절한 열처리 공정을 통하여 비휘발성 메모리 소자의 성능을 향상 시킬 수 있음이 기대된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.148-148
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• 2010

플래시 메모리로 대표되는 비휘발성 메모리는 IT 기술의 발달에 힘입어 급격한 성장세를 나타내고 있지만, 메모리 소자의 크기가 작아짐에 따라서 그 물리적 한계에 이르러 차세대 메모리에 대한 요구가 점차 높아지고 있는 실정이다. 따라서, 이러한 문제점에 대한 대안으로서 고속 동작 및 정보의 저장 시간을 향상 시킬 수 있는 nano-floating gate memory (NFGM)가 제안되었다. Nano-floating gate에서 사용되는 nanocrystal (NCs) 중에서 Si nanocrystal은 비휘발성 메모리뿐만 아니라 발광 소자 및 태양 전지 등의 매우 다양한 분야에 광범위하게 응용되고 있지만, NCs의 크기와 밀도를 제어하는 것이 가장 중요한 문제로 이를 해결하기 위해서 많은 연구가 진행되고 있다. 또한, 소자의 소형화가 이루어지면서 기존의 플래시 메모리 한계를 극복하기 위해서 터널베리어에 관한 관심이 크게 증가했다. 특히, 최근에 많은 주목을 받고 있는 개량형 터널베리어는 크게 VARIOT (VARIable Oxide Thickness) barrier와 CRESTED barrier의 두 가지 종류가 제안되어 있다. VARIOT의 경우에는 매우 얇은 두께의low-k/high-k/low-k 의 적층구조를 가지며, CRESTED barrier의 경우에는 반대의 적층구조를 가진다. 이와 같은 개량형 터널 베리어는 전계에 대한 터널링 전류의 감도를 증가시켜서 쓰기/지우기 특성을 향상시키며, 물리적인 절연막 두께의 증가로 인해 데이터 보존 시간의 향상을 달성할 수 있다. 본 연구에서는 박막의 $SiO_2$와 $Si_3N_4$를 적층한 VARIOT 타입의 개량형 터널 절연막 위에 전하 축적층으로 $SiN_x$층의 내부에 Si-NCs를 갖는 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. Si-NCs를 갖지 않는 $SiN_x$전하 축적층은 Si-NCs를 갖는 전하 축적층보다 더 작은 메모리 윈도우와 열화된 데이터 보존 특성을 나타내었다. 또한, Si-NCs의 크기가 감소됨에 따라 양자 구속 효과가 증가되어 느린 지우기 속도를 보였으나, 데이터 보존 특성이 크게 향상됨을 알 수 있었다. 그러므로, NFGM의 빠른 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 특성을 동시에 만족하기 위해서는 Si-NCs의 크기 조절이 매우 중요하며, NCs크기의 최적화를 통하여 고집적/고성능의 차세대 비휘발성 메모리에 적용될 수 있을 것이라 판단된다.

• 전기의세계
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• v.42 no.4
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• pp.5-12
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• 1993

현재 우리나라 발전설비 용량은 2,100만kW에 이르나, 2001년에는 4,700만kW의 전력이 필요할 것으로 예측되며 전력수요의 급증에 따라 발전량의 증대가 불가피하고 전력의 질적 향상도 중요한 과제로 등장하고 있다. 양질의 전력공급 측면에서 정전사고가 발생시 우리 사회 전반적으로 미치는 파급효과는 막대하므로 전력설비의 보전과 절연진단 기술의 확립이 필요로 대두되고 있다. 그러므로 이에 따른 첨단 계측 기술의 도입과 컴퓨터를 이용한 - 부분방전의 계측과 해석 - 전기 TREE 시스템의 집중관리 - 절연진단 기술에의 컴퓨터의 이용 - 공간전하 분포의 측정 등의 절연진간 기술연구가 기업, 학계, 연구소 등이 공동으로 활발히 진행되고 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2005.05a
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• pp.19-23
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• 2005

새로운 address-display 중첩 구동기술을 개발하고 실험용 PDP에 적용하였다. 이 구동방식은 priming 방전을 사용하지 않으며, 공간전하를 효과적으로 이용하기 위하여 sub-field의 addressing 순서를 제어하였다. 그 결과 20V의 전화면 address 구동마진을 확보하였고, 최대 1920개의 sustain 펄스를 인가할 수 있었으며, 최대 휘도 $720cd/m^2$와 절대 흑레벨의 배경휘도와 함께 명암비 무한대를 얻었다.

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 1998.04a
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• pp.58-62
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• 1998

고분자 블렌드의 열역학적 상용성은 고분자 혼합물의 혼합 엔트로피가 무시할 수 있을 정도로 작기 때문에 성분 고분자 사이의 강한 분자간 인력에 의한 음의 값의 혼합 엔탈피에 의해서 유도되어진다. 상용성 고분자 블렌드를 얻기 위하여 도입되어질 수 있는 분자간 상호인력으로는 수소결합$^1$, 쌍극자-쌍극자 상호작용$^2$, 이온-쌍극자 상호작용$^3$, 산-염기 상호작용$^4$, 전이금속 복합체 형성$^{5}$ , 전하이동 복합체 형성$^{6}$ 등이다.(중략)

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 1998.04a
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• pp.126-129
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• 1998

전기 전도성 고분자는 전하 이동체의 종류에 따라 이온과 전자 전도성 고분자로 구분되며 전자 전도성 고분자는 절연체인 고분자에 전도체를 혼합하는 전도성복합체와 본질적으로 전도성을 갖는 고분자로 나뉘어진다. 전도성복합체는 제법이 간단하여 이미 전기ㆍ전자산업에 많이 이용되고 있지만 일정한 전도도의 유지와 가공성 향상 및 염가의 제품 제조는 아직 과제로 남아있다.(중략)

• Proceedings of the Korean Society of Fisheries Technology Conference
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• 2000.05a
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• pp.114-115
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• 2000

키토산은 자연계에 풍부하게 존재하는 천연 고분자인 키틴을 탈아세틸화하여 얻을 수 있는 biopolymer로서 고밀도의 양전하를 띤 선형의 polyelectrolyte 구조를 이루고 있으며, 식품과 관련된 기능으로는 금속, 색소 및 고분자 물질의 흡착능, 지질 및 cholesterol흡착 배설능, 항균성, 항산화성, 항돌연변이성 등이 알려져 있다. 한편, 생활수준이 향상됨에 따라 보다 신선하며 합성 방부제가 함유되어 있지 않는 식품에 대한 소비자의 선호도가 증가함으로써 최소의 방부제로 가공된 냉장식품의 유통이 증가하고 있다. (중략)

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.14 no.2
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• pp.28-31
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• 1977

Normal modes of carrier waves due to longitudinal modulation in solids have been defined. The dispersion relationship of these waves in the presence of collision effects and thermal diffusion is derived and examined in detail. It is also shown that the carrier waves are reduced to the wellknown space-charge waves and electroacoustic hayes in special cases.