• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2000.07c
• /
• pp.1830-1833
• /
• 2000

The relationships between driving voltage and the wall charge distribution in the address period of surface discharge type AC Plasma Display Panel have been investigated. The quantity of wall charge on each electrode are detected simultaneously from the electrode current after applying only one addressing discharge pulse. The wall charge Qy on the scan electrode Y is nearly the sum of Qx on the address electrode X and Qz on the sustain electrode 2. The Qy increased with the driving voltage regardless of the kind of electrode, whereas the address time Td decreased, Qz and Qy are increased considerably with the blocking voltage Vz, whereas Qx is decreased. The increase rate of Qx, Qy and Qz for increase in Vz was $-13{\times}10^{-2}$(pc/Vz), and $60{\times}10^{-2}$(pc/Vz) and $70{\times}10^{-2}$(pc/Vz), respectively.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.47 no.2
• /
• pp.1-6
• /
• 2010

We proposed a highly integrated 3-dimensional NOR Flash memory array by using vertical 4-bit SONOS NOR flash memory. This structure has a vertical channel, so it is possible to have a long enough channel without extra cell area. Therefore, we can avoid second-bit effect, short channel effect, and redistribution of injected charges. And the proposed array structure is based on three-dimensional integration. Thus, we can obtain a NOR flash memory having $1.5F^2$/bit cell size.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2011.10a
• /
• pp.888-891
• /
• 2011

In this paper, drain induced barrier lowering(DIBL) has been analyzed as one of short channel effects occurred in double gate(DG) MOSFET. The DIBL is very important short channel effects as phenomenon that barrier height becomes lower since drain voltage influences on potential barrier of source in short channel. The analytical potential distribution of Poisson equation, validated in previous papers, has been used to analyze DIBL. Since Gaussian function been used as carrier distribution for solving Poisson's equation to obtain analytical solution of potential distribution, we expect our results using this model agree with experimental results. The change of DIBL has been investigated for device parameters such as channel thickness, oxide thickness and channel doping intensity.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2003.07c
• /
• pp.1454-1456
• /
• 2003

전기절연재로서의 성능이 우수하며, 다른 물질과의 결합 및 성형의 편리성 및 경량화에 부합할 수 있는 실리콘 고무의 사용이 급증하고 있다. 이에 본 논문에서는 현수애자에 사용중인 실리콘 고무를 선택하여 제조시에 발생할 수 있는 내부보이드에 대한 전기적특성을 알아보기 위해 실리콘 고무를 3층으로 적층하여 중간층 중심에 비슷한 체적으로 인공보이드를 원통 및 삼각기등형의 보이드를 제작하여 보이드형상 변화에 따른 부분방전전하량을 측정하였다. 위상(${\Phi}$)-전하량(q)-빈도(n)에 대한 데이터를 3차원그래프로 나타냈으며, 또한 평균방전전류 및 방전전력 변화를 통한 보이드 결함 특성을 파악하였다. 그 결과, 전압인가 시간에 따라 원통보이드의 경우 초기에는 방전전류 및 방전전력이 증가 하다가 일정시간이 경과하면 감소하는 형태를 나타냈으며, 삼각기둥보이드의 경우 계속적으로 증가하는 모습을 보여주었다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.8 no.4
• /
• pp.738-742
• /
• 2007

The variations in the device characteristics of hydrogenated amorphous thin-film transistors (a-Si:H TFTs) were studied according to the processes of pixel electrode fabrication to make active-matrix flat-panel displays. The off-state current was about 1 pA and the switching ratio was over $10^6$ before fabrication of pixel electrodes; however, the off-state current increased over 10 pA after fabrication of pixel electrodes. Surface treatment on SiNx passivation layers using plasma could improve the off-state characteristics after pixel electrode process. $N_2$ plasma treatment gave the best result. Charge accumulation on the SiNx passivation layer during the deposition of transparent conducting layer might cause the increase of off-state current after the fabrication of pixel electrodes.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.02a
• /
• pp.186-186
• /
• 2010

액정디스플레이, 유기발광소자 및 태양전지에서 전도성 투명전극으로 indium-tin-oxide (ITO)가 일반적으로 많이 사용되고 있지만 인듐의 희소성과 유독성으로 인하여 ITO를 대체할 수 있는 물질에 대한 많은 연구가 현재 진행되고 있다. ITO 전극을 대체할 수 있는 물질 중에서 Al 도핑된 ZnO (AZO) 박막은 높은 전도성과 광학적 투과성 때문에 다양한 광전소자의 전극과 윈도우 물질로 많은 응용 가능성을 보여주고 있다. 본 연구에서는 여러 가지 스퍼터링 증착 조건에서 증착된 AZO 박막의 전기적특성과 광학적 특성을 조사하였다. 기준시료의 AZO 박막 증착 조건은 ZnO-2 wt.% $Al_2O_3$세라믹 타겟을 사용하였고 $250^{\circ}C$의 기판 온도에서 100 W 전력으로 5 mTorr의 진공 분위기에서 증착되었다. 최적의 AZO 박막 조건을 얻기 위해 증착 온도와 증착 챔버의 압력을 변화하면서 AZO 박막의 전기적 특성 변화와 광학적 특성 변화를 조사하였다. 4-포인트 프로브 측정과 홀 효과측정으로 각기 다른 조건에서 증착한 AZO 박막의 비저항과 전하농도 값을 비교 분석하였고 UV 스펙트로미터 측정을 통해서 AZO 박막의 투과율을 조사하였다. 스퍼터링 방법으로 증착된 AZO 박막은 높은 전도성과 광학적 투과성을 가지기 때문에 액정디스플레이, 유기발광소자 및 태양전지의 투명전극으로 사용할 수 있음을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.02a
• /
• pp.82-82
• /
• 2010

유기 쌍안정성 소자는 비휘발성 기억 소자 중에서 구조가 간단하고 제작비용이 저렴하며 유연성을 가지기 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. 현재 유기물/무기물 나노복합소재를 사용하여 소자 성능 향상이 기억소자의 성능 향상을 위하여 여러 가지 유기물/무기물 나노복합소재를 사용하여 제작한 유기 쌍안정성 소자가 유연성을 가진 비휘발성 기억소자로 대두되고 있다. 본 연구에서는 ZnO 나노입자를 포함한 PMMA 복합층을 사용하여 제작한 유기 쌍안정성 기억소자를 제작하여 메모리 특성을 조사하였다. 이와 더불어 활성층에 효과적인 전하주입을 위하여 전극과 PMMA/ZnO 층 사이에 $C_{60}$ 층을 삽입한 구조를 가진 메모리 소자의 성능 향상에 대하여 연구하였다. Indium tin oxide 가 증착된 유리 기판위에 $C_{60}$ 층을 스핀코팅 방법으로 적층하였다. 1 wt% ZnO 나노입자와 1 wt% PMMA를 혼합하여 스핀코팅 방법으로 $C_{60}$ 층 위에 박막을 형성하였다. 그리고, 전극으로 Al을 열증착으로 형성하였다. $C_{60}$ 층이 있는 유기 쌍안정성 기억 소자와 $C_{60}$ 층이 없는 두 가지의 소자에 대하여 전류-전압 (I-V) 특성을 측정하여 각각의 소자에서의 전류 히스테리시스 현상이 발생하는 원인을 규명하였다. I-V 특성 결과와 전자적 구조를 사용하여 유기 쌍안정성 소자에서의 쓰기, 지우기 및 읽기 동작에 대한 과정을 설명하였다. 두 소자의 I-V 특성을 비교하므로 $C_{60}$ 층을 사용하여 유기 쌍안정성 소자의 성능이 향상됨을 알 수 있었다. 또한 $C_{60}$ 층을 사용하여 제작된 유기 쌍안정성 소자의 성능이 향상된 원인을 규명하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.08a
• /
• pp.110-110
• /
• 2013

진공중을 전파하는 번치된 전자빔은 공간전하 효과로 빔이 퍼지게 된다. 본 연구의 중점 내용은 S-band 고주파 전자 가속기를 개발하는데 있다. 전자 가속기란 전자를 수 MeV의 에너지로 가속시키는 장치이다. 가속기의 중요한 3대 요소는 진공, 전자석, RF이다. 본 연구에서는 가속기에서 중요한 좋은 진공상태에서 좋은 전자석을 사용하여 실험하였다. S-band(2852~2860 MHz) 고주파 전자가속기의 캐비티내 전기장의 효과로 가속되는 번치된 전자빔의 집속 및 스티어링 효과를 얻기 위하여 스티어링 및 솔레노이드 전자석을 제작하여 실험에 사용하였고, 실제 빔을 인출 후 포커싱 및 스티어링 효과를 관찰 할 수 있었다.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
• /
• v.39 no.5
• /
• pp.589-595
• /
• 2022

The white OLED is fabricated with the anthracene-based blue emitting material, 9-(2-naphthyl)-10-(p-tolyl)anthracene (2-NTA) in various volume-ratios of orange dopant, rubrene, which results in pure white emission with C.I.E. coordinate of ~(0.32, 0.39). The devices with <1.5% rubrene show better EL properties (efficiency) than >3% devices. Furthermore the turn-on voltage of 2-NTA WOLED (3.7 V) is lower than that of 2-NTA blue OLED (5.4 V) at the same condition. Conclusively 2-NTA with rubrene less than 1.5% (v/v) could be utilized for the pure WOLED.

• The Korean Journal of Nuclear Medicine
• /
• v.32 no.2
• /
• pp.129-136
• /
• 1998

Purpose: Myocardial SPECT is an effective test for detecting coronary artery disease in the general population. But the diagnostic accuracy between sexes is not defined. The purpose of this study is to compare the diagnostic accuracy between males and females. Materials and Methods: One hundred and seventy seven male and 98 female patients who underwent myocardial SPECT within 1 month of coronary angiography were studied. Myocardial SPECTS were considered abnormal if fixed or reversible perfusion defects were detected. Stenosis severity of ${\geq}$ 50% luminal diameter reduction of any artery defined coronary artery disease (CAD). Results: Overall sensitivity for detection of CAD was 98% in men and 97% in women (p=not significant). However, specificities, accuracies, and positive predictive values (PPV) in men and women were 49% vs 31% (p<0.05), 81% vs 57% (p<0.01), 78% vs 48% (p<0.01), respectively. Diagnostic accuracies for detection of right coronary artery disease were not different in both sexes, however, accuracies for detection of left anterior descending artery disease and left circumflex artery disease were significantly lower in female (p<0.05). Conclusion: A significant difference of diagnostic accuracy between sexes, especially in LAD and LCx disease, was noted. Artifacts from breast attenuation might be a cause for the lower diagnostic accuracy in female.