Non-viral gene carriers continue to attract a great deal of interest due to advantageous safety profile. Among the non-viral gene carriers, cationic liposomes or synthetic gene carriers are efficient DNA carriers in vitro. but their in vivo applications are greatly hampered because of low biocompatibility. On the other hand, chitosan, a natural cationic polysaccharide, is a candidate non-viral vector for gene delivery because of its low cytotoxicity and high positive charges. In this work, targeted gene carrier was synthesized to target artery wall cells using low molecular water-soluble chitosan (LMWSC). The molecular weight $(M_W)$ and degree of de acetylation (DDA) of LMWSC were measured by relative viscometer and Kina titration. respectively. The structure of LMWSC was analyzed by measuring FTIR, $^1H-NMR,\;and\;^{13}C-NMR$. AWBP-PEG-g-LMWSC was synthesized by conjugation of the artery wall binding peptide (AWBP), a specific targeting peptide, to the end of pegylated LMWSC as a gene carrier to target artery wall cells. The synthesized AWBP-PEG-g-LMWSC were analyzed by measuring FTIR, $^1H-NMR$, zeta -potentiometer, and atomic force microscopy (AFM).
Journal of the Korean Professional Engineers Association
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v.25
no.1
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pp.112-115
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1992
Our world has become an increasingly complex place in which, as individuals, We are very dependent on other people and upon organizations. An event in some distant part of the globe can rapidly and significantly affect the quality of life in our home country. This increasing interdependence, on both a national and international scale, has led us to create systems which can respond immediately to these systems are operating all around us in military, civil, commercial and industrial fields. The electronic computre is at the heart of many such systems, but the role of telecommunications is no less important. As we proceed through the 1980s, there will be a further convergence between the technologies of computing and telecommunications. We cannot doubt that the economic and social impact of these concepts will be very significant. Already. advanced systems of communication are affecting both the layman and the technician. Complex functions are being performed by people using advanced terminals which are intended to be as easy to use as the conventional telephone.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.261-261
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2016
플래시 메모리 (flash memory)는 DRAM(dynamic racdom access memory)이나 SRAM(static random access memory)에 비해 소자의 구조가 매우 단순하기 때문에 집적도가 높아서 기기의 소형화가 가능하다는 점과 제조비용이 낮다는 장점을 가지고 있다. 또한, 전원을 차단하면 정보가 사라지는 DRAM이나 SRAM과 달리 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 지워지지 않는다는 특징을 가지고 있어서 ROM(read only memory)과 정보의 입출력이 자유로운 RAM의 장점을 동시에 가지기 때문에 활용도가 크다. 또한, 속도가 빠르고 소비전력이 작아서 USB 드라이브, 디지털 TV, 디지털 캠코더, 디지털 카메라, 휴대전화, 개인용 휴대단말기, 게임기 및 MP3 플레이어 등에 널리 사용되고 있다. 특히, 낸드(NAND)형의 플래시 메모리는 고집적이 가능하며 하드디스크를 대체할 수 있어 고집적 음성이나 화상 등의 저장용으로 많이 쓰이며 일정량의 정보를 저장해두고 작업해야 하는 휴대형 기기에도 적합하며 가격도 노어(NOR)형에 비해 저렴하다는 장점을 가진다. 최근에는 smart watch, wearable device 등과 같은 차세대 디스플레이 소자에 대한 관심이 증가함에 따라 투명하고 유연한 메모리 소자에 대한 연구가 다양하게 진행되고 있으며 유리나 플라스틱과 같은 기판 위에서 투명한 플래시 메모리를 형성하는 기술에 대한 관심이 높아지고 있다. 전하트랩형 (charge trap type) 플래시 메모리는 플로팅 게이트형 플래시 메모리와는 다르게 정보를 절연막 층에 저장하므로 인접 셀간의 간섭이나 소자의 크기를 줄일 수 있기 때문에 투명하고 유연한 메모리 소자에 적용이 가능한 차세대 플래시 메모리로 기대되고 있다. 전하트랩형 플래시메모리는 정보를 저장하기 위하여 tunneling layer, trap layer, blocking layer의 3층으로 이루어진 게이트 절연막을 가진다. 전하트랩 플래시 메모리는 게이트 전압에 따라서 채널의 전자가 tunnel layer를 통해 trap layer에 주입되어 정보를 기억하게 되는데, trap layer에 주입된 전자가 다시 채널로 빠져나가는 charge loss 현상이 큰 문제점으로 지적된다. 따라서 tunnel layer의 막질향상을 위한 다양한 열처리 방법들이 제시되고 있으며, 기존의 CTA (conventional thermal annealing) 방식은 상대적으로 높은 온도와 긴 열처리 시간을 가지고, RTA (rapid thermal annealing) 방식은 매우 높은 열처리 온도를 필요로 하기 때문에 플라스틱, 유리와 같은 다양한 기판에 적용이 어렵다. 따라서 본 연구에서는 기존의 열처리 방식보다 에너지 전달 효율이 높고, 저온공정 및 열처리 시간을 단축시킬 수 있는 마이크로웨이브 열처리(microwave irradiation, MWI)를 도입하였다. Tunneling layer, trap layer, blocking layer를 가지는 MOS capacitor 구조의 전하트랩형 플래시 메모리를 제작하여 CTA, RTA, MWI 처리를 실시한 다음, 전기적 특성을 평가하였다. 그 결과, 마이크로웨이브 열처리를 실시한 메모리 소자는 CTA 처리한 소자와 거의 동등한 정도의 우수한 전기적인 특성을 나타내는 것을 확인하였다. 따라서, MWI를 이용하면 tunnel layer의 막질을 향상시킬 뿐만 아니라, thermal budget을 크게 줄일 수 있어 차세대 투명하고 유연한 메모리 소자 제작에 큰 기여를 할 것으로 예상한다.
Kim, Jong-Il;Jeong, Jung-Hyun;Doh, Sih-Hong;Hwang, Hae-Sun;Kim, Sung-Chuel;Kim, Jung-Hwan
Journal of Sensor Science and Technology
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v.6
no.1
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pp.16-23
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1997
Bismuth germanate crystals well known as scintillator were grown by Czochralski method. In order to understand a mechanism of radiation resistance in Eu-doped BGO, we measured radiation induced-absorption spectra, excitation spectra, emission spectra and luminescence lifetimes of BGO crystals. We found that the charge transfer state of $Eu^{3+}$ ion is to play a key role to enhance the radiation resistance in BGO crystal. The $^{5}D_{0}$ emission of $Eu^{3+}$ ions that is not suitable for the radiation detectors due to a long decay time was found to be increased with increasing europium concentration. In the BGO crystal doped with 0.1 mole%, the density of radiation induced color centers was reduced about twenty times and the light output of $^{5}D_{0}$ was negligible by comparing to that of BGO.
By analyzing abstract book cover design, this study aims to examine the applicability of the semiotic methodology of Roland Barthes and to conduct a preference survey of how people would accept it. The selected books for the study are and published in Openbooks publishing company to mark the 30th anniversary of the opening. The research results are as follows. First, it was confirmed that Roland Barthes' semiotic approach is a suitable tool for identifying the symbolic phenomena of visual elements that constitute abstract book cover design. Second, people were well informed of what the abstract form of design conveys, but they showed personal differences in preference, making it difficult to achieve clear results. This study, together with the importance of the internal meaning that appears in the book cover design, gives graphic designers an indication that interaction between the communicator and the acceptor should be sought.
리튬이차전지는 양극과 음극이 충전과 방전을 반복적으로 수행할 수 있는 구조를 가지고 있으며, 전극 내에서의 이온의 삽입 및 탈리가 용이하고 이들 과정이 진행되는 동안 전극의 구조가 안정하게 유지되어야 하는 전해질은 이온의 전달을 용이하게 하여야 한다. 전지에서 전극 내로 삽입되는 이온은 집전체를 통해 전극으로 들어온 전자와 전하중성을 이루어 전극 내에 전기 에너지를 저장하는 매개체가 된다. 리튬이차전지에서 전해액은 유기 전해액이 사용되고 있으며, 유기용매에 이온원으로서 용질인 리튬염을 용해시킨 것이지만 폭 넓은 환경조건하에서도 이온의 이동을 계속적으로 원활하게 하여 실용전지로서 충분한 역할을 하도록 만드는 중요한 재료이다. 본 논문에서는 전지에서 유기 전해액의 누액이 발생시 보호회로에 미치는 영향에 대해 소개하고자 한다.
Park, Young-Hwa;Choi, See-Young;Choi, Yeong-Jun;Kim, Rae-Young
Proceedings of the KIPE Conference
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2016.07a
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pp.305-306
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2016
본 논문은 선택적 전압 균일화 기법을 이용하여 직렬 연결된 리튬 이온 배터리의 빠른 전압 균일화를 위한 새로운 능동형 셀 밸런싱 회로를 제안하였다. 제안한 회로는 다권선 변압기를 사용한 전하 균일화 회로에 인덕터 1개, MOSFET 스위치 1개를 추가한 회로 구성을 가지며, 기존의 빠른 밸런싱을 위한 회로 대비 수 배 적은 소자로 구성이 가능하다. 추가된 인덕터는 직렬 연결된 배터리 전압을 통해 빠르게 저장된 에너지를, 낮은 전압의 배터리로 높은 밸런싱 전류를 전달함으로써 배터리 셀 간의 빠른 전압 밸런싱을 구현하였다. 제안한 회로의 밸런싱 속도에 대한 검증을 위해서, PSIM Simulation을 통해 기존 회로와 비교 검증 하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.164-164
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2015
최근에 고효율의 적색 발광체를 개발하고자 무기물 모체에 다양한 활성제 이온을 주입하는 연구가 상당한 관심을 끌고 있다. 본 연구에서는 발광 효율이 높은 적색 형광체 분말을 제조하고자 두 종류의 활성제 이온 $Eu^{3+}$와 $Sm^{3+}$가 도핑된 $Y_2MoO_6$형광체 분말을 고체상태 반응법을 사용하여 전기로에서 $400^{\circ}C$에서 하소와 $1100^{\circ}C$에서 소결공정을 통하여 제조하였다. 활성제 이온의 몰 비에 따른 적색 형광체의 결정 구조, 발광과 흡광 스펙트럼을 조사하였다. 파장 299 nm로 여기 시킨 $Y_2MoO_6:Eu^{3+}$ 경우, 발광 세기가 가장 강한 611 nm의 주 피크를 방출하는 적색 스펙트럼이 관측되었으며, 함량이 0.01 mol에 0.2 mol로 증가함에 따라 611 nm의 주 적색 발광 스펙트럼의 세기가 증가하는 경향을 나타내었다. 파장 611 nm로 제어한 흡광 스펙트럼은 299 nm에 피크를 갖는 전하전달밴드 (CTB) 이었다 [그림 참조].
In order to improve the rate capability of lithium manganese oxide thin film, we prepared the patterned cathode films by conventional lithography and etching techniques. From the investigation of discharge current density effects on discharge curves of cathode films, the rate capability was greatly improved due to increase of lithium intercalation kinetics fur charge transfer.
This paper describes a 8bit 10MS/s low power pipelined analog-to-digital converter(ADC). To reduce power consumption in proposed ADC, a high gain op-amp that consumes large power in MDAC(multiplying DAC) of conventional pipelined ADC is replaced with simple comparator and current sources. Moreover, differential charge transfer amplifier technique with latch in the sub-ADC reduces the power consumption to less than half compared with the conventional sub-ADC which use high speed comparator. The proposed ADC shows the power consumption of 1.8mW at supply voltage of 1.8V. This proposed ADC is suitable to apply to the portable display device. The circuit was implemented with 0.18um CMOS technology and the core size of circuit is 2.5mm${\times}$1mm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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