• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2002.04b
• /
• pp.128-131
• /
• 2002

연성 AI 전극을 이용하여 플라스틱 기판 위에 대칭성 박막 다이오드를 제작하였다. 다이오드의 구조는 $Al/Ta_{2}O_{5}/Al$의 3층 구조로 되어 있다 상부 AI 전극 제작시 하부 AI 전극의 손상을 방지하기 위해 무(無)식각 공정을 개발, 적용하였다. AI 전극을 사용한 결과 단단한 Ta 전각에서 나타난 변형 빛 균열 문제가 해결되었다. 또한 상부 빛 하부의 대칭성 전극 구조로 제작함으로써 I-V 곡선이 완벽한 대칭형의 우수한 전기적 특성을 얻을 수 있었다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
• /
• v.26 no.2
• /
• pp.155-162
• /
• 1989

In this paper, we propose a channel router for non-rectangular channels with variable channel height and via minimization method. Non-rectangular routing areas are splitted into 3 parts, upper, lower and rectangular channel. The upper and lower parts are routed by a modified "left edge algorithm." The rectangular channel is routed by channel routing method using the channel representation graph. After routing, redundant vias are eliminated by the rules composed of 3 groups.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2005.05b
• /
• pp.50-53
• /
• 2005

우리나라 송전선로의 위치는 국토의 65%에 이른 산지에 대부분 포설되어 있기 때문에 산볼과 같은 화재가 발생시 폴리머 애자에 대한 신뢰성에 중요한 문제점을 발생시킬 수 있다. 따라서 산불의 가장자리 온도인 $600^{\circ}C$ 부근에 노출된 폴리머 애자의 재질에 대한 특성 분석을 실시하였다. 그 결과 애자의 표면은 무기물이 노출되어 다공성의 특성을 보였고, 내아크시험 결과는 하부 갓의 아크소멸 시간은 A시료는 260초, 290초였고, B시료는 335초, 336초였다. 그리고 접촉각 측정결과는 첫 번째 갓의 하부부분이 상부에 비하여 $3^{\circ}$정도 높게 나타났다.

• Proceedings of the KSR Conference
• /
• 2005.11a
• /
• pp.77-81
• /
• 2005

본 논문은 열차제어시스템의 고장률을 정량적으로 예측하고 입증하기 위한 방안을 제시한다. 고장률의 정량적 예측은 시스템 개발단계에서 하부시스템별 고장발생확률을 예측하여 목표 고장률과 비교하고, 고장률이 높은 하부시스템의 설계를 보완하기 위함이다. 시제품이 완성된 후에는 예측된 고장률의 입증을 위해 시운전을 통한 고장데이터를 분석하거나 신뢰성시험을 통해 고장률의 예측치를 입증한다. 본 논문에서 제시하는 열차제어시스템 고장률예측과 입증은 철도신호시스템 신뢰성, 가용성, 유지보수성, 안전성관련 규격인 IEC62278의 시스템 수명주기별 신뢰성활동을 근거로 하며, 전자부품으로 구성된 시스템고장률예측은 미국방부 전자부품 고장률예측 지침인 MIL-HDBK-217을 기준으로 사용하였다.

• The Korean Journal of Zoology
• /
• v.37 no.1
• /
• pp.88-96
• /
• 1994

고양이의 시상하부내 SON과 PVN에서 VP분비신경원과 OT분비신경원의 형태와 분포를 관찰하기 위해서 면역조직화학적 반응을 시행하였다. 광학 및 전자 현미경적 관찰에 의하면 VP분비신경원과 OT분비신경원의 형태 차이는 없었다. 이들의 형태는 방추형, 타원형 그리고 원형이었으며 크기는 25-40mm으로 나타났다. SON은 시삭위에 능형의 형태로 나타나고 OT분비신경원과 VP분비신경원의 비율은 1:2.4이며 PVN은 제3뇌실을 따라 삼각형 모양으로 나타나고 VP분비신경원과 OT분비신경원의 비율은 1:1.6으로 나타났다 전자현미경적 관찰에 의하면 VP분비신경원과 OT분비신경원에서 과립형질내세망, 사립체, 골지장치, 그리고 미세소관 등이 특히 잘 발달되어 있음을 관찰할 수 있었다.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.3 no.4
• /
• pp.263-270
• /
• 1990

WSi$_{x}$박막을 Polycide구조로 저압화학증착법에 의해 제작한 후, 열처리를 N$_{2}$분위기에서 30분간 여러온도로 수행하였다. WSi$_{x}$박막의 전기비저항은 열처리온도의 증가에 따라 감소하였으며 1000.deg.C이상으로 열처리한 시편의 경우, 하부 다결정실리콘층의 도우핑여부에 관계없이 35.mu.m.OMEGA.-cm 정도를 나타내었다. 560.deg.C의 열처리에서 WSi$_{x}$박막은 정방정의 WSi$_{2}$ 결정질로 결정화가 되기 시작하였고 열처리온도의 증가에 따라 WSi$_{2}$결정립의 성장도 관찰되었다. 열처리온도에 따른 전기저항의 변화는 WSi$_{x}$박막의 결정립크기와 밀접한 관계가 있었다. 증착된 WSi$_{x}$박막내의 광잉실리콘원자들이 열처리중에 하부의 다결정실리콘층으로 재분배됨을 AES분석에 의해 확인하였다. Hall 측정결과 900.deg.C이상으로 열처리된 시편은 Hole도전체의 거동을 나타내었고 800.deg.C이하로 열처리된 시편은 electron도전체의 거동을 나타내었다.

• Review of KIISC
• /
• v.7 no.3
• /
• pp.77-98
• /
• 1997

암호화 기술의 확장성 측면에서 우수한 공개키 기반 하부구조(Public Key Infrastructure)는 전자 상거래 서비스에서 필요한 제반 인증 기술을 제공하고 있다. 공개키를 보증하는 기반 기술과 인증서의 안전한 사용 기술은 공개키 기반 전자 상거래의 기본 기술이다. 이러한 기본 기술 중에는 키 복구(Key Recovery) 및 비밀 분산(Secret Sharing) 기술이 포함되며 인증기관(Certificate Authority : CA)을 통한 키 관리 효율성 및 인증기관과 서비스 사용자간의 안전한 정보 교환 기술이 또한 요구된다. 본 논문에서는 인터넷 기반의 전자 상거래 시 사용되는 공개키 기반의 인증구조에 대하여 검토 분석한다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.41 no.10
• /
• pp.1-7
• /
• 2004

In order to enhance the electron mobility in SOI n-MOSFET, we fabricated fully depletion(FD) n-MOSFET on the strained Si/relaxed SiGa/SiO$_2$/Si structure(strained Si/SGOI) formed by inserting SiGe layer between a buried oxide(BOX) layer and a top silicon layer. The summated thickness of the strained Si and relaxed SiGe was fixed by 12.8 nm and then the dependency of electron mobility on strained Si thickness was investigated. The electron mobility in the FD n-MOSFET fabricated on the strained Si/SGOI enhanced about 30-80% compared to the FD n-MOSFET fabricated on conventional SOI. However, the electron mobility decreased with the strained Si thickness although the inter-valley phonon scattering was reduced via the enhancement of the Ge mole fraction. This result is attributed to the increment of intra-valley phonon scattering in the n-channel 2-fold valley via the further electron confinement as the strained Si thickness was reduced.

• The Journal of Engineering Geology
• /
• v.21 no.3
• /
• pp.213-219
• /
• 2011

Transient/time-domain electromagnetic (TEM) soundings were carried out on reclaimed land, since the TEM sounding has good resolution of a conductive and thin overburden. The reclamation material is marine clay dredged from the seafloor, which is currently undergoing consolidation in the upper part of the dredged layer. The conductivity of the marine-origin clay is generally more than 0.3 S/m. The aim of the TEM sounding was to determine the depths of weathered and soft rocks overlain by thick and conductive overburden. The TEM responses were measured at delay times of 0.050-20.575 ms with a $30{\times}30$ m coincident loop array. Data from the TEM inversion and core logging indicate that the resistivities of the conductive overburden are less than 2 ${\Omega}$-m, while those of the weathered and soft rocks are 10-20 and 70 ${\Omega}$-m, respectively. The depth to weathered rock is 26-58 m and the depth to soft rock is 46-75 m.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
• /
• v.22 no.2
• /
• pp.61-68
• /
• 2015

Warpage analysis has been performed for top and bottom packages of thin package-on-packages processed with different epoxy molding compounds (EMCs). Warpage deviation was measured for packages molded with the same EMCs and also the warpage deviations of top and bottom substrates themselves were characterized in order to identify the major factor causing the package warpage. For the top and bottom packages processed with thin substrates, the warpage deviation of the substrates was large, which made it difficult to figure out the effect of EMC properties on the package warpage. Top packages, where the molding area of $13mm{\times}13mm$ covered the most of the substrate area ($14mm{\times}14mm$), exhibited similar warpage behavior with changing the temperature. On the other hand, bottom packages, where the molding area was only $8mm{\times}8mm$, exhibited the complex warpage behavior due to simultaneous occurrence of (+) and (-) warpages on the same package. Accordingly, the bottom packages showed dissimilar temperature-warpage behavior even being processed with the same EMCs.